技术总结
本发明提供一种具有电磁波防护结构的GaN基半导体器件的外延结构及制作方法，包括衬底和外延层，所述外延层设置在衬底上，所述外延层从下到上依次为N型GaN层、量子阱和P型GaN层，其特征在于：在衬底和外延层之间设置有防护层，所述防护层为III‑V族元素组成的化合物，不同化合物为不同防护层，不同防护层之间交替设置；本发明通过在衬底和外延层之间设置防护层结构，且采用III‑V族化合物作为防护层，该防护层结构能有效隔离电磁波对GaN基半导体器件核心结构的辐射，防止GaN基半导体器件被破坏。
技术研发人员：张帆;钟玉煌;吴永胜
受保护的技术使用者：江苏新广联半导体有限公司
文档号码：201610951064
技术研发日：2016.10.27
技术公布日：2017.02.15