技术总结
本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种三极管单面N+扩散层扩散的工艺方法。该工艺方法包括：步骤一，水汽氧化硅片，形成两面氧化层；步骤二，单面腐蚀氧化层；步骤三，预扩散，扩散杂质源，形成预扩散层；步骤四，再扩散，在一定温度下进行结深推进一定时间，获得产品。本发明的极管单面N+扩散层扩散的工艺方法，在硅片的一面形成阻止扩散的掩蔽层，使衬底扩散只在硅片的另一面进行，原材料厚度也可选较薄的硅晶片，从而降低了生产制造成本。
技术研发人员：顾晶伟;陆益;李超;刘宗帅
受保护的技术使用者：安徽富芯微电子有限公司
文档号码：201610957522
技术研发日：2016.10.27
技术公布日：2017.05.10