1.一种互补型薄膜晶体管的制作方法，所述互补型薄膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述方法包括：
通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层。
2.根据权利要求1所述的互补型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层包括：
在基板上形成N型金属氧化物层；
对所述N型金属氧化物层进行构图形成第一N型金属氧化物图形和第二N型金属氧化物图形，其中，第一N型金属氧化物图形为N型金属氧化物薄膜晶体管的有源层，第二N型金属氧化物图形用以形成P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层；
对第二N型金属氧化物图形进行离子注入，使得第二N型金属氧化物图形转换为P型金属氧化物。
3.根据权利要求1所述的互补型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层包括：
在基板上形成P型金属氧化物层；
对所述P型金属氧化物层进行构图形成第一P型金属氧化物图形和第二P型金属氧化物图形，其中，第一P型金属氧化物图形为P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层，第二P型金属氧化物图形用以形成N型金属氧化物薄膜晶体管的有源层；
对第二P型金属氧化物图形进行离子注入，使得第二P型金属氧化物图形转换为N型金属氧化物。
4.根据权利要求1所述的互补型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层之前还包括：
通过一次构图工艺形成第一金属层的图形，所述第一金属层的图形包括N型金属氧化物薄膜晶体管的第一电极的图形和P型金属氧化物薄膜晶体管的第二电极的图形；
所述通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层之后还包括：
通过一次构图工艺形成第二金属层的图形，所述第二金属层的图形包括N型金属氧化物薄膜晶体管的第三电极的图形和P型金属氧化物薄膜晶体管的第四电极的图形；
其中，所述第一电极和第三电极其中之一为栅电极，另一为源电极和漏电极，所述第二电极和第四电极其中之一为栅电极，另一为源电极和漏电极。
5.根据权利要求1-4任一项所述的互补型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述N型金属氧化物薄膜晶体管采用的有源层材料包括IGZO、IZO或ZnON。
6.根据权利要求1-4任一项所述的互补型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述P型金属氧化物薄膜晶体管采用的有源层材料包括CuO或SnO。
7.一种互补型薄膜晶体管，所述互补型薄膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述互补型薄膜晶体管为采用如权利要求1-6中任一项所述方法制作得到。
8.根据权利要求7所述的互补型薄膜晶体管，其特征在于，所述互补型薄膜晶体管包括：
第一金属层的图形，所述第一金属层的图形包括N型金属氧化物薄膜晶体管的第一电极的图形和P型金属氧化物薄膜晶体管的第二电极的图形；
N型金属氧化物薄膜晶体管的有源层和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层；
第二金属层的图形，所述第二金属层的图形包括N型金属氧化物薄膜晶体管的第三电极的图形和P型金属氧化物薄膜晶体管的第四电极的图形；
其中，所述第一电极和第三电极其中之一为栅电极，另一为源电极和漏电极，所述第二电极和第四电极其中之一为栅电极，另一为源电极和漏电极。
9.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求7或8所述的互补型薄膜晶体管。
10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具体包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板上的N型金属氧化物薄膜晶体管的栅电极和P型金属氧化物薄膜晶体管的栅电极；
栅绝缘层；
位于所述栅绝缘层上的N型金属氧化物薄膜晶体管的有源层和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层；
位于N型金属氧化物薄膜晶体管的有源层上的第一刻蚀阻挡层图形和位于P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层上的第二刻蚀阻挡层图形；
N型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极和P型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极；
钝化层。
11.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具体包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板上的N型金属氧化物薄膜晶体管的有源层和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层；
位于N型金属氧化物薄膜晶体管的有源层上的第一刻蚀阻挡层图形和位于P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层上的第二刻蚀阻挡层图形；
N型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极和P型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极；
栅绝缘层；
位于所述栅绝缘层上的N型金属氧化物薄膜晶体管的栅电极和P型金属氧化物薄膜晶体管的栅电极；
钝化层。
12.根据权利要求9或10所述的阵列基板，其特征在于，所述N型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极和P型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极为采用Al和/或Mo制成。
13.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具体包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板上的N型金属氧化物薄膜晶体管的栅电极和P型金属氧化物薄膜晶体管的栅电极；
栅绝缘层；
位于所述栅绝缘层上的N型金属氧化物薄膜晶体管的有源层和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层；
N型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极和P型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极；
钝化层。
14.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具体包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板上的N型金属氧化物薄膜晶体管的有源层和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层；
N型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极和P型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极；
栅绝缘层；
位于所述栅绝缘层上的N型金属氧化物薄膜晶体管的栅电极和P型金属氧化物薄膜晶体管的栅电极；
钝化层。
15.根据权利要求13或14所述的阵列基板，其特征在于，所述N型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极和P型金属氧化物薄膜晶体管的源电极、漏电极为采用Cu制成。
16.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9-15中任一项所述的阵列基板。