技术总结
本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，属于显示技术领域。其中，所述互补型薄膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管，所述方法包括：通过一次构图工艺在基板上形成N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管的有源层。本发明的技术方案能够减少金属氧化物CMOS薄膜晶体管的构图次数。
技术研发人员：朱夏明
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
文档号码：201610970462
技术研发日：2016.10.27
技术公布日：2017.01.11