1.一种金属栅的形成方法，其特征在于包括：
第一步骤：提供形成NMOS区域和PMOS区域的衬底，在NMOS区域和PMOS区域上分别形成伪栅极多晶硅结构，其中伪栅极多晶硅结构侧部形成有侧壁，在硅衬底表面和侧壁侧部形成氮化硅层，并且在氮化硅层上形成层间介质层；
第二步骤：去除伪栅极多晶硅结构；
第三步骤：在NMOS区域和PMOS区域上生长介质层、高介电常数层和覆盖层的叠层；
第四步骤：在叠层上生长TiN层，并且在所述TiN层上沉积TaN层；
第五步骤：去除NMOS区域上的TiN层和TaN层；
第六步骤：在NMOS区域和PMOS区域上沉积TiAl层，并且在TiAl层上沉积TiN阻挡层和可湿性钛涂层的组合层；
第七步骤：在NMOS区域和PMOS区域上沉积Al金属；
第八步骤：在NMOS区域和PMOS区域执行化学机械研磨以露出层间介质层。
2.根据权利要求1所述的金属栅的形成方法，其特征在于，所述叠层中的所述介质层是二氧化硅层，所述叠层中的所述介质层的厚度为1～3nm。
3.根据权利要求1或2所述的金属栅的形成方法，其特征在于，生长介质层的方式是物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉淀、热氧化生长和低压化学气相沉积中的一种。
4.根据权利要求1或2所述的金属栅的形成方法，其特征在于，所述叠层中的高介电常数层的材料是HfO2、La2O3、ZrO2中的一种。
5.根据权利要求1或2所述的金属栅的形成方法，其特征在于，所述叠层中的高介电常数层的厚度为1.5～5nm。
6.根据权利要求1或2所述的金属栅的形成方法，其特征在于，所述叠层中的覆盖层的生长方式是物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉淀、热氧化生长和低压化学气相沉积中的一种。
7.根据权利要求1或2所述的金属栅的形成方法，其特征在于，覆盖层的厚度为1.5～5nm。
8.根据权利要求1或2所述的金属栅的形成方法，其特征在于，TiN层的厚度为3～8nm。
9.根据权利要求1或2所述的金属栅的形成方法，其特征在于，TaN层的厚度为1～5nm。
10.根据权利要求1或2所述的金属栅的形成方法，其特征在于，TiAl层的厚度为5～12nm。