1.一种制备绝缘体上半导体结构的方法，其特征在于，所述方法包括：
(1)在基底的上表面依次形成砷化物过渡层和砷化物半导体层，以便获得第一复合体；
(2)对所述第一复合体进行离子注入处理，所述注入的离子中含氢离子；
(3)将所述第一复合体与衬底进行键合处理，以便获得第二复合体，其中，所述衬底的上表面具有绝缘层，并且所述键合处理中所述绝缘层与所述砷化物半导体层接触；以及
(4)对所述第二复合体进行剥离处理，以便分别获得第三复合体和所述绝缘体上半导体结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述砷化物过渡层和砷化物半导体层分别独立地由III-V族砷化物半导体材料形成的；
任选地，所述III-V族砷化物半导体材料为MAs，其中，所述M为Ga、In、以及Al的至少之一；
任选地，所述III-V族砷化物半导体材料为GaAs、InAs、AlAs、InxGa1-xAs、AlyGa1-yAs、InzAl1-zAs以及InmAlnGa1-m-nAs的至少之一，
其中，x、y、z、m以及n分别独立地大于0且小于1。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述砷化物半导体层以及所述砷化物过渡层分别独立地通过外延生长形成。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，形成所述砷化物过渡层之前，预先在所述基底的上表面形成锗过渡层；
任选地，所述锗过渡层的厚度不小于1微米。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)中，形成所述砷化物半导体层之前，预先在所述砷化物过渡层的上表面形成离子吸附层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述离子吸附层包括权利要求2所述的III-V族砷化物半导体材料，所述离子吸附层中的所述III-V族砷化物半导体材料与所述砷化物过渡层和所述砷化物半导体层中的所述III-V族砷化物半导体材料具有不同的晶格常数；
任选地，所述离子吸附层的厚度为2-50nm。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在步骤(4)中，所述剥离处理是在所述离子吸附层中进行的。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底与所述基底分别独立地是由硅形成的。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：在步骤(1)中，在所述砷化物半导体层上表面形成第一钝化层；
任选地，在所述绝缘体上半导体结构上表面形成第二钝化层。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述离子注入处理的注入剂量为：
0.5×1016/cm2～1×1017/cm2。
11.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述离子注入处理时，所述第一复合体的温度为200-600摄氏度。
12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述绝缘体上半导体结构中，所述砷化物半导体层的厚度小于100nm。
13.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(1)之后，步骤(2)之前，预先对所述第一复合体的上表面进行抛光处理和/或退火处理。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述退火处理是在含氢气气氛中以及800～1100摄氏度的条件下进行的。
15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述剥离处理包括温度为200-700摄氏度的退火。
16.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：在步骤(4)之后，对获得的所述绝缘体上半导体结构表面进行抛光处理和/或退火处理。
17.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：
将所述第三复合体回收利用，返回至步骤(2)中进行离子注入处理；
任选地，在将所述第三复合体返回至步骤(2)之前，预先对所述第三复合体进行下列处理：
对所述第三复合体的上表面进行抛光处理和/或退火处理；和
在所述第三复合体的上表面形成所述砷化物半导体层。
18.一种绝缘体上半导体结构，其特征在于，所述绝缘体上半导体结构是由权利要求1～17任一项所述的方法形成的。
19.根据权利要求18所述的绝缘体上半导体结构，其特征在于，所述绝缘体上半导体结构中所述砷化物半导体层的直径不小于6英寸。