1.一种光电探测器，包括：由重掺杂P型Ge层(6)、重掺杂N型Si层(4)和中间掺入的本征Ge层(5)构成的一个Ge PIN型光电二极管以及由重掺杂N型Si层(4)、重掺杂P型Si层(2)和中间掺入的本征Si层(3)构成的一个Si PIN型光电二极管通过重掺杂N型Si层(4)背靠背相连；
所述重掺杂N型Si层(4)、本征Ge层(5)和重掺杂P型Ge层(6)构成一个平面结构(11)，所述本征Si层(3)和重掺杂P型Si层(2)构成一个台面结构(10)；
所述的重掺杂P型Ge层(6)下表面设有第一金属阳极接触(7)，在重掺杂N型Si层(4)上表面左右两侧设有金属阴极接触(8)，在重掺杂P型Si层(2)上表面左右两侧设有第二金属阳极接触(9)；
所述的台面结构(10)上表面、侧壁和平面结构(11)上表面左右两侧淀积有一层钝化层(1)。
2.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述第一金属阳极接触(7)、金属阴极接触(8)和第二金属阳极接触(9)的材料为Al。
3.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述钝化层(1)的材料为SiO2。
4.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述的重掺杂P型Si层(2)的掺杂浓度达到1019cm-3数量级。
5.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述的本征Si层(3)的掺杂浓度达到1013cm-3数量级。
6.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述的重掺杂N型Si层(4)的掺杂浓度达到1019cm-3数量级。
7.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述的本征Ge层(5)的掺杂浓度比重掺杂N型Si层(4)的掺杂浓度低至少4个数量级。
8.如权利要求1所述的一种光电探测器，其特征在于，所述的重掺杂P型Ge层(6)的掺杂浓度达到1019cm-3数量级。