技术总结
本发明涉及一种碳量子点增强的硅化锗/锡化锗光电探测器及其制备方法，该硅化锗/锡化锗光电探测器自下而上依次有衬底、导电镀膜层、锡化锗层、硅化锗层及碳量子点层，所述的光电探测器还设有第一电极和第二电极，第一电极设置在导电镀膜层上，第二电极设置在硅化锗层上。其制备方法如下：先在衬底上沉积导电镀膜层，再沉积锡化锗层；然后将硅化锗沉积至锡化锗层上；在硅化锗层上制备碳量子点层；最后在硅化锗层及导电镀膜层上分别制作电极，获得光电探测器。本发明的碳量子点增强的硅化锗/锡化锗光电探测器利用碳量子点引入的掺杂效应来获得具有高转化效率的硅化锗/锡化锗光电探测器。
技术研发人员：庄爱芹
受保护的技术使用者：庄爱芹
文档号码：201611109564
技术研发日：2016.12.06
技术公布日：2017.05.10