技术总结
本发明提供一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件的形成方法包括：提供基底，所述基底包括用于形成第一晶体管的第一区域和用于形成第二晶体管的第二区域，所述第一晶体管的工作电流小于第二晶体管的工作电流；在所述基底上形成栅极层；刻蚀所述栅极层，在所述第一区域形成第一栅极；在形成第一栅极后刻蚀所述栅极层，在所述第二区域形成第二栅极，所述第二栅极具有底切结构；分别在第一栅极两侧的基底中形成第一源漏掺杂区，在第二栅极两侧的基底中形成第二源漏掺杂区。本发明形成的第二晶体管的栅极底部为底切结构，使得第二晶体管的可靠性提高，从而使得半导体器件的性能提高。 1
技术研发人员：周飞;
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;
技术研发日：2016.12.08
技术公布日：2018.06.15