1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上依次沉积金属氧化物半导体层及源极金属层；
对所述金属氧化物半导体层及所述源极金属层进行图案化处理，并对经过所述图案化处理后的金属氧化物半导体层的一部分进行导体化处理，以使得经导体化处理的部分所述金属氧化物半导体层作为与未经导体化处理的部分所述金属氧化物半导体层电连接的漏极及像素电极。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上依次沉积金属氧化物半导体层及源极金属层的步骤之前，进一步包括：
在所述衬底基板上沉积栅极金属层；
对所述栅极金属层进行图案化处理，以形成底栅电极，其中所述金属氧化物半导体层及源极金属层沉积于形成有所述底栅电极的所述衬底基板上。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底基板上沉积栅极金属层的步骤之前，所述制作方法还包括：
在所述衬底基板上沉积缓冲层，其中所述栅极金属层沉积在所述缓冲层上；
所述对所述栅极金属层进行图案化处理的步骤之后，所述制作方法还包括：
在形成有所述底栅电极的所述衬底基板上沉积栅极绝缘层，其中所述金属氧化物半导体层及源极金属层沉积在所述栅极绝缘层上。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述衬底基板上依次沉积金属氧化物半导体层及源极金属层的步骤包括：
在所述金属氧化物半导体层与所述源极金属层之间沉积还原层；
所述对所述金属氧化物半导体层及所述源极金属层进行图案化处理，并对经过所述图案化处理后的金属氧化物半导体层的一部分进行导体化处理的步骤包括：
对所述金属氧化物半导体层、所述还原层和所述源极金属层进行图案化处理，以使得所述金属氧化物半导体层的对应于源极的第一区域上覆盖有所述还原层和所述源极金属层的叠层结构，对应于所述源极与所述漏极之间的第二区域上不覆盖所述还原层和所述源极金属层，对应于所述漏极和像素电极的第三区域上仅覆盖有所述还原层；
通过退火处理使得所述第一区域和所述第三区域上的所述还原层对所述金属氧化物半导体层进行还原。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述对所述金属氧化物半导体层、所述还原层和所述源极金属层进行图案化处理的步骤包括：
对所述金属氧化物半导体层、所述还原层和所述源极金属层的叠层结构进行整体图案化处理；
对整体图案化处理后的所述金属氧化物半导体层、所述还原层和所述源极金属层进行一次局部图案化处理，以去除所述第二区域上的所述还原层和所述源极金属层；
对一次局部图案化处理后的所述金属氧化物半导体层、所述还原层和所述源极金属层进行二次局部图案化处理，以去除所述第三区域上的所述源极金属层。
6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述还原层的材料为还原性高于所述金属氧化物半导体层中的金属元素的金属。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述对所述金属氧化物半导体层及所述源极金属层进行图案化处理，并对经过所述图案化后的金属氧化物半导体层的一部分进行导体化处理的步骤包括：
对所述金属氧化物半导体层和所述源极金属层进行整体图案化处理；
在整体图案化处理后的所述金属氧化物半导体层上对所述漏极和所述像素电极的对应区域的所述金属氧化物半导体层进行等离子掺杂处理。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述在整体图案化后的所述金属氧化物半导体层上对所述漏极和所述像素电极的对应区域的所述金属氧化物半导体层进行等离子掺杂处理的步骤包括：
在整体图案化处理后的所述金属氧化物半导体层和所述源极金属层上形成光阻层，其中所述光阻层在所述金属氧化物半导体层的对应于源极的第一区域的厚度为第一厚度，在对应于所述源极与所述漏极之间的第二区域的厚度为第二厚度，在对应于所述漏极和像素电极的第三区域的厚度为第三厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度，所述第二厚度大于所述第三厚度；
进行一次蚀刻，以去除所述第三区域上的所述光阻层和所述源极金属层，并使得所述第三区域上的所述金属氧化物半导体层外露且所述第一区域和所述第二区域上的所述光阻层部分保留；
进行等离子掺杂处理，使得所述第三区域的所述金属氧化物半导体层被导体化。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在整体图案处理化后的所述金属氧化物半导体层上对所述漏极和所述像素电极的对应区域的所述金属氧化物半导体层进行等离子掺杂处理的步骤进一步包括：
进行二次蚀刻，以去除所述第二区域上的所述光阻层和所述源极金属层，且所述第一区域上的所述光阻层部分保留；
剥离所述第一区域上的所述光阻层。
10.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板、底栅电极、源极、金属氧化物半导体层、漏极及像素电极，其中所述漏极及所述像素电极与所述金属氧化物半导体层同层设置，并且由所述金属氧化物半导体层导体化处理后形成。