1.一种发光二极管封装结构，包括：
一基材，具有一第一表面；
一发光二极管，配置于该基材的该第一表面上且适于产生及发射一光；以及
一封装胶体，配置于该基材上且包覆该发光二极管，其中该封装胶体具有与该基材的该第一表面平行的一第二表面以及与该基材的该第一表面垂直的多个第三表面，
其中该光通过与该基材的该第一表面平行的该第二表面后具有一第一发光强度，该光通过与该基材的该第一表面垂直的该多个第三表面后具有一第二发光强度，该第一发光强度大于该第二发光强度。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中该发光二极管封装结构还包括一覆盖元件，其设置于该封装胶体与该基材的该第一表面垂直的该多个第三表面的至少其中之一，该光通过该覆盖元件后具有一第三发光强度，其中该第三发光强度小于该第二发光强度。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该覆盖元件是借由喷涂、溅镀、压模、或磨砂的方式所形成。
4.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该覆盖元件的透光率低于该封装胶体的透光率。
5.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该覆盖元件的一端至少部分切入该基材表面。
6.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于，具有该第一发光强度、该第二发光强度、以及该第三发光强度的该光的透出方向相互垂直。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管在与该基材的该第一表面呈垂直的至少一第四表面以及相对于该至少一第三表面的封装胶体表面之间设置有一覆盖元件，使得通过该覆盖元件自该封装胶体表面透出的光具有一第三发光强度，其中该第三发光强度小于该第二发光强度。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该覆盖元件是借由喷涂、溅镀、压模、或磨砂的方式所形成。
9.如权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该覆盖元件的透光率低于该封装胶体的透光率。
10.如权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该覆盖元件的一端至少部分切入该基材的该第一表面。
11.如权利要求7所述的发光二极管封装结构，其特征在于，具有该第一发光强度、该第二发光强度、以及该第三发光强度的该光的透出方向相互垂直。
12.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该发光二极管在与该基材的该第一表面呈垂直的至少一第四表面上设置有一覆盖元件，使得通过该覆盖元件自该封装胶体表面透出的光具有一第三发光强度，其中该第三发光强度小于该第二发光强度。
13.如权利要求12所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该覆盖元件是借由喷涂、溅镀、压模、或磨砂的方式所形成。
14.如权利要求12所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该覆盖元件的透光率低于该封装胶体的透光率。
15.如权利要求12所述的发光二极管封装结构，其特征在于，该覆盖元件的一端至少部分切入该基材的该第一表面。
16.如权利要求12所述的发光二极管封装结构，其特征在于，具有该第一发光强度、该第二发光强度、以及该第三发光强度的该光的透出方向相互垂直。
17.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括：
提供一基材；
设置多个发光二极管于该基材上，其中该多个发光二极管形成一阵列；
设置一封装胶体于该基材上且包覆该多个发光二极管；
沿该阵列的行方向或列方向在该多个发光二极管之间预切割该封装胶体，以形成相互平行的多个切槽，其中各该切槽切入该基材的表面；
填充一胶材于各该切槽中；以及
对该封装胶体及该基材进行单体化切割，以形成多个发光二极管封装结构，其中该胶材成为各该发光二极管封装结构的一覆盖元件。
18.一种发光二极管封装结构，包括：
一发光二极管，发射一光；以及
一封装胶体，包覆该发光二极管，其中该封装胶体具有一第一表面以及与该第一表面垂直的多个第二表面，
其中该光通过与该第一表面后具有一第一发光强度，该光通过该多个第二表面后具有一第二发光强度，该第一发光强度不同于该第二发光强度。
19.如权利要求18所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中该第一发光强度大于该第二发光强度。
20.如权利要求18所述的发光二极管封装结构，其特征在于，其中该第一发光强度小于该第二发光强度。