一种电子元器件电极的制作方法及电子元器件与流程

技术总结
本发明公开了一种电子元器件电极的制作方法及电子元器件，制作方法包括以下步骤：S1，在用于制作电子元器件的薄膜生带上沉积导电聚合物，形成一层厚度≤1μm的导电层；S2，在所述导电层上铺光阻剂；S3，对光阻剂进行曝光、显影，根据曝光时所使用的掩膜板中的电极图案去除所述导电层上的部分光阻剂，在所述导电层上保留的光阻剂之间形成电极沟槽；S4，电镀处理，在所述导电层上的所述电极沟槽中电镀沉积金属材料，形成电极；S5，去除光阻剂及光阻剂底部的导电聚合物，保留电极底部的导电聚合物，从而在薄膜生带上制得电极。本发明的制作方法可制得精细化的电极，且制得的电极的电导率较高。

技术研发人员：余瑞麟;戴春雷;王亚珂
受保护的技术使用者：深圳顺络电子股份有限公司
文档号码：201611145965
技术研发日：2016.12.13
技术公布日：2017.05.31