1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
第一基板；
第一金属层，设置于所述第一基板一侧；
第一绝缘层，设置于所述第一金属层背对所述第一基板一侧；
半导体层，设置于所述第一绝缘层背对所述第一金属层一侧；
第二金属层，设置于所述半导体层背对所述第一绝缘层一侧；
第二绝缘层，设置于所述第二金属层背对所述半导体层一侧；
像素电极，设置于所述第二绝缘层背对所述第二金属层一侧；
其中，所述第二绝缘层设有第一过孔，用于电性连接所述第二金属层与所述像素电极，所述第一金属层与所述第二金属层构成第一存储电容，所述第一金属层和所述像素电极构成第二存储电容。
2.如权利要求1所述的基板，其特征在于，
所述第二绝缘层、所述第二金属层以及所述半导体层设有第二过孔，所述像素电极延伸至所述第二过孔的孔壁和孔底，以使得与所述第一金属层构成所述第二存储电容。
3.如权利要求2所述的基板，其特征在于，
所述第一过孔和第二过孔同一位置或不同位置。
4.如权利要求1至3任一项所述的基板，其特征在于，
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层由氮化硅材料制成，所述半导体层由非晶硅材料制成。
5.一种显示面板，其特征在于，包括平行设置的阵列基板与第二基板，所述阵列基板包括：
第一基板；
第一金属层，设置于所述第一基板一侧；
第一绝缘层，设置于所述第一金属层背对所述第一基板一侧；
半导体层，设置于所述第一绝缘层背对所述第一金属层一侧；
第二金属层，设置于所述半导体层背对所述第一绝缘层一侧；
第二绝缘层，设置于所述第二金属层背对所述半导体层一侧；
像素电极，设置于所述第二绝缘层背对所述第二金属层一侧；
其中，所述第二绝缘层设有第一过孔，用于电性连接所述第二金属层与所述像素电极，所述第一金属层与所述第二金属层构成第一存储电容，所述第一金属层和所述像素电极构成所述第二存储电容。
6.如权利要求5所述的基板，其特征在于，
所述第二绝缘层、所述第二金属层以及所述半导体层设有第二过孔，所述像素电极延伸至所述第二过孔的孔壁和孔底，以使得与所述第一金属层构成第二存储电容。
7.如权利要求5所述的基板，其特征在于，
所述第一过孔和第二过孔同一位置或不同位置。
8.如权利要求5至7任一项所述的基板，其特征在于，
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层由氮化硅材料制成，所述半导体层由非晶硅材料制成。
9.一种显示装置，其特征在于，包括背光模组和如权利要求5至8任一项所述的显示面板。
10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供第一基板；
在所述第一基板一侧形成第一金属层；
在所述第一金属层的背对所述第一基板的一侧依次形成第一绝缘层、半导体层、第二金属层、第二绝缘层以及像素电极；
在所述第二绝缘层上开设第一过孔，用于电性连接所述第二金属层与所述像素电极，所述第一金属层与所述第二金属层构成第一存储电容，所述第一金属层和所述像素电极构成第二存储电容。