显示面板结构与其制造方法与流程

本发明是有关于显示面板结构与其制造方法。

背景技术：

显示器窄边框设计为现今面板设计潮流之一。窄边框设计技术以缩减周边区域面积为主要设计重点，例如可将驱动扫描线集成电路(Integrated Circuit)改为在基板上设计驱动电路或者选用涂布较窄、可靠度较高的阻水氧框胶材料来达成。

随着时代发展，显示器发展也跟着演进，无边框显示器成为未来显示器的一个重要发展因子。然而，在发展无边框显示器的同时，却也产生了之前没有遭遇过的问题。举例来说，为了使基板可以电连接位于其两侧的电子元件，可能需要在基板中制造导电通孔，但是在基板中制造导电通孔并非现有成熟的显示器制程，因此将会提升制程的难度，并需要极高的制造成本。

为了进一步改善显示器的各项特性，相关领域莫不费尽心思开发。如何能提供一种具有较佳特性的显示器，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前相关领域亟需改进的目标。

技术实现要素：

本发明的一技术态样是在提供一种显示面板结构，以降低制程难度与制造成本。

根据本发明一实施方式，一种显示面板结构的制造方法，包含以下步骤。首先，放置至少一导电通孔片于承载基板上。接着，形成介电质于承载基板上，并使至少一导电通孔片嵌设于介电质中，而使介电质与至少一导电通孔片形成板状结构，其中导电通孔片裸露于介电质之外。然后，形成晶体管阵列于介电质上。再来，分离承载基板及板状结构。最后，设置至少一芯片于导电通孔片相对于晶体管阵列的一侧。

于本发明的一或多个实施方式中，在形成介电质于承载基板上的步骤中，包含以下步骤。首先，形成介电质于承载基板与导电通孔片上，其中介电质为溶液状态。接着，移除介电质的上半部份，以裸露导电通孔片，且遗留下来的介电质与导电通孔片形成板状结构，其中介电质的上半部份为藉由加热挥发而移除，且遗留下来的介电质为固态。

根据本发明另一实施方式，一种显示面板结构的制造方法，包含以下步骤。首先，设置至少一芯片于承载基板上。接着，形成介电质于承载基板上，并使芯片嵌设于介电质中，而使介电质与芯片形成板状结构。然后，形成晶体管阵列于介电质上，其中晶体管阵列与芯片电性连接。最后，分离承载基板及板状结构。

于本发明的一或多个实施方式中，在形成介电质于承载基板上的步骤中，包含以下步骤。首先，形成介电质于承载基板与芯片上，其中介电质为溶液状态。接着，移除介电质的上半部份，以裸露芯片，且遗留下来的介电质与芯片形成板状结构，其中介电质的上半部份为藉由加热挥发而移除，且遗留下来的介电质为固态。

根据本发明又一实施方式，一种显示面板结构包含介电质、至少一导电通孔片、晶体管阵列以及至少一芯片。导电通孔片嵌设于介电质中。晶体管阵列用以控制显示面板结构的多个画素，且设置于导电通孔片的一侧，其中晶体管阵列电性连接导电通孔片。芯片设置于导电通孔片相对于晶体管阵列的一侧，芯片透过导电通孔片电性耦接晶体管阵列。

于本发明的一或多个实施方式中，介电质的材质为聚酰亚胺。

于本发明的一或多个实施方式中，导电通孔片更包含半导体基板与多个导电通孔。导电通孔设置于半导体基板中，其中导电通孔电性连接晶体管阵列与芯片。

于本发明的一或多个实施方式中，导电通孔片的数量为多个，芯片的数量为多个，导电通孔片以阵列的排列方式嵌设于介电质中，芯片则分别对应设置于导电通孔片。

于本发明的一或多个实施方式中，显示面板结构更包含黑色矩阵。黑色矩阵设置于介电质、导电通孔片以及晶体管阵列上或上方，其中导电通孔片与介电质形成板状结构，黑色矩阵在板状结构上的正投影与芯片在板状结构上的正投影至少部份重叠。

根据本发明再一实施方式，一种显示面板结构包含介电质、至少一芯片以及晶体管阵列。芯片嵌设于介电质中，其中芯片具有相对的第一面与第二面，第一面与第二面皆不被介电质覆盖。晶体管阵列用以控制显示面板结构的多个画素，且设置于介电质上，其中晶体管阵列电性连接芯片。

于本发明的一或多个实施方式中，介电质的材质为聚酰亚胺。

于本发明的一或多个实施方式中，芯片为未封装的芯片。

于本发明的一或多个实施方式中，芯片的厚度约等于介电质的厚度。

于本发明的一或多个实施方式中，显示面板结构更包含黑色矩阵。黑色矩阵设置于介电质、芯片以及晶体管阵列上或上方，其中芯片与介电质形成板状结构，黑色矩阵在板状结构上的正投影与芯片至少部份重叠。

根据本发明再一实施方式，一种显示面板结构包含阵列基板、晶体管阵列、至少一芯片以及对向基板。晶体管阵列用以控制显示面板结构的多个画素，且设置于阵列基板上。芯片设置于阵列基板上，其中芯片电性连接晶体管阵列。对向基板设置于晶体管阵列、芯片以及阵列基板上方，其中对向基板具有凹槽，用以容置芯片。

本发明上述实施方式提供不同的显示面板结构，使晶体管阵列可以直接电性连接芯片，而不需额外在边框区设置线路，因而得以符合无边框显示器的设计需求。进一步来说，上述实施方式中的制造方法不需要对于板状结构进行钻孔制程，亦不需要进行电镀制程与接合制程，因此将能有效降低制程的难度，并进一步降低制造成本。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1～4绘示依照本发明一实施方式的显示面板结构的制程各步骤的剖面图。

图5～7绘示依照本发明另一实施方式的显示面板结构的制程各步骤的剖面图。

图8～10绘示依照本发明又一实施方式的显示面板结构的制程各步骤的剖面图。

图11绘示依照本发明一实施方式的显示面板结构的上视图。

图12绘示图11的局部M的上视图。

其中，附图标记

100：显示面板结构

110：承载基板

120：导电通孔片

121：半导体基板

123：导电通孔

130：介电质

140：晶体管阵列

141：金属电极

143：薄膜晶体管

150：芯片

151：第一面

153：第二面

160：阵列基板

170：对向基板

171：凹槽

180：板状结构

190：黑色矩阵

191：画素群组

192：闸极驱动电路

193：数据驱动电路

199：间隙物

M：局部

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明技术方案进行详细的描述，以更进一步了解本发明的目的、方案及功效，但并非作为本发明所附权利要求保护范围的限制。

本揭示中所的用语一般具有其在本揭示背景领域中的通常意思，以及其在特定背景中使用时的意义。某些特定用以描述本揭示的用语将于后定义及讨论，或是在说明书中的其他地方讨论，以供做为本领域技术人员了解本揭示说明。除此之外，同一事物可能会以超过一种方式来说明，其意义应了解为可选择是多种说明方式的其中之一或整体意思。因此，在本文中会使用可替换性的语言以及同义词来表现任何一个或多个的用语，不论此用语是否有在本文中进行精辟的阐述或是讨论，使用可替换性的语言以及同义词均不具特定意义。本揭示提供某些用语的同义词。一或多个常用的同义词并不排除其他同义词的使用。本说明书中任何部分所提到的例子，包含所讨论的任何用语的例子，均仅用来说明，并无限制本揭示的范围及意义或是任何当作例子来说明的用语。同样地，本揭示也不受限于本说明书所提供的各种实施例。

可被理解的是，当称一元件(电性)耦接于另一元件时，其可为直接(电性)耦接其他元件、或介于其中间的元件可出现在其间。相反地，当称一元件直接(电性)耦接于另一元件时，并无介于中间的元件出现。其实际解读，应根据发明本质而定。举例来说，两元件之中，可能可以加入其他中继元件，但仍不跳脱内文所揭示的一元件(电性)耦接于另一元件设置的精神。

另一可被理解的是，本文对于信号传递或提供的描述，经传输的信号可能会产生衰减或失真，但仍与传输之前的信号具有对应的关系，通常不因传输过程中产生的衰减或失真情形而排除信号发射端与信号接收端两信号的对应关系。除此之外，信号的传递以及接收端之间也可以具有信号的缓冲及/或信号的强化单元，以补偿信号的衰减，但此并不影响信号发射端与信号接收端两信号的对应关系。

可被理解的是，如于本文所使用，用语「和/或」包含一个或多个相关的列出项目的任一与所有组合，也就是说，其指称的为多个元件以「和」，还有以「或」连结的态样。

另一可被理解的是，当称一元件位于另一元件上(on,above)时，其可为直接位于其他元件上、或介于其中间的元件可出现在其间。相反地，当称一元件直接位于另一元件上时，并无介于中间的元件出现。

另一可被理解的是，虽然在本揭示使用「第一」、「第二」和「第三」等用语来描述各种元件、零件、区域、层和/或部分，但此些用语不应限制此些元件、零件、区域、层和/或部分。此些用语仅用以区别一元件、零件、区域、层和/或部分与另一元件、零件、区域、层和/或部分。因此，可在不偏离本揭示所教示的情况下，将以下讨论的第一元件、零件、区域、层和/或部分称为第二元件、零件、区域、层和/或部分。

于本文所使用的用语仅用于描述特定实施例的目的，并非用以限制本揭示。如于本文所使用，除非内容清楚指定，单数形式「一」与「该」亦欲包含复数形式。将进一步了解的是，用语「包含」或「具有」应用在说明书中时，明确说明所述特征、区域、整体、步骤、操作、元素、及/或构件的存在，但并未排除一或更多其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、零件及/或其族群的存在或加入。

此外，相对用语例如「下」或「底部」、「上」或「顶部」、和「左」或「右」，于本文中可用以描述如图中所绘示的一元件与另一元件的关系。可被理解的是，除了图中所描绘的方位外，相对用语意欲包含元件的不同方位。例如：若图中的元件翻转，被描述为在此另一元件的「下」侧的元件接下来将位于此另一元件的「上」侧的方位。因此，例示性用语「下」根据图的特定方位可包含「下」和「上」的两方位。相同地，若图中的元件翻转，被描述为在另一元件「之下」或「下方」的元件接下来将位于此另一元件「上方」的方位。因此，例示性用语「之下」或「下方」可包含上方和下方的两方位。

若本文中无额外指明，在本文中所使用的用语「大约」、「约」或「近乎」应大体上意指在给定值或范围的百分之二十以内，较佳为在百分之十以内，更佳为在百分之五以内。在此所提供的数量为近似，意指若无特别陈述，可以用语「大约」、「约」或「近乎」加以表示。

如在申请专利范围中以”动词”来限定装置权利要求，在特定情形下，依照本领域通常知识者的理解，类似限定可理解为对于结构上的描述而非属于方法得限定。举例而言：第一元件「焊接」于第二元件、第一元件「设置」于第二元件之上、第一元件「形成」于第二元件、「接地」导线、「经扭曲」的柱体、基板「涂布」有印刷材料以及导电通孔(via or through hole)「暴露」其下的金属电极。

如在本文中所使用的用语「暴露」、「裸露」或「露出」并非意指述元件或结构露出于外部空间中，而可能仅指所述元件或结构未完全被覆盖于其上的另一元件给完全覆盖。

在本文中所使用的用语「包围」、「围绕」或类似用语，并不表示围绕物必须完整围绕被围绕物。

在本文中所使用的用语使用的用语「相邻」、「邻近」或类似用语，并不表示两「相邻」、「邻近」的元件之间完全没有其他中间元件。

以下若使用「系统」、「模组」、「功能单元」、「运算单元」以及「处理单元」或类似用语，其可用以指称特定应用集成电路(Application Specific Integrated Circuit,ASIC)、电子电路、电子电路的整体、逻辑电路的组合、现场可程式逻辑阵列(Field Programmable Gate Array,FPGA)、具有处理指令能力的处理器或者是其他适以执行上述元件的功能的硬体结构，并且也可以用以指称以上列举的各种态样的组合、其部分或是包含上述列举的各种态样的结构，例如系统芯片。「系统」、「模组」、「功能单元」、「运算单元」以及「处理单元」或类似用语所指称的结构，也可以包含存储器，用以储存处理器所执行的指令或编码。

在设计无边框显示器的时候，为了使薄膜晶体管阵列可以直接电性连接相关的电子元件(例如驱动集成电路)，而不需额外在边框区设置线路以连接这些电子元件，通常需要有相对应的特殊结构设计。本发明不同实施方式提供不同的显示面板结构，以符合无边框显示器的设计需求。

图1至图4绘示依照本发明一实施方式的显示面板结构100的制程各步骤的剖面图。首先，如图1所绘示，放置至少一导电通孔片120于承载基板110上。

具体而言，导电通孔片120包含半导体基板121与至少一导电通孔123。导电通孔123设置于半导体基板121中，用以电性连接位于导电通孔片120的两侧的电子元件。

在本实施方式中，半导体基板121的材质为硅。应了解到，以上所举的半导体基板121的材质仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择半导体基板121的材质。

接着，如图2与图3所绘示，形成介电质130于承载基板110上，并使导电通孔片120嵌设于介电质130中，因而使介电质130与导电通孔片120形成板状结构180(见图3)，其中导电通孔片120裸露于介电质130，导电通孔片120可以例如为硅导电通孔片(Through silicon via)。导电通孔片120裸露于介电质130意指导电通孔片120并未完全被介电质130所覆盖。且在本文之中，若有提及“裸露”、“暴露”及“露出”或类似的用语，其应具有相同的义旨。

具体而言，如图2所绘示，首先形成介电质130于承载基板110与导电通孔片120上，其中介电质130为溶液状态。

接着，如图3所绘示，移除介电质130的上半部份，以裸露导电通孔片120，且遗留下来的介电质130与导电通孔片120形成板状结构180，其中介电质130的上半部份为藉由加热挥发而移除，且遗留下来的介电质130因为加热而成为固态。

在本实施方式中，介电质130的材质首先为溶液状态的聚酰亚胺(Polyimide，PI)，在加热制程后介电质130的材质为固态的聚酰亚胺，因此介电质130具有可挠性。应了解到，以上所举的介电质130的材质仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择介电质130的材质。

然后，形成晶体管阵列140于导电通孔片120与介电质130上。

在一些实施方式中，形成晶体管阵列140的细部制程为依序形成第一电极层、第一图案化介电层、图案化半导体主动层、第二图案化介电层与第二电极层。

形成第一电极层的细部制程包含以下步骤。首先，沉积第一金属层于导电通孔片120与介电质130上。之后，进行沉积、曝光与显影光阻的制程，以形成图案化光阻。接着，进行蚀刻制程，以形成第一电极层，并移除图案化光阻(形成图案化光阻的制程与蚀刻制程可以统合称为图案化制程)。

形成第一图案化介电层的细部制程包含以下步骤。首先，沉积第一介电层于导电通孔片120、介电质130与第一电极层上。之后，进行图案化制程，以形成第一图案化介电层。

形成图案化半导体主动层的细部制程包含以下步骤。首先，沉积半导体主动层于导电通孔片120、介电质130与第一图案化介电层上。之后，进行图案化制程，以形成图案化半导体主动层。

形成第二图案化介电层的细部制程包含以下步骤。首先，沉积第二介电层于导电通孔片120、介电质130、第一图案化介电层与图案化半导体主动层上。之后，进行图案化制程，以形成第二图案化介电层。

形成第二电极层的细部制程包含以下步骤。首先，沉积第二金属层于导电通孔片120、介电质130与第二图案化介电层上。之后，进行图案化制程，以形成第二电极层。

如图3与图4所绘示，分离承载基板110及板状结构180。

具体而言，承载基板110可为藉由雷射剥离(Laser lift-off，LLO)而移除。应了解到，以上所举的承载基板110的移除方法仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择承载基板110的移除方法。

最后，设置至少一芯片150于导电通孔片120相对于晶体管阵列140的一侧，并形成显示面板结构100。具体而言，芯片150电性连接导电通孔片120的导电通孔123。晶体管阵列140可以用来控制面板结构100的多个画素(图未示)。

在本实施方式中，芯片150为驱动集成电路。应了解到，以上所举的芯片150的具体实施方式仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择芯片150的具体实施方式。

藉由前述的制造方法，将能形成芯片150与晶体管阵列140于板状结构180的两侧，并且藉由导电通孔片120的导电通孔123电性连接芯片150与晶体管阵列140。于是，可降低显示面板结构100在周边边框区域电路配置空间的需求。

图5至图7绘示依照本发明另一实施方式的显示面板结构100的制程各步骤的剖面图。首先，如图5所绘示，设置至少一芯片150于承载基板110上。

具体而言，芯片150为未封装的芯片，且芯片150为驱动集成电路，所谓未封装可以理解为芯片的晶粒(Die)未被以封装材料(如树脂或陶瓷)包覆的状态。应了解到，以上所举的芯片150的具体实施方式仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择芯片150的具体实施方式。

接着，如图6与图7所绘示，形成介电质130于承载基板110上，并使芯片150嵌设于介电质130中，因而使介电质130与芯片150形成板状结构180。

具体而言，如图6所绘示，首先形成介电质130于承载基板110与芯片150上，其中介电质130为溶液状态。在此，溶液状态的介电质130并不一定要完全覆盖芯片150。

接着，如图7所绘示，移除介电质130的上半部份，以裸露芯片150，且遗留下来的介电质130与芯片150形成板状结构180，其中介电质130的上半部份为藉由加热挥发而移除，且遗留下来的介电质130为固态。

在本实施方式中，介电质130的材质首先为溶液状态的聚酰亚胺(Polyimide，PI)，在加热制程后介电质130的材质为固态的聚酰亚胺，因此介电质130具有可挠性。应了解到，以上所举的介电质130的材质仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择介电质130的材质。

然后，如图7所绘示，形成晶体管阵列140于芯片150与介电质130上，其中晶体管阵列140与芯片150电性连接。

在一些实施方式中，形成晶体管阵列140的细部制程为依序形成第一电极层、第一图案化介电层、图案化半导体主动层、第二图案化介电层与第二电极层。形成第一电极层、第一图案化介电层、图案化半导体主动层、第二图案化介电层与第二电极层的细部制程类似于前述，故不再赘述。

最后，分离承载基板110(见图6)及板状结构180，并形成显示面板结构100。

具体而言，承载基板110可为藉由雷射剥离而移除。应了解到，以上所举的承载基板110的移除方法仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择承载基板110的移除方法。

前述的制造方法与图1至图4的制造方法类似，因此可以产生类似的功效，可降低显示面板结构100在周边边框区域电路配置空间的需求。

进一步来说，在本实施方式中，因为芯片150为嵌设于板状结构180中，而非设置于板状结构180的一侧，因此将能更进一步地减少整体结构的厚度。

图8至图10绘示依照本发明又一实施方式的显示面板结构100的制程各步骤的剖面图。如图8所绘示，形成晶体管阵列140于阵列基板160上。

在一些实施方式中，形成晶体管阵列140的细部制程为依序形成第一电极层、第一图案化介电层、图案化半导体主动层、第二图案化介电层与第二电极层。形成第一电极层、第一图案化介电层、图案化半导体主动层、第二图案化介电层与第二电极层的细部制程类似于前述，故不再赘述。

在本实施方式中，晶体管阵列140包含金属电极141与薄膜晶体管143。应了解到，以上所举的晶体管阵列140的具体实施方式仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择晶体管阵列140的具体实施方式。

接着，如图9所绘示，放置至少一芯片150于阵列基板160上，其中芯片150电性连接晶体管阵列140。具体而言，金属电极141电性连接芯片150与薄膜晶体管143。

然后，如图10所绘示，设置对向基板170于晶体管阵列140、芯片150以及阵列基板160上方，其中对向基板170具有凹槽171，用以容置芯片150。

在一些实施方式中，对向基板170包含玻璃基板、彩色滤光片以及黑色矩阵。彩色滤光片与黑色矩阵设置于玻璃基板上。彩色滤光片与黑色矩阵为交错设置。

藉由前述的制造方法，将能形成芯片150与晶体管阵列140于阵列基板160的同一侧，且芯片150将相邻于晶体管阵列140。于是，显示面板结构100将能符合无边框显示器的设计需求而不需额外在边框区设置线路。

进一步来说，前述的制造方法不需要对于阵列基板160进行钻孔制程，亦不需要进行电镀制程与接合(Bonding)制程，因此将能有效降低制程的难度，并进一步制造成本。

如图4所绘示，本发明再一实施方式提供一种显示面板结构100，包含介电质130、至少一导电通孔片120、晶体管阵列140以及至少一芯片150。导电通孔片120嵌设于介电质130中。晶体管阵列140设置于导电通孔片120的一侧，其中晶体管阵列140电性连接导电通孔片120。芯片150设置于导电通孔片120相对于晶体管阵列140的一侧，芯片150透过导电通孔片120电性耦接晶体管阵列140。

具体而言，介电质130的材质可为聚酰亚胺，因此介电质130具有可挠性。应了解到，以上所举的介电质130的材质仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择介电质130的材质。

具体而言，导电通孔片120更可包含半导体基板121与多个导电通孔123。导电通孔123设置于半导体基板121中，其中导电通孔123电性连接晶体管阵列140与芯片150。

具体而言，半导体基板121的材质可为硅。应了解到，以上所举的半导体基板121的材质仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择半导体基板121的材质。

具体而言，晶体管阵列140可包含金属电极141与薄膜晶体管(Thin-Film Transistor，TFT)143。金属电极141电性连接导电通孔片120的导电通孔123与薄膜晶体管143。

具体而言，芯片150可为驱动集成电路。应了解到，以上所举的芯片150的具体实施方式仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择芯片150的具体实施方式。

如图7所绘示，本发明再一实施方式提供一种显示面板结构100，包含介电质130、至少一芯片150以及晶体管阵列140。芯片150嵌设于介电质130中，其中芯片150具有相对的第一面151与第二面153，第一面151与第二面153皆裸露于介电质130。晶体管阵列140设置于介电质130与芯片150的第一面151上，其中晶体管阵列140电性连接芯片150。

具体而言，介电质130的材质可为聚酰亚胺，因此介电质130具有可挠性。应了解到，以上所举的介电质130的材质仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择介电质130的材质。

具体而言，晶体管阵列140可包含金属电极141与薄膜晶体管143。金属电极141电性连接芯片150与薄膜晶体管143。

具体而言，芯片150可为未封装的芯片，且芯片150可为驱动集成电路。应了解到，以上所举的芯片150的具体实施方式仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择芯片150的具体实施方式。

具体而言，芯片150的厚度可约等于介电质130的厚度。因为芯片150可为未封装的芯片，因此芯片150的整体尺寸可以较小，同时因为芯片150的厚度约等于介电质130的厚度，因此显示面板结构100的整体尺寸将能有效减少。

如图10所绘示，本发明再一实施方式提供一种显示面板结构100，包含阵列基板160、晶体管阵列140、至少一芯片150以及对向基板170。晶体管阵列140设置于阵列基板160上。芯片150设置于阵列基板160上，其中芯片150电性连接晶体管阵列140。对向基板170设置于晶体管阵列140、芯片150以及阵列基板160上方，其中对向基板170具有凹槽171，用以容置芯片150。

具体而言，晶体管阵列140可包含金属电极141与薄膜晶体管143。金属电极141电性连接芯片150与薄膜晶体管143。

具体而言，芯片150可为驱动集成电路。应了解到，以上所举的芯片150的具体实施方式仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择芯片150的具体实施方式。

具体而言，显示面板结构100更可包含多个间隙物199。间隙物199设置于阵列基板160与对向基板170之间，间隙物199用以分隔阵列基板160与对向基板170。

具体而言，阵列基板160与对向基板170之间的距离可为约3.5μm，芯片150的厚度可为约300μm。应了解到，以上所举的芯片150、阵列基板160与对向基板170的具体实施方式仅为例示，并非用以限制本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者，应视实际需要，弹性选择芯片150、阵列基板160与对向基板170的具体实施方式。

前述实施方式中的显示面板结构100皆可适用于大尺寸的面板(面板的尺寸可以大于或等于65吋)，以下将介绍显示面板结构100为大尺寸的面板的情况。

图11绘示依照本发明一些实施方式的显示面板结构100的上视图。图12绘示图11的局部M的上视图。如图11与图12所绘示，显示面板结构100包含多个画素群组191、多个闸极驱动电路192、多个数据驱动电路193。每个画素群组191包含多个画素(未绘示)。芯片150的数量为多个，芯片150以阵列的排列方式设置于板状结构180的一侧或板状结构180中，具体可以参考上述各实施例芯片150的设置方式。每个芯片150、每个闸极驱动电路192以及每个数据驱动电路193分别对应于每个画素群组191。闸极驱动电路192用以提供画素脉波以致能更新画素群组191的画素。数据驱动电路193用以在更新画素群组191的画素时提供画素相对应的画素数据。此外，闸极驱动电路192以及数据驱动电路193也可以整合于芯片150之中，并且根据上述各实施例所揭示的实施方式设置。

换句话说，显示面板结构100以区域驱动的方式分别驱动各个画素群组191，藉此驱动显示面板结构100的所有画素。藉由区域驱动的方式，将可有效降低RC负载(Resistor–Capacitor Loading)，进而避免大尺寸的面板中可能有的不易充电的问题。

具体而言，每一芯片150还更可包含无线传输模组(未绘示)，用以传送与接收显示面板的中央控制模组(未绘示)的信号。于是，因为显示面板的中央控制模组可以藉由无线传输模组控制每个芯片150，因此将可使不同画素群组191的画素所接收到的数据同步。

图11与图12所绘示的显示面板结构100可以分别对应于图4、图7与图10的显示面板结构100，以下将分别介绍。

首先介绍图4的显示面板结构100对应于图11与图12的显示面板结构100的情况。如图4、图11与图12所绘示，导电通孔片120的数量为多个，导电通孔片120以阵列的排列方式嵌设于介电质130中，芯片150则分别对应设置于导电通孔片120。

晶体管阵列140更包含闸极驱动电路192与数据驱动电路193。显示面板结构100更包含黑色矩阵190。黑色矩阵190设置于介电质130、导电通孔片120、晶体管阵列140上或上方，其中黑色矩阵190在板状结构180上的正投影与芯片150在板状结构180上的正投影至少部份重叠，黑色矩阵190在板状结构180上的正投影与闸极驱动电路192在板状结构180上的正投影至少部份重叠，黑色矩阵190在板状结构180上的正投影与数据驱动电路193在板状结构180上的正投影至少部份重叠。

接下来介绍图7的显示面板结构100对应于图11与图12的显示面板结构100的情况。如图7、图11与图12所绘示，闸极驱动电路192与数据驱动电路193为晶体管阵列140的一部份。显示面板结构100更包含黑色矩阵190。黑色矩阵190设置于介电质130、芯片150、晶体管阵列140上或上方，其中黑色矩阵190在板状结构180上的正投影与芯片150在板状结构180上的正投影至少部份重叠，黑色矩阵190在板状结构180上的正投影与闸极驱动电路192在板状结构180上的正投影至少部份重叠，黑色矩阵190在板状结构180上的正投影与数据驱动电路193在板状结构180上的正投影至少部份重叠。

最后介绍图10的显示面板结构100对应于图11与图12的显示面板结构100的情况。如图10、图11与图12所绘示，阵列基板160为板状结构180。闸极驱动电路192与数据驱动电路193为晶体管阵列140的一部份。显示面板结构100更包含黑色矩阵190。黑色矩阵190设置于板状结构180、芯片150、晶体管阵列140上或上方，其中黑色矩阵190在板状结构180上的正投影与芯片150在板状结构180上的正投影至少部份重叠，黑色矩阵190在板状结构180上的正投影与闸极驱动电路192在板状结构180上的正投影至少部份重叠，黑色矩阵190在板状结构180上的正投影与数据驱动电路193在板状结构180上的正投影至少部份重叠。

本发明上述实施方式提供不同的显示面板结构100，使晶体管阵列140可以直接电性连接芯片150，于是可降低显示面板结构100在周边边框区域电路配置空间的需求。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。