1.一种侧墙回刻工艺，其特征在于，包括：
步骤S1，提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个凹槽结构；
步骤S2，在所述凹槽结构的底部和侧壁依次沉积第一氧化层、中间氮化层、第二氧化层，以形成ONO侧墙；
步骤S3，以所述中间氮化层为阻挡层，刻蚀去除位于所述凹槽结构底部的所述第二氧化层；
步骤S4，去除位于所述凹槽结构侧壁的所述第二氧化层；
步骤S5，在所述凹槽结构中沉积阻挡层覆盖于位于所述凹槽结构侧壁的所述中间氮化层表面；
步骤S6，刻蚀以在位于所述凹槽结构底部的所述中间氮化层和所述第一氧化层中形成开口，使刻蚀后剩余的所述中间氮化层和所述第一氧化层形成回刻后的侧墙。
2.如权利要求1所述的侧墙回刻工艺，其特征在于，在所述步骤S1中，所述半导体衬底上形成有多个器件，每两个器件之间形成所述凹槽结构。
3.如权利要求1所述的侧墙回刻工艺，其特征在于，在所述步骤S2中，所述第一氧化层和所述第二氧化层的材料为氧化硅，所述中间氮化层的材料为氮化硅。
4.如权利要求1所述的侧墙回刻工艺，其特征在于，在所述步骤S3中，采用干法刻蚀去除位于所述凹槽结构底部的所述第二氧化层。
5.如权利要求1所述的侧墙回刻工艺，其特征在于，在所述步骤S3和所述步骤S4之间，还包括：
步骤S31，对所述凹槽结构的底部进行源漏注入并退火。
6.如权利要求1所述的侧墙回刻工艺，其特征在于，在所述步骤S4中，采用湿法刻蚀去除位于所述凹槽结构侧壁的所述第二氧化层。
7.如权利要求6所述的侧墙回刻工艺，其特征在于，采用氢氟酸进行所述湿法刻蚀。
8.如权利要求1所述的侧墙回刻工艺，其特征在于，在所述步骤S5中，所述阻挡层为硅化阻挡层。
9.如权利要求8所述的侧墙回刻工艺，其特征在于，在所述步骤S6中，采用SAB工艺刻蚀位于所述凹槽结构底部的所述中间氮化层和所述第一氧化层。
10.如权利要求1所述的侧墙回刻工艺，其特征在于，在所述步骤S6之后，还包括：
去除覆盖于位于所述凹槽结构侧壁的所述中间氮化层表面的所述阻挡层。