技术总结
本发明涉及半导体设计及制造技术领域，尤其涉及一种侧墙回刻工艺，包括步骤S1，提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个凹槽结构；步骤S2，在所述凹槽结构的底部和侧壁依次沉积第一氧化层、中间氮化层、第二氧化层，以形成ONO侧墙；步骤S3，以所述中间氮化层为阻挡层，刻蚀去除位于所述凹槽结构底部的所述第二氧化层；步骤S4，去除位于所述凹槽结构侧壁的所述第二氧化层；步骤S5，在所述凹槽结构中沉积阻挡层覆盖位于所述凹槽结构侧壁的所述中间氮化层；步骤S6，刻蚀以在位于所述凹槽结构底部的所述中间氮化层和所述第一氧化层中形成开口，以使得刻蚀后剩余的所述中间氮化层和所述第一氧化层形成回刻后的侧墙。
技术研发人员：刘杰;周俊
受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司
文档号码：201611208125
技术研发日：2016.12.23
技术公布日：2017.03.22