1.一种甲胺铅碘/可调带隙非晶硅锗四终端叠层薄膜电池组装技术，其制备步骤如下：1、以ITO玻璃作为窗口层进行部分刻蚀；2、制备空穴传输层；3、制备甲胺铅碘层薄膜；4、制备电子传输层；5在电子传输层上制备金属电极修饰层；6、在电极修饰层上制备金属电极；7将制备好的甲胺铅碘子电池与可调带隙p-i-n型非晶硅锗子电池进行组装，从而获得叠层电池。
2.如权利要求1一种具有甲胺铅碘/可调带隙非晶硅锗四终端叠层薄膜电池组装技术，其制备方法如下：
(1)将ITO玻璃切成16.5mm宽的长条，紧接着沿玻璃条长边贴上宽为10mm的透明胶带，然后用锌粉以及盐酸与水体积比为1:5的混合溶液对玻璃条上未粘胶条部分刻蚀15分钟，用稀盐酸清洗剩下的锌粉，将刻蚀完成的ITO玻璃切成16.5*17.5mm大小的玻璃片，先用碱液超声清洗30~60min，再用体积比为1:1的无水乙醇与水的混合溶液超声清洗30min，清洗完毕放入干燥箱内烘干备用。
3.(2)将匀胶机设为转速5000rpm、加速度3500rpm/min的工作模式，将PEDOT:PSS均匀旋涂在刻蚀好的ITO玻璃表面，然后置于加热板上135℃退火10~15min。
4.(3)将碘化铅溶于N,N-二甲基甲酰胺溶剂中，然后置于磁力搅拌器上70℃加热搅拌12h。
5.(4)在上述(2)的条件下，将退火后的基片放入手套箱内，然后置于匀胶机上以4000rpm均匀旋涂碘化铅与溴化铅的混合前驱体溶液，重启匀胶机在相同的转速下滴加一滴一定浓度的碘甲胺溶液，最后将涂好的基片放置到加热板上100℃退火10min。
6.(5)在上述(4)的条件下，旋涂浓度为15-20mg/ml的PCBM的氯苯溶液，最后旋涂BCP（浴铜灵）的乙醇溶液，将制备好的样品取出，用真空热蒸发镀膜仪蒸镀金属电极，其中电极厚度为10—20nm。
7.(6)采用RF-PECVD（射频等离子体增强化学气相沉积）在清洗好的基片上依次PECVD等薄膜生长技术一次沉积生长上p、i、n三种非晶硅锗薄膜，其中沉积本征非晶硅锗层时选取不同的硅烷气体浓度，以调节非晶硅锗合金薄膜带隙。
8.(7)将之前制备完成的甲胺铅碘电池和非晶硅锗电池进行组装，形成完整的叠层电池。
9.如权利要求1所述的一种具有甲胺铅碘/可调带隙非晶硅锗四终端叠层薄膜电池组装方法，制备了四终端叠层电池，且拥有良好的光电性能。