一种半导体器件及其制备方法、显示装置与流程

文档序号:14862761发布日期:2018-07-04 08:38阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体器件及其制备方法、显示装置,通过在第二金属层与有机光阻层之间设置一层缓冲层,该缓冲层与第二金属层与有机光阻层均有较好的附着力,从而解决了第二金属层与有机光阻层之间附着力较差的问题,进而避免了第二金属层与有机光阻层之间发生剥离的现象;同时该缓冲层与第二金属层可采用同一道光罩形成,从而减少了成本与工艺的复杂程度。

技术研发人员:储培鸣;杨靖哲;商金栋;林信安
受保护的技术使用者:上海和辉光电有限公司
技术研发日:2016.12.26
技术公布日:2018.07.03
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