1.一种n型III族氮化物半导体材料，其特征在于，所述n型III族氮化物半导体材料中掺杂有第一掺杂源X和第二掺杂源Y，所述第一掺杂源X和第二掺杂源Y选自第IV族和第VI族中的元素；
所述第一掺杂源X的含量大于10％S，所述第二掺杂元Y的含量大于10％S，且所述第一掺杂源X和第二掺杂源Y的含量之和小于等于100％S，所述S为总的n型元素掺杂量，所述n型III族氮化物半导体材料的厚度不小于15μm。
2.根据权利要求1所述的n型III族氮化物半导体材料，其特征在于，所述第一掺杂源X和第二掺杂源Y选自：Si、Ge、Sn、O、S。
3.根据权利要求2所述的n型III族氮化物半导体材料，其特征在于，所述第一掺杂源X为Si，所述第二掺杂源Y为Ge。
4.根据权利要求3所述的n型III族氮化物半导体材料，其特征在于，所述Si:Ge＝(1:3)～(3:1)。
5.根据权利要求1所述的n型III族氮化物半导体材料，其特征在于，所述III族氮化物半导体材料为GaN、AlN、InN、AlGaN、GaInN、AlInN和AlGaInN中的一种。
6.一种n型III族氮化物半导体材料，其特征在于，所述n型III族氮化物半导体材料中掺杂有第一掺杂源X、第二掺杂源Y、……、第N掺杂源Z，所述第一掺杂源X、第二掺杂源Y、……、第N掺杂源Z选自第IV族和第VI族中的元素，所述N＞2；
所述第一掺杂源X的含量大于10％S，所述第二掺杂元Y的含量大于10％S、……、所述第N掺杂源Z的含量大于10％S，且所述第一掺杂源X、第二掺杂源Y、……、第N掺杂源Z的含量之和小于等于100％S，所述S为总掺杂量，所述n型III族氮化物半导体材料的厚度不小于15μm。
7.一种n型III族氮化物半导体材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
S1、向反应室内通入反应气，与反应源反应；
S2、向反应室内的第一掺杂源X中通入反应气，得到第一掺杂气体；
S3、向反应室内的第二掺杂源Y中通入反应气，得到第二掺杂气体；
S4、第一掺杂气体、第二掺杂气体以及反应气与反应源的产物与NH3反应，在衬底区域得到X、Y共掺杂的n型III族氮化物半导体材料。