1.一种IBC结构太阳能电池，其特征在于，包括从上到下依次设置的正面钝化层、纳米黑硅层、硅基衬底、背面钝化层、所述硅基衬底底部的发射极和与所述发射极通过设置在所述背面钝化层的通孔连接的金属电极。
2.如权利要求1所述的IBC结构太阳能电池，其特征在于，所述硅基衬底为单晶硅或多晶硅。
3.如权利要求2所述的IBC结构太阳能电池，其特征在于，所述硅基衬底为n型单晶硅或p型单晶硅。
4.如权利要求3所述的IBC结构太阳能电池，其特征在于，所述硅基衬底的电阻率为1～10ohm·cm，厚度为5μm～500μm。
5.如权利要求1所述的IBC结构太阳能电池，其特征在于，所述纳米黑硅层的表面反射率为1％～6％。
6.如权利要求5所述的IBC结构太阳能电池，其特征在于，所述纳米黑硅层的厚度为50nm～1000nm。
7.如权利要求1所述的IBC结构太阳能电池，其特征在于，所述正面钝化层或所述背面钝化层为Al2O3钝化层、SiO2钝化层、SiNx钝化层、Al2O3+SiNx钝化层、SiO2+SiNx钝化层或Al2O3+SiO2+SiNx钝化层。
8.如权利要求7所述的IBC结构太阳能电池，其特征在于，所述正面钝化层的厚度为10nm～80nm，所述背面钝化层的厚度为10nm～120nm。
9.如权利要求1所述的IBC结构太阳能电池，其特征在于，所述金属电极为铝电极、铜电极、银电极、金电极或铂电极。
10.如权利要求9所述的IBC结构太阳能电池，其特征在于，所述金属电极与所述硅基衬底的面积比为1％～10％。