技术总结
本实用新型公开了一种IBC结构太阳能电池，包括从上到下依次设置的正面钝化层、纳米黑硅层、硅基衬底、背面钝化层、所述硅基衬底底部的发射极和与所述发射极通过设置在所述背面钝化层的通孔连接的金属电极。所述IBC结构太阳能电池，通过在正面进行纳米黑硅层的制备，得到了极低的减反射层，提高了光的利用率，与此同时，结合IBC电池结构的特点对电池的表面上制备钝化层进行钝化，极大地降低了纳米黑硅电池的复合速率，提高了少子的寿命，最终提高了电池片的效率。
技术研发人员：刘长明;金井升;蒋方丹;金浩
受保护的技术使用者：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
文档号码：201621042042
技术研发日：2016.09.06
技术公布日：2017.02.22