1.一种双面晶硅太阳电池，在硅衬底的正面依次设置正面绒面结构、正面pn发射结、正面钝化减反介质层和正面电极，在硅衬底的背面依次设置背面平面结构、背面钝化减反介质层以及背面电极，其特征在于：所述背面平面结构为直接形成于硅衬底上的、经抛光工艺形成的平面的硅衬底。
2.根据权利要求1所述的双面晶硅太阳电池，其特征在于：所述的背面平面结构表面没有掺杂层。
3.根据权利要求1所述的双面晶硅太阳电池，其特征在于：所述正面钝化减反介质层和背面钝化减反介质层分别为由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅、微晶硅、氧化铟锡或氧化钛组成的单层膜。
4.根据权利要求1所述的双面晶硅太阳电池，其特征在于：所述正面钝化减反介质层的厚度为70-100nm，背面钝化减反介质层的厚度为70-150nm。
5.根据权利要求1所述的双面晶硅太阳电池，其特征在于：所述正面电极和背面电极的材质分别为银、铝、铜、镍、钛、锡、铅、镉、金或锌的一种。