1.一种沿面触发结构，其特征在于，包括阴极（1）、触发极（2）、触发绝缘块（3）、触发极馈电杆（5）及触发电源（6），所述触发绝缘块（3）水平设置且其上端面为平面，所述触发极（2）为圆环状，触发极（2）水平设置于触发绝缘块（3）上端面；所述阴极（1）穿过触发绝缘块（3）且其上端的端头部位设于触发极（2）中央，阴极（1）下端与触发电源（6）负极连接；所述触发极馈电杆（5）穿过触发绝缘块（3）且其上端与触发极（2）连接，触发极馈电杆（5）下端与触发电源（6）正极连接；所述触发绝缘块（3）上端面位于阴极（1）与触发极（2）之间的区域涂覆有金属薄膜（4）。
2.根据权利要求1所述的一种沿面触发结构，其特征在于，所述金属薄膜（4）的厚度为100nm～300nm。
3.根据权利要求1所述的一种沿面触发结构，其特征在于，所述阴极（1）与触发极（2）之间的间距为0.1 mm~0.3 mm。
4.根据权利要求1所述的一种沿面触发结构，其特征在于，所述阴极（1）与金属薄膜（4）的材料相同。
5.真空弧离子源，其特征在于，包括放电电源（7）、阳极（9）及权利要求1～4中任意一项所述的沿面触发结构，所述放电电源（7）的正极与阳极（9）连接，其负极与阴极（1）连接。
6.根据权利要求5所述的真空弧离子源，其特征在于，所述阳极（9）为圆筒状，所述触发绝缘块（3）为圆柱状，触发绝缘块（3）的外径与阳极（9）的内径匹配，触发绝缘块（3）嵌入阳极（9）内且与阳极（9）形成过盈配合。
7.根据权利要求6所述的真空弧离子源，其特征在于，还包括阳极绝缘块（8），所述触发极（2）与触发绝缘块（3）同轴设置，且触发极（2）的外径小于触发绝缘块（3）的直径；所述阳极绝缘块（8）填充触发极（2）与阳极（9）之间的区域。
8.根据权利要求7所述的真空弧离子源，其特征在于，所述阳极（9）内壁构成有位于触发极（2）上方的第一环形限位平台，所述第一环形限位平台内径小于触发极（2）外径，所述阳极绝缘块（8）还填充触发极（2）与第一环形限位平台之间的区域。
9.根据权利要求5～8中任意一项所述的真空弧离子源，其特征在于，所述阴极（1）与阳极（9）接通的回路的通电时间不能落后阴极（1）与触发极（2）接通的回路通电时间超过0.3 μs。