碳化钨镀膜的钨制离子植入机结构及离子植入机的制作方法

本实用新型是关于一种碳化钨镀膜的钨制离子植入机结构及离子植入机，特别是一种利用碳化钨镀膜提高离子植入机使用寿命的结构。

背景技术：

现有的离子植入机的常因设计不佳，往往导致气体侵入在离子腔内产生一附着层(Coating)而导致电弧(Arcing)现象。

其中附着层产生的主因是为离子产生通入电弧室(Arc chamber)腔体内部的气体约有80%无法解离，且会扩散至来源室(Source chamber)内，而此距离电弧室的电子束(Beam)发射端最近的电极则会接触到未解离的气体，造成此位解离的气体附着在高压绝缘体表面而上产生附着层，使得绝缘的效果降低。

因此，如何保持离子植入机的使用寿命及耐用度等问题，以成为各方锁定研究的课题。由此可见，上述现有方式仍有诸多缺失，实非一良善的设计，而亟待加以改良。

技术实现要素：

本创作提供一种碳化钨镀膜的钨制离子植入机结构，包含一主体层及一碳化钨镀膜层，其中主体层为含钨金属的化合物或纯钨金属以及设在主体层之上的碳化钨镀膜层。

本创作提供一种具有碳化钨镀膜的钨制离子植入机结构的离子植入机，其中主要包含主机部以及离子腔。其中离子腔与主机部连接并接收主机部提供的电压，离子腔内保持真空且更进一步包含底板、四个隔板、四个侧板以及离子腔出口。其中底板与主机部连接，四个隔板底边与底板连接，各隔板的两侧边与另相邻的两隔板连接，各隔板的一侧则更设置一侧板，以及离子腔出口与各隔板的顶边连接。

本创作提供另一种具有碳化钨镀膜的钨制离子植入机结构的离子植入机，其中主要包含主机部以及离子腔。其中离子腔与主机部连接并接收主机部提供的电压，离子腔内保持真空且更进一步包含底板、四个隔板、四个侧板、第一离子腔出口以及第二离子腔出口。其中底板与主机部连接，四个隔板底边与底板连接，各隔板的两侧边与另相邻的两隔板连接，各隔板的一侧则更设置一侧板，以及第一离子腔出口与各隔板的顶边连接，而第二离子腔则设在第一离子腔出口上方。

本案相较于现有技术而言，除了主体层含钨金属的化合物或纯钨金属的硬度佳外，其表面更具有一碳化钨镀膜层，特别适合应用在离子植入机内具有高度离子轰击部位的组件，并在含有氟性化合物气体或含氧化物气体的高温工作环境(500-900℃)下，如离子腔、离子腔出口等，其使用寿命为现有技术现有技术的2-5倍。

有关本实用新型的特征、实作与功效，兹配合图式作最佳实施例详细说明如下。

附图说明

图1是本创作一实施例的碳化钨镀膜的钨制离子植入机结构的剖面示意图。

图2是本创作一实施例的离子植入机结构的示意图。

图3是本创作另一实施例的离子植入机结构的示意图。

主要组件符号说明：

100 主体层

110 碳化钨镀膜层

200 离子植入机

210 主机部

220 离子腔

221 底板

222 隔板

223 侧板

230 离子腔出口

300 离子植入机

310 主机部

320 离子腔

321 底板

322 隔板

323 侧板

330 第一离子腔出口

340 第二离子腔出口。

具体实施方式

为利审查老师了解本创作的技术特征、内容与优点及其所能达到的功效，兹将本创作配合附图，并以实施例的表达形式详细说明如下，而其中所使用的图式，其主旨仅为示意及辅助说明书之用，未必为本创作实施后的真实比例与精准配置，故不应就所附的图式的比例与配置关系解读、局限本创作在实际实施上的权利范围，合先叙明。

请参阅图1，为本创作一实施例的碳化钨镀膜的钨制离子植入机结构的示意图，如图所示，包含一主体层100及一碳化钨镀膜层110，其中主体层100为含钨金属的化合物或纯钨金属，以及设在主体层100的上外表面的碳化钨镀膜层110，具有抵抗含有氟性化合物气体或含氧化物气体之腐蚀的特性。

请参阅图2，为本创作一实施例的离子植入机结构的示意图，如图所示，离子植入机200主要包含主机部210以及离子腔220。其中离子腔220与主机部210连接并接收主机部210提供的电压，离子腔220内保持真空且更进一步包含底板221、四个隔板222、四个侧板223以及离子腔出口230。其中底板221与主机部210连接，四个隔板222底边与底板221连接，各隔板222的两侧边与另相邻的两隔板222连接，各隔板222的一侧则更设置一侧板223，以及离子腔出口230与各隔板222的顶边连接，其中离子腔220的各组件的其中之一或二者以上可做为一主体层100，并藉由碳化钨镀膜层110而具有高度抗离子轰击的特性，使用寿命为现有技术现有技术的2-5倍。

请参阅图3，为本创作另一实施例的离子植入机结构的示意图，如图所示，离子植入机300主要包含主机部310以及离子腔320。其中离子腔320与主机部310连接并接收主机部310提供的电压，离子腔320内保持真空且更进一步包含底板321、四个隔板322、四个侧板323、第一离子腔出口330以及第二离子腔出口340。其中底板321与主机部310连接，四个隔板322底边与底板321连接，各隔板322的两侧边与另相邻的两隔板322连接，各隔板322的一侧则更设置一侧板323，以及第一离子腔出口330与各隔板322的顶边连接，在第一离子腔出口330上方更进一步设置第二离子腔出口340，其中离子腔320的各组件的其中之一或二者以上可做为一主体层100，并藉由碳化钨镀膜层110而具有高度抗离子轰击的特性，使用寿命为现有技术现有技术的2-5倍。

虽然本实用新型的实施例揭露如上所述，然并非用以限定本实用新型，任何熟习相关技艺者，在不脱离本实用新型的精神和范围内，举凡依本实用新型申请范围所述的形状、构造、特征及数量当可做些许的变更，因此本实用新型的专利保护范围须视本说明书所附的权利要求范围所界定者为准。