1.一种双端驱动式高频次基板结构，具有一次基板本体，其特征在于：
该次基板本体的正面设置有一第一讯号垫区以及一第二讯号垫区，该第一讯号垫区及该第二讯号垫区相互对称由该次基板本体的两侧朝中间的方向延伸，并于该第一讯号垫区延伸方向的末端及该第二讯号垫区延伸方向的末端间相当靠近但保持一间隔，该第一讯号垫区设置半导体晶片，并于该第二讯号垫区上设置一跳线连接至该半导体晶片的电极，于该第一讯号垫区及该第二讯号垫区的两侧分别具有共面波导的接地垫区，并于该次基板本体的内层或底侧具有一接地层，经由该接地垫区上的一或多个过孔穿过该次基板本体以电性连接该接地垫区及该接地层。
2.一种双端驱动式高频次基板结构，具有一次基板本体，其特征在于：该次基板本体的正面设置有一第一讯号垫区以及一第二讯号垫区，该第一讯号垫区及该第二讯号垫区相互对称由该次基板本体的两侧朝中间的方向延伸，并于该第一讯号垫区延伸方向的末端及该第二讯号垫区延伸方向的末端间相当靠近但保持一间隔，该第一讯号垫区用以设置半导体晶片，并于该第二讯号垫区上设置一跳线连接至该半导体晶片的电极，于该第一讯号垫区及该第二讯号垫区的两侧分别具有共面波导的接地垫区，该次基板本体的内层或底侧具有一接地层或结合于一接地层上。
3.如权利要求1或2所述的双端驱动式高频次基板结构，其特征在于，该次基板本体为陶瓷散热基板。
4.如权利要求3所述的双端驱动式高频次基板结构，其特征在于，该次基板本体为氮化铝或氧化铝制成。
5.如权利要求1或2所述的双端驱动式高频次基板结构，其特征在于，该跳线为金线缎带或金线。
6.一种双端驱动式高频传输结构，包含有：
一主基板；
一次基板，设置于该主基板上，该次基板具有一次基板本体，其特征在于：
该次基板本体的正面设置有一第一讯号垫区以及一第二讯号垫区，该第一讯号垫区及该第二讯号垫区相互对称由该次基板本体的两侧朝中间的方向延伸，并于该第一讯号垫区延伸方向的末端及该第二讯号垫区延伸方向的末端间相当靠近但保持一间隔，该第一讯号垫区设置半导体晶片，并于该第二讯号垫区上设置一跳线连接至该半导体晶片的电极，于该第一讯号垫区及该第二讯号垫区的两侧分别具有共面波导的第一接地垫区，并于该次基板本体的内层或底侧具有一第一接地层，经由该第一接地垫区上的一或多个过孔穿过该次基板本体以电性连接该第一接地垫区及该第一接地层；以及
一电路板，设置于该主基板上，该电路板的二侧具有一第一金属垫区以及一第二金属垫区，于该第一金属垫区及该第二金属垫区的两侧分别具有共面波导的第二接地垫区，并于该电路板的内层或底侧具有一第二接地层，经由该第二接地垫区上的一或多个过孔穿过该电路板以电性连接该第二接地垫区及该第二接地层，该第一金属垫区透过电性连接手段连接至该第一讯号垫区，该第二金属垫区透过电性连接手段连接至该第二讯号垫区。
7.一种双端驱动式高频传输结构，包含有：
一主基板，其上具有一接地层；
一次基板，设置于该主基板的接地层上，该次基板具有一次基板本体，其特征在于：该次基板本体的正面设置有一第一讯号垫区以及一第二讯号垫区，该第一讯号垫区及该第二讯号垫区相互对称由该次基板本体的两侧朝中间的方向延伸，并于该第一讯号垫区延伸方向的末端及该第二讯号垫区延伸方向的末端间相当靠近但保持一间隔，该第一讯号垫区用以设置半导体晶片，并于该第二讯号垫区上设置一跳线连接至该半导体晶片的电极，于该第一讯号垫区及该第二讯号垫区的两侧分别具有共面波导的第一接地垫区；以及
一电路板，设置于该主基板上，该电路板的二侧具有一第一金属垫区以及一第二金属垫区，于该第一金属垫区及该第二金属垫区的两侧分别具有共面波导的第二接地垫区，并于该电路板的内层或底侧具有一第二接地层，经由该第二接地垫区上的一或多个过孔穿过该电路板以电性连接该第二接地垫区及该第二接地层，该第一金属垫区透过电性连接手段连接至该第一讯号垫区，该第二金属垫区透过电性连接手段连接至该第二讯号垫区，且该第二接地层电性连接至该主基板上的该接地层。
8.如权利要求6或7所述的双端驱动式高频传输结构，其特征在于，该第一接地垫区透过电性连接手段连接至该第二接地垫区。
9.如权利要求6或7所述的双端驱动式高频传输结构，其特征在于，该次基板本体为陶瓷散热基板。
10.如权利要求9所述的双端驱动式高频传输结构，其特征在于，该陶瓷散热基板为氮化铝或氧化铝制成。
11.如权利要求6或7所述的双端驱动式高频传输结构，其特征在于，该电性连接手段为连接至二端垫区的跳线。
12.如权利要求6或7所述的双端驱动式高频传输结构，其特征在于，该第一金属垫区及该第二金属垫区分别连接至差动放大器的二输出端。
13.如权利要求6或7所述的双端驱动式高频传输结构，其特征在于，该跳线为金线缎带或金线。
14.如权利要求6或7所述的双端驱动式高频传输结构，其特征在于，该电路板为硬式印刷电路板、软式印刷电路板或陶瓷电路板。
15.如权利要求14所述的双端驱动式高频传输结构，其特征在于，该陶瓷电路板为氮化铝或氧化铝制成。
16.一种双端驱动式高频传输结构，包含有：
一基座，包含有一座本体、以及二穿过该座本体的电极脚位，该电极脚位分别与该座本体之间具有一绝缘层；以及
一次基板，垂直设置于该座本体上，该次基板具有一次基板本体，其特征在于：该次基板本体于垂直方向上的一侧设置有一第一讯号垫区以及一第二讯号垫区，该第一讯号垫区及该第二讯号垫区分别与二该电极脚位电性连接，于该次基板本体垂直方向上的另一侧或该次基板本体的内层设置有一接地层，该第一讯号垫区及该第二讯号垫区相互对称由该次基板本体的两侧朝中间的方向延伸，并于该第一讯号垫区延伸方向的末端及该第二讯号垫区延伸方向的末端间相当靠近但保持一间隔，该第一讯号垫区用以设置半导体晶片，并于该第二讯号垫区上设置一跳线连接至该半导体晶片的电极，于该第一讯号垫区及该第二讯号垫区的两侧分别具有共面波导的接地垫区。
17.如权利要求16所述的双端驱动式高频传输结构，其特征在于，该基座上包含有一垂直于该座本体的芯柱，该芯柱于垂直方向上的一面具有一用以供该次基板本体一侧平面固定结合的结合平面。
18.如权利要求17所述的双端驱动式高频传输结构，其特征在于，该次基板包含有一设置于该次基板本体的侧边缘并电性连接两侧该接地垫区及该接地层的侧镀金层。
19.如权利要求17所述的双端驱动式高频传输结构，其特征在于，该接地垫区上具有一或多个过孔穿过该次基板本体以电性连接该接地垫区及该接地层。
20.如权利要求16所述的双端驱动式高频传输结构，其特征在于，该次基板包含有一设置于该次基板本体的侧边缘并电性连接两侧该接地垫区及该接地层的侧镀金层。
21.如权利要求16所述的双端驱动式高频传输结构，其特征在于，该接地垫区上具有一或多个过孔穿过该次基板本体以电性连接该接地垫区及该接地层。
22.一种双端驱动式高频传输结构，包含有：
一基座，包含有一座本体、二穿过该座本体的电极脚位、以及一垂直于该座本体的芯柱，该电极脚位分别与该座本体之间具有一绝缘层，该芯柱于垂直方向上的一面具有一具有导电效果的结合平面；以及
一次基板，垂直设置于该座本体上，该次基板具有一次基板本体，其特征在于：该次基板本体于垂直方向上的一侧设置有一第一讯号垫区以及一第二讯号垫区，该第一讯号垫区及该第二讯号垫区分别与二该电极脚位电性连接，于该次基板本体垂直方向上的另一侧结合于该芯柱的结合平面上，该第一讯号垫区及该第二讯号垫区相互对称由该次基板本体的两侧朝中间的方向延伸，并于该第一讯号垫区延伸方向的末端及该第二讯号垫区延伸方向的末端间相当靠近但保持一间隔，该第一讯号垫区用以设置半导体晶片，并于该第二讯号垫区上设置一跳线连接至该半导体晶片的电极，于该第一讯号垫区及该第二讯号垫区的两侧分别具有共面波导的接地垫区。
23.如权利要求22所述的双端驱动式高频传输结构，其特征在于，该次基板包含有一设置于该次基板本体的侧边缘并电性连接两侧该接地垫区及该接地层的侧镀金层。
24.如权利要求22所述的双端驱动式高频传输结构，其特征在于，该接地垫区上具有一或多个过孔穿过该次基板本体以电性连接该接地垫区及该接地层。
25.如权利要求16至24中任一项所述的双端驱动式高频传输结构，其特征在于，该次基板本体为陶瓷散热基板。
26.如权利要求25所述的双端驱动式高频传输结构，其特征在于，该陶瓷散热基板为氮化铝或氧化铝制成。
27.如权利要求16至24中任一项所述的双端驱动式高频传输结构，其特征在于，该跳线为金线缎带或金线。