技术总结
本实用新型公开了一种芯片多面包封保护结构，采用可光刻干膜对半导体芯片第一表面进行包封，并通过真空填膜的方式对半导体芯片侧面进行包封，实现了对芯片第一表面及侧面的保护，与环氧塑封料包封相比：采用干膜的台阶覆盖性好，填充后几乎不产生气泡，无需进行多次填充工艺和抽真空工艺，因此，制程工艺简单，制程时间也相对缩短。采用干膜覆盖表面平整，仅需曝光、显影制程暴露出凸点，凸点高度的均一性好，同时避免了研磨工艺带来厂务废水特殊处理问题。采用干膜真空填膜的方式进行填充包封芯片侧面，填充料足，无分层、溢料、胶体翘曲等缺陷。
技术研发人员：于大全;杨力
受保护的技术使用者：华天科技（昆山）电子有限公司
文档号码：201621342233
技术研发日：2016.12.08
技术公布日：2017.06.30