芯片电阻器的制作方法

本实用新型涉及用于各种电子设备的由较低的电阻值的厚膜电阻体形成的芯片电阻器。

背景技术：

如图5所示，现有的这种芯片电阻器具备：绝缘基板1、被设置于该绝缘基板1的上表面的两端部的一对上表面电极2、被设置于绝缘基板1的上表面并且形成于一对上表面电极2之间的电阻体3、被设置为至少覆盖电阻体3的保护膜4、被设置于绝缘基板1的两端面使得与一对上表面电极2电连接的一对端面电极5、和形成于上表面电极2的一部分和一对端面电极5的表面的镀覆层6。此外，保护膜4由树脂构成，成为与绝缘基板1的宽度相同的宽度。

并且，如图6(a)所示，该芯片电阻器在具有多个作为分割用的狭缝的纵槽(纵分割部)7a和横槽(横分割部)7b并且划分出多个相当于1个芯片电阻器的芯片区域8的片状绝缘基板7，在规定位置形成一对上表面电极2和电阻体3之后，如图6(b)所示，将保护膜4形成为带状使得横跨多个横槽7b。然后，通过纵槽7a、横槽7b来进行分割，形成一对端面电极5、镀覆层6从而得到芯片电阻器。

另外，作为与本申请的实用新型有关的在先技术文献信息，例如已知专利文献1。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-60435号公报

技术实现要素：

-实用新型要解决的课题-

在上述的现有的芯片电阻器中，由于若电阻值变低则电阻体3的厚度变厚，因此为了保护电阻体3的边缘部分需要加厚保护膜4的厚度，在分割时保护膜4也分割，因此分割的部分的厚度变得非常厚，由此，可能在片状绝缘基板7的分割面产生毛刺，或者在规定的位置产生不能分割的部分，因此具有可能发生分割不良的课题。

本实用新型解决上述现有的课题，其目的在于，提供一种抑制分割不良的发生的芯片电阻器。

-解决课题的手段-

为了实现上述目的，本实用新型由下层的第1保护膜和上层的第2保护膜构成保护膜，第1保护膜设为与绝缘基板的宽度相同的宽度，第2保护膜不从绝缘基板露出，进一步地，第1保护膜的厚度比第2保护膜的厚度薄，并且使第2保护膜的长度比第1保护膜的长度长。

-发明效果-

本实用新型的芯片电阻器使分割片状绝缘基板时同时被分割(切断)的第1保护膜的厚度较薄，因此分割的部分的厚度变薄，由此，起到能够抑制分割不良的发生这一优良的效果。

附图说明

图1是本实用新型的一实施方式中的芯片电阻器的剖视图。

图2是该芯片电阻器的主要部分的俯视图。

图3是表示该芯片电阻器的制造方法的一部分的俯视图。

图4是表示该芯片电阻器的制造方法的一部分的俯视图。

图5是现有的芯片电阻器的剖视图。

图6是表示该芯片电阻器的制造方法的一部分的俯视图。

-符号说明-

11 绝缘基板

12 一对上表面电极

13 电阻体

14 保护膜

14a 第1保护膜

14b 第2保护膜

具体实施方式

以下，参照附图来对本实用新型的一实施方式中的芯片电阻器进行说明。

图1是本实用新型的一实施方式中的芯片电阻器的剖视图，图2是该芯片电阻器的主要部分的俯视图。

如图1、图2所示，本实用新型的一实施方式中的芯片电阻器构成为具备：绝缘基板11、设置于该绝缘基板11的上表面的两端部的一对上表面电极12、设置于所述绝缘基板11的上表面并且形成于所述一对上表面电极12之间的电阻体13、设置成至少覆盖所述电阻体13的保护膜14、设置于所述绝缘基板11的两端面使得与所述一对上表面电极12电连接的一对端面电极15、和形成于所述上表面电极12的一部分和所述一对端面电极15的表面的镀覆层16。

并且，所述保护膜14由下层的第1保护膜14a、和覆盖第1保护膜14a的上层的第2保护膜14b构成，所述第1保护膜14a设为与所述绝缘基板11的宽度相同的宽度，所述第2保护膜14b不从所述绝缘基板11露出，进一步地，所述第1保护膜14a的厚度比所述第2保护膜14b的厚度薄。

另外，在图2中，省略一对端面电极15、镀覆层16，并透视了第2保护膜14b。

在上述构成中，所述绝缘基板11由含有96％的Al₂O₃的氧化铝构成，其形状为矩形形状(俯视下为长方形)。

此外，所述一对上表面电极12被设置于绝缘基板11上表面的两端部，通过对由铜构成的厚膜材料进行印刷、烧制而形成。另外，也可以在一对上表面电极12各自的上面再设置上表面电极(未图示)。

进一步地，在绝缘基板11的上表面，在一对上表面电极12之间，通过对由铜镍、银钯或者氧化钌构成的厚膜材料进行印刷之后进行烧制，从而形成所述电阻体13。另外，也可以在电阻体13设置电阻值调整用的修整槽(以下，未图示)。

并且，所述保护膜14被设置为覆盖一对上表面电极12的一部分和电阻体13，由下层的第1保护膜14a和上层的第2保护膜14b构成。

下层的第1保护膜14a由玻璃或者环氧树脂形成，使得覆盖电阻体13的整体。此外，第1保护膜14a的宽度是与绝缘基板11的宽度相同的宽度，即，第1保护膜14a的两侧面从绝缘基板11的两侧面露出。

上层的第2保护膜14b由环氧树脂形成，使得覆盖下层的第1保护膜14a和一对上表面电极12的一部分。此外，第2保护膜14b的宽度比一对上表面电极12、电阻体13的宽度宽，且比第1保护膜14a的宽度窄。

因此，第2保护膜14b位于绝缘基板11的内侧，不从绝缘基板11露出。也就是说，第2保护膜14b位于与绝缘基板11的两侧面隔开一定的距离，使得不被切断。

通过该第2保护膜14b来决定一对上表面电极12间的距离，并确定最终的电阻值。

并且，第2保护膜14b的长度比第1保护膜14a的长度长，第2保护膜14b在长度方向覆盖第1保护膜14a整体。也就是说，在长度方向上，第2保护膜14b的两个端部比第1保护膜14a向外侧方向突出。另外，优选第2保护膜14b的长度为第1保护膜14a的长度的1.1～1.5倍。

由于第2保护膜14b的宽度比一对上表面电极12、电阻体13的宽度宽，并且第2保护膜14b的长度比第1保护膜14a的长度长，因此第2保护膜14b能够具有与绝缘基板11直接相接的位置，由此，第2保护膜14b的紧贴性提高。此外，其结果，位于其下层的第1保护膜14a的紧贴性也能够更加提高。

进一步地，第1保护膜14a的厚度比第2保护膜14b的厚度薄。此时，优选第1保护膜14a的厚度为第2保护膜14b的厚度的1/5～1/2。若第1保护膜14a的厚度比该厚度薄则不能得到本实用新型的效果，若比该厚度厚则分割性恶化。

这里，上述的宽度是指与一对上表面电极12间的电流流过的方向正交的方向的尺寸，长度是指一对上表面电极12间的电流流过的方向的尺寸。

此外，所述一对端面电极15被设置于绝缘基板11的两端面，通过对由Ag和树脂构成的材料进行印刷使得与从保护膜14露出的一对上表面电极12的上表面电连接而形成。另外，也可以通过对金属材料进行溅射来形成。

进一步地，在该一对端面电极15的表面形成由Ni镀覆层、Sn镀覆层构成的镀覆层16。此时，镀覆层16与保护膜14相接。另外，也可以在Ni镀覆层的下层存在Cu镀覆层。

接下来，参照图3、图4来对本实用新型的一实施方式中的芯片电阻器的制造方法进行说明。另外，为了使说明简单化，在图3、图4中，表示芯片电阻器形成为纵3列、横3列的片状的部件的俯视图。

首先，如图3(a)所示，准备具有多个作为分割用的狭缝的纵槽(纵分割部)21a和横槽(横分割部)21b并且划分出多个相当于一个芯片电阻器的芯片区域22的片状绝缘基板21。此外，该芯片区域22在纵向、横向上排列多个。并且，该片状绝缘基板21由含有96％的Al₂O₃的氧化铝构成。进一步地，相当于一个芯片电阻器的绝缘基板11的形状为矩形形状(俯视下为长方形)。另外，纵分割部21a、横分割部21b也可以不是分割用的狭缝而是切割线或划片的形成部分，在该情况下，纵分割部21a和横分割部21b相当于切割或划片的中心部，是通过切割或划片而被分割的位置。

接下来，如图3(b)所示，在片状的绝缘基板21的上表面，印刷并烧制铜系厚膜材料使得横跨纵槽21a来设置多个上表面电极12。

接下来，如图3(c)所示，在各个芯片区域22，通过印刷并烧制铜镍、银钯或者氧化钌中含有玻璃料的糊膏使得将上表面电极12之间电连接，来将厚度5μm～40μm的电阻体13平行于横槽21b而形成。另外，上表面电极12与电阻体13的形成顺序也可以相反。

此外，之后，也可以通过向电阻体13照射激光来形成修整槽，来调整电阻体13的电阻值。

接下来，如图4(a)所示，对玻璃或者环氧树脂糊膏进行丝网印刷来形成第1保护膜14a，使得至少上表面电极12的一部分露出并且覆盖电阻体13。

此时，第1保护膜14a设为带状使得位于遍及各芯片区域22的整个宽度，以横跨多个横槽21b，与纵向邻接的芯片区域22中的第1保护膜14a连续。此外，带状的第1保护膜14a与纵槽21a平行。

然后，在使用环氧树脂糊膏时，以200℃来使其固化，在使用玻璃时，以600℃来进行烧制。

接下来，如图4(b)所示，对环氧树脂糊膏进行丝网印刷来形成第2保护膜14b，使得覆盖下层的第1保护膜14a和一对上表面电极12的一部分。

此时，不横跨横槽21b或纵槽21a地、即与横槽21b隔开一定的距离地使其位于芯片区域22的内侧，来分别独立形成多个第2保护膜14b。使第2保护膜14b的宽度比一对上表面电极12、电阻体13的宽度宽，并且比第1保护膜14a的宽度窄。并且，使第2保护膜14b的长度比第1保护膜14a的长度长。进一步地，使第2保护膜14b的厚度比第1保护膜14a的厚度厚。

然后，以200℃来使环氧树脂糊膏固化。

接下来，通过纵槽(纵分割部)21a和横槽(横分割部)21b来分割片状绝缘基板21，并且如图1所示，形成一对端面电极15、镀覆层16来得到多个单片状的芯片电阻器。

这里，由于第2保护膜14b位于与横槽21b、即作为绝缘基板11的两侧面的部分隔开一定的距离，因此在沿着横槽21b分割时不会被切断。

如上所述，在本实用新型的一实施方式中，由于使与分割片状绝缘基板21时同时被切断的第1保护膜14a的厚度较薄，因此分割、切断的部分的厚度变薄，由此，能够减少在片状绝缘基板的分割面产生毛刺或者在规定的位置产生不能分割的部分的可能性，因此能够得到能够抑制分割不良的发生的效果。

并且，厚度较薄的第1保护膜14a对于分割性没有影响，于此同时，通过厚度较厚并且独立的第2保护膜14b能够更可靠地保护电阻体13等。

这里，在电阻值较低的情况下，由于电阻体13的厚度变厚，因此为了保护电阻体13的边缘部分(两端部)，需要使保护膜14的厚度较厚。在本实用新型中，由于第1保护膜14a的厚度较薄而导致电阻体13的边缘部分可能从第1保护膜14a露出，但是通过厚度比第1保护膜14a厚并且长度比第1保护膜14a长的第2保护膜14b，能够可靠地保护电阻体13的边缘部分。

并且，由于第2保护膜14b独立(未从绝缘基板11露出)，因此不会被切断，即使厚度较厚也不会影响分割性。

产业上的可利用性

本实用新型所涉及的芯片电阻器具有能够抑制分割不良的发生的效果，特别地，在被用于各种电子设备的由低电阻值的厚膜电阻体形成的芯片电阻器等中有用。