本实用新型涉及电子封装技术领域，尤其是一种新型晶圆硅通孔互连的叠层3D封装。
背景技术：
现有晶圆硅通孔(TSV)互连叠层3D封装方式装缺点为：
现有晶圆硅通孔(TSV)互连叠层3D封装方式基本采用化学方式在晶圆表面沉积或刻蚀微直径孔，由于化学反应控制及晶圆精度等影响，导致工艺太过复杂且难以控制，成本巨高，至今没有能批量生产的晶圆硅通孔(TSV)互连的叠层3D封装工厂。
技术实现要素：
本实用新型要解决的技术问题是：克服现有技术中之不足，提供一种一次完成通孔，提高成品良率水平，减少工艺过程，可真正实现批量生产，减少化学工艺控制过程的新型晶圆硅通孔互连的叠层3D封装。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种新型晶圆硅通孔互连的叠层3D封装，具有晶圆层和基板，所述的晶圆层在垂直方向上堆叠若干层，相邻晶圆层之间通过填充胶粘结，堆叠的晶圆层的左右两端上均通过紫外激光开设有硅通孔，硅通孔的内表面上涂覆有镀铜层，硅通孔内安装有截面形状呈“工”字型的铜柱，基板的下端安装有若干锡球，其上端通过填充胶与晶圆层粘结。
进一步的，所述的硅通孔的直径为1.0～2.0um。
进一步的，所述的晶圆层的厚度为4～12um。
本实用新型的有益效果是：本实用新型1.一次完成通孔，降低工艺复杂度，提高成品良率水平；
2.减少工艺过程，提高生产效率，可真正实现批量生产；
3.采用激光通孔方式，减少化学工艺控制过程，加快产品制程时间。
附图说明
下面结合附图和实施方式对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。
图中1.晶圆层，2.基板，3.填充胶，4.锡球，5.硅通孔，6.镀铜层，7.铜柱。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
如图1所示的一种新型晶圆硅通孔互连的叠层3D封装，具有晶圆层1和基板2，晶圆层1在垂直方向上堆叠若干层，相邻晶圆层1之间通过填充胶3粘结，堆叠的晶圆层1的左右两端上均通过紫外激光开设有硅通孔5，硅通孔5的内表面上涂覆有镀铜层6，硅通孔5内安装有截面形状呈“工”字型的铜柱7，基板2的下端安装有若干锡球4，其上端通过填充胶3与晶圆层1粘结。
硅通孔5的直径为1.0～2.0um。
晶圆层1的厚度为4～12um。
本申请先把各个晶圆层1减薄叠层完成，然后采用紫外激光一次性将硅通孔5完成，然后再在整个叠片好的硅通孔5内镀铜，最后完成叠层3D封装，且一次完成通孔，降低工艺复杂度，提高成品良率水平，减少工艺过程，提高生产效率，可真正实现批量生产；采用激光通孔方式，减少化学工艺控制过程，加快产品制程时间。
上述实施方式只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并加以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围，凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围内。