1.一种薄膜晶体管，包括底部衬底和位于所述底部衬底上的有源层，所述有源层具有对应于沟道区的第一部分、对应于源极接触区的第二部分、以及对应于漏极接触区的第三部分，其中，所述第二部分和所述第三部分包括含有聚合物和碳纳米管材料的聚合物碳纳米管复合材料。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述聚合物是导电性聚合物。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括：源极，其位于所述源极接触区中，与所述第二部分直接接触；以及漏极，其位于所述漏极接触区中，与所述第三部分直接接触。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述第一部分是碳纳米管层。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其中，所述碳纳米管层实质上包括半导体碳纳米管材料。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述聚合物碳纳米管复合材料包括涂有聚合物的碳纳米管层。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述碳纳米管材料为实质上不含无定形碳的单壁碳纳米管材料。
8.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其中，所述聚合物选自包括以下材料的组：聚苯胺(PANI)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)(PSS)、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)、聚乙炔、聚吡咯、聚乙炔-聚吡咯、及其任意衍生物和任意组合。
9.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，还包括栅极层以及位于有源层与栅极层之间的栅极绝缘层。
10.一种显示面板，包括根据权利要求1至9中的任一项所述的薄膜晶体管。
11.一种显示设备，包括根据权利要求10所述的显示面板。
12.一种制造薄膜晶体管的有源层的方法，所述有源层具有对应于沟道区的第一部分、对应于源极接触区的第二部分、以及对应于漏极接触区的第三部分，所述方法包括：利用含有聚合物和碳纳米管材料的聚合物碳纳米管复合材料来形成所述第二部分和所述第三部分。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第二部分和所述第三部分的步骤包括：
在底部衬底上形成碳纳米管层，其位于所述源极接触区和所述漏极接触区中；以及
用聚合物材料涂覆所述源极接触区和所述漏极接触区中的碳纳米管层，从而形成包括所述聚合物碳纳米管复合材料的第二部分和第三部分。
14.根据权利要求12所述的方法，包括：
在所述底部衬底上形成碳纳米管层，其位于所述沟道区、所述源极接触区和所述漏极接触区中；
用聚合物材料涂覆位于所述沟道区、所述源极接触区和所述漏极接触区中的碳纳米管层，从而形成聚合物碳纳米管复合材料层；以及
去除所述沟道区中的聚合物材料。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，去除所述沟道区中的聚合物材料的步骤包括：
在所述聚合物碳纳米管复合材料层的远离所述底部衬底的一侧上形成光刻胶层；
采用掩模板对所述光刻胶层进行曝光，并且对曝光后的光刻胶层进行显影以获得光刻胶图案，所述光刻胶图案具有对应于所述沟道区的第一分区以及对应于所述源极接触区和所述漏极接触区的第二分区；所述光刻胶层在所述第一分区中被去除；以及
去除所述沟道区中的聚合物材料，从而形成所述第一部分。
16.根据权利要求14所述的方法，在所述涂覆步骤之前以及在形成碳纳米管层的步骤之后，还包括：
在所述沟道区中形成光刻胶层；
在所述涂覆步骤之后，所述方法还包括：
通过剥离方法，利用剥离溶剂去除所述沟道区中的光刻胶层和聚合物材料。
17.根据权利要求13所述的方法，其中，所述涂覆步骤包括：用聚合物墨水涂覆位于源极接触区和漏极接触区中的碳纳米管层。
18.根据权利要求13所述的方法，其中，所述涂覆步骤包括：用熔融聚合物材料涂覆位于源极接触区和漏极接触区中的碳纳米管层。
19.一种制造薄膜晶体管的方法，包括：
根据权利要求12至18中的任一项所述的方法形成有源层；
在源极接触区中形成与第二部分直接接触的源极；以及
在漏极接触区中形成与第三部分直接接触的漏极。
20.一种薄膜晶体管，其由根据权利要求19所述的方法制造。