用于传输高频信号的设备和方法与流程

本发明涉及用于传输高频信号的一种设备和一种方法。

背景技术：

高频信号通常由构造在电路板处的、具有天线元件——例如微带天线的天线装置以电磁波形式发送。通常，为了最优地利用通过电路板占据的空间，相对于电路板的面积，天线装置的尽可能大的面积是所期望的。

常规地，用于产生高频信号的单元和具有天线元件的天线装置构造在载体的或者电路板的相同的表面处。然而在此，消耗在载体或者电路板的表面上的这样的位置，所述位置也可以被用于构造具有较大的面积的天线装置。此外，干扰信号可能从用于产生高频信号的单元和到天线元件的电(galvanisch)连接发出，所述干扰信号可能损害待发送的高频信号的品质。

在de10104864a1中描述了一种用于发送和/或接收雷达射束的设备，所述设备具有电路板，在所述电路板的一侧上布置有至少一个天线，并且在所述电路板的另一侧上布置有开关电路。通过以共平面线路技术实施的馈电网络，至少一个天线与开关电路电连接。

技术实现要素：

本发明公开了一种具有权利要求1的特征的设备和一种具有权利要求10的特征的方法。

据此，设置一种设备，该设备构造成具有：非导电性的载体，所述载体尤其也可以构造为多层式结构，其中，单层可以是部分地导电的，通道构造成穿过所述载体从载体的第一表面至载体的第二表面；发送元件，所述发送元件布置在载体的第一表面上或者布置在载体的第一表面处，并且高频信号能够施加到所述发送元件处；接收元件，所述接收元件布置在载体的第二表面上或者布置在载体的第二表面处，并且所述接收元件与发送元件电分离；其中，借助于发送元件，所施加的高频信号能够作为电磁波通过通道穿过载体传输给接收元件。

非导电性的载体也可以构造为由多个单层组成的多层式结构(“multilayer”)，其中，单层中的一个或多个可以是(部分地)导电的(例如接地、所布的线路......)。载体也可以实现为单层式结构。

此外，设置一种方法，该方法具有以下步骤：提供高频信号；通过电连接将高频信号传输给发送元件，所述发送元件构造在非导电性的载体的第一表面处或者构造在所述载体的第一表面上；以及将所述高频信号作为电磁波通过通道传输给接收元件，所述通道构造成从所述载体的第一表面至所述载体的第二表面，所述接收元件构造在所述载体的第二表面处或者构造在所述载体的第二表面上。

根据本发明的设备能够实现高频信号穿过载体地传输，其中，可以减小或者避免损耗和不期望的干扰信号，并且能够实现节省空间的结构型式。所述设备例如可以应用在雷达系统中。

发送元件和/或接收元件例如可以构造为微带贴片(英语：“microstrippatch”)、构造为共平面的波导贴片(英语：“coplanarwaveguidepatch”)、构造为孔眼耦合的贴片(英语：“aperturecoupledpatch”)或者构造为偶极-偶极或者槽馈偶极(英语：“slotdipole”)或者构造为另外的槽元件。

通道例如充当空穴并且可以例如是经金属化的。通道的尺寸说明用于高频信号的频率的下截止的原因。通道可以是圆柱状的并且例如通过腐蚀过程制造。圆柱状的通道有利地构造成具有在2毫米和10毫米之间、优选在3毫米和6.5毫米之间的直径，例如以便传输具有77千兆赫的高频信号。有利地，可以传输具有至少20千兆赫的频率的高频信号。借助于根据本发明的设备的传输的带宽受发送元件的和接收元件的特征影响。

有利的实施方式和扩展方案由从属权利要求以及从参照附图的说明书得出。

根据一种实施方式，所述发送元件布置在所述载体和第一反射体元件之间，所述第一反射体元件将从所述通道的方向入射的电磁波向所述通道的方向反射。根据另一种实施方式，所述接收元件布置在所述载体和第二反射体元件之间，所述第二反射体元件将从所述通道的方向入射的电磁波向所述通道的方向反射。

根据另一种实施方式，所述设备包括第一封闭元件，所述第一封闭元件在所述载体的第一表面处布置在所述通道上方，并且所述第一封闭元件具有朝向所述通道的第一金属层。根据另一种实施方式，所述设备包括第二封闭元件，所述第二封闭元件在所述载体的第二表面处布置在所述通道上方，并且所述第二封闭元件具有朝向所述通道的第二金属层。有利地，第一和第二封闭元件可以关于镜像对称平面镜像对称地构造。封闭元件可以构成通过通道限定的空穴的另外的组成部分。

根据一种实施方式，所述第一反射体元件构造为在所述第一封闭元件的背离所述载体的表面处施加的第三金属层。根据一种实施方式，所述第二反射体元件构造为在所述第二封闭元件的背离所述载体的表面处施加的第四金属层。因此，通过所述一个或者所述多个反射体元件可以实现对于电磁波的特别高的反射率，例如超过50％、优选超过75％、特别优选超过90％、完全特别优选超过99％的反射率。

如果第一元件应构造在第二元件的表面“上”，则这不但应理解为：第一元件直接地在第二元件处构造在表面处，而且应理解为：第一元件间接地构造在该表面上方。如果第一元件应构造“在”在第二元件的表面“处”，则这可理解为：第一元件直接构造在该表面处。如果第一元件相对于第二元件应以确定的方式布置，则以此不必然地确定的是，当构造第一元件时，必须已经构造有第二元件。相反，在这里描述一种最终状态，本领域技术人员人员知道根据说明书制造所述最终状态。

封闭元件可以有利地借助于球状键合部(英语：“solderballs”)键合到载体上。优选地，封闭元件构造为电路板或者构造为集成电路。为了机械式地加强封闭元件，所述封闭元件可以具有附加的载体、例如由fr4-材料制成的载体。fr4或者fr-4(来自于英语“flameretardant：阻燃剂”)表示一类由环氧树脂和玻璃纤维织物制成的、难以点燃和阻止火苗的复合材料。在本发明中，fr-4材料可以作为电路板中的非导电性的载体材料来应用。

封闭元件也可以焊接到载体上，其中，封闭元件以“quadflatnoleadspackages：方形扁平无引线封装”(qfn)——也称作“microleadframe：微引线框架”(mlf)——形式制造。在使用用于集成电路的封装技术的情况下，密封元件也可以通过使金属层在模制材料表面结构化的方式来制造，或者制造为embeddedwaferlevelballgrid(ewlb)：嵌入式晶片级球栅。

根据一种实施方式，所述发送元件构造为所述第一金属层的一个区段。根据一种实施方式，所述接收元件构造为所述第二金属层的一个区段。有利地，发送元件和/或接收元件构造为微带天线。

根据一种实施方式，在所述载体的第一表面处构造有第一非导电层，所述第一非导电层在所述第一表面处封闭所述通道。根据一种实施方式，在所述载体的第二表面处构造有第二非导电层，所述第二非导电层在所述第二表面处封闭所述通道。

根据一种实施方式，所述发送元件布置在所述第一非导电层处，优选布置在第一非导电层的背离通道的表面处。根据一种实施方式，所述接收元件布置在所述第二非导电层处、优选布置在第二非导电层的背离通道的表面处。

根据一种实施方式，所述设备具有至少一个天线元件，所述至少一个天线元件布置在所述载体的第二表面处或者布置在所述载体的第二表面上并且所述至少一个天线元件与所述接收元件电连接或者电磁式连接以便将所述高频信号从所述接收元件传输给所述天线元件。因此，尤其具有至少一个天线元件的天线装置可以大面积地构造在载体的第二表面处或者构造在所述载体的第二表面上，而为了运行至少一个发送天线，可以在载体的第二表面处或者在载体的第二表面上节省空间地产生或者施加高频信号。因此，使载体的可以用于天线元件的表面最大化。

根据一种实施方式，所述设备包括用于产生高频信号的高频信号产生装置，所述高频信号产生装置布置在所述载体的第一表面处或者布置在所述载体的第一表面上。为了从高频信号产生装置将高频信号传输给发送元件，所述高频信号产生装置与发送元件尤其电连接。因此，产生高频信号的位置构造在载体的第一表面处，而高频信号在载体的第二表面处可分接，由此，第二表面特别大部分地可以设有有用结构、例如天线元件。

根据一种实施方式，所述方法此外包括以下步骤：将传输给所述接收元件的高频信号通过电连接传输给至少一个天线元件；以及基于传输给所述至少一个天线元件的高频信号，通过所述至少一个天线元件发送电磁波。

附图说明

以下根据在图的示意性附图中示出的实施例详细地阐述本发明。附图示出：

图1示出用于阐述根据本发明的第一实施方式的、用于传输高频信号的设备的示意性框图；

图2示出用于阐述根据本发明的第二实施方式的、用于传输高频信号的设备的示意性框图；

图3-5示出根据本发明的第二实施方式的第一封闭元件的示意性细节；

图6示出用于阐述根据本发明的第三实施方式的、用于传输高频信号的设备的示意性框图；

图7-9示出根据本发明的第三实施方式的第一封闭元件的示意性细节；

图10示出用于阐述根据本发明的第四实施方式的、用于传输高频信号的方法的示意性流程图。

在所有附图中，相同的或者功能相同的元件和设备——只要未另作说明——设有相同的附图标记。

具体实施方式

图1示出用于阐述根据本发明的第一实施方式的、用于传输高频信号9的设备1的示意性框图。

设备1包括载体4，通道5构造成穿过所述载体从载体4的第一表面a1至所述载体的第二表面a2。第一表面a1平行于第二表面a2并且背离第二表面a2。

在第一表面a1上或者布置在第一表面处布置有可选的高频信号产生装置60。借助于高频信号产生装置60可产生高频信号9。高频信号产生装置60与发送元件2电磁式连接和/或电气式连接，例如通过电连接，所述发送元件在通道5的区域中布置在载体4的第一表面a1处或者在所述载体4的第一表面上。发送元件2到第一表面a1上的几何投影完全地覆盖通道5在第一表面a1中的开口。

接收元件3在通道5的区域中布置在第二表面a2处或者在第二表面上。接收元件3到第二表面a2上的几何投影完全覆盖通道5在第二表面a2中的开口。发送元件2和接收元件3相互电分离。

发送元件2布置在载体4和可选的第一反射体元件r1之间，所述第一反射体元件将从通道5的方向入射的电磁波向通道5的方向反射。在一些实施方式中，可以省去第一反射体元件r1。接收元件3可选地布置在载体4和可选的第二反射体元件r2之间，所述第二反射体元件适合用于将从通道5的方向入射的电磁波向通道5的方向反射。在一些实施方式中，可以省去第二反射体元件r2。优选地，发送元件2和接收元件3相对彼此关于对称平面s镜像对称，所述对称平面平行于载体4的表面a1、a2并且布置在第一和第二表面a1、a2之间、优选在一半的路程上。此外，优选地，第一和第二反射体元件r1、r2也相对彼此关于对称平面s镜像对称。

通过电连接从高频信号产生装置60传输给发送元件2的高频信号9可作为电磁波9’借助于发送元件2通过通道5传输给接收元件3。穿过载体4的通道5可以向外、即朝向设备1的外侧地敞开。但是，通道5也可以在单侧或者两侧封闭。如果通道5在两侧封闭，则其例如可以以气体或者气体混合物填充或者包围在技术上可制造的真空。

可选地，设备1包括天线装置70，该天线装置布置在载体4的第二表面a2上或者布置在所述载体4的第二表面处。天线装置70包括一个或多个天线元件6，其中，在图1中示例性地示出四个天线元件6，所述四个天线元件例如以微带技术构造并且借助于线路8、例如微带线路与馈入点7电磁式地和/或电气式地例如电连接。馈入点7与发送元件3电磁式地和/或电气式地例如如此电连接，使得在发送元件3处作为电磁波9’接收的高频信号9可以传输给馈入点7并且因此传输给天线装置70。天线装置70可借助于所传输的高频信号9运行。优选地，馈入点7布置在线路8的中点上，从而使得用于高频信号9的、从馈入点7向天线元件6的输送路程最小。

高频信号9也可以例如从外部的高频信号产生装置通过电连接传输给发送元件2。取代通过天线装置70反射地，高频信号也可以在馈入点7处被分接(abgriffen)，例如以便引起进一步的传导。

图2示出用于传输高频信号的设备1’的示意性示图。设备1’的载体4’具有中间层12，该中间层由例如fr-4材料构造。该中间层12也可以是具有部分地导电的和不导电的单层的多层式结构。中间层12充当接地和/或接地，或者，多层式结构的单层中的一个或多个可以接地。

在中间层12的第一表面12-1处构造有第一非导电层14，并且在中间层12的与中间层12的第一表面12-1背离的并且与之平行地布置的第二表面12-2处构造有第二非导电层16。第一非导电层和第二非导电层14、16由例如高频材料(英语“rf-substrate”)构造，例如由特氟龙或者陶瓷或者液晶聚合物(fkp，英语“liquidcrystalpolymer”)构造。

由中间层12和将其三明治式地夹紧的第一非导电层和第二非导电层14、16组成的层结构相当于根据本发明的第二实施方式的载体4’。在载体4’的、布置在中间层12的第一表面12-1上方的第一表面a1处构造有经结构化的第一非导电层18。在载体4’的布置在中间层12的第二表面12-2上方的第二表面a2处构造有经结构化的第二导电层20。载体4’与经结构化的第一导电层和第二导电层18、20一起构成电路板10。

通道50穿过载体4’地从第一表面a1延伸至第二表面a2，所述通道既不在第一外表面a1处通过第一导电层18覆盖，又不在第二表面a2处通过第二导电层20覆盖。通道50在其在载体4’内的壁处借助于金属化部52金属化，其中，根据所期望的应用可以在第一导电层18的部分或者绝缘区段和尤其在第二导电层20的否则电绝缘的区段之间的部分之间建立连接。

在第一导电层18处，通过第一电磁式连接61(根据第二实施方式，在这里球状键合部)键合有高频信号产生装置60。通过第一电磁式连接61可以例如向高频信号产生装置60的信号输入装置63传送控制信号，高频信号产生装置60基于所述控制信号产生高频信号9。通过与高频信号产生装置60的信号输出装置64电磁式连接和/或电连接的至少一个第二电磁式连接和/或第二电气式连接62(在这里以球状键合部形式示出)，高频信号产生装置60通过第一导电层18的第一区段19与发送元件32电连接。为此，可以在第一导电层18的第一区段19与发送元件32之间电气式地构造第一电连接33，其根据第二实施方式作为球状键合部。因此，可以将可通过高频信号产生装置60产生的高频信号输出给信号输出装置64并且传输给发送元件32。

通过第一电连接33以及通过第二电连接31——根据第二实施方式通过球状键合部构造和示出，第一封闭元件30在通道50的区域中与载体4’机械式连接。第一封闭元件30通过第二电连接31与第一导电层18的与第一区段19电分离的区段、尤其与接地电气式连接。

在第一封闭元件30的非导电性的载体34的第一表面34-i处构造有经结构化的第一金属层38(见图3至5中的细节)，为清楚起见，所述非导电性的载体以下称作第二载体34。第一表面34-i朝向载体4’和通道50。经结构化的第一金属层38具有两个相互电分离的区段38-1、38-2。经结构化的第一金属层38的第一区段38-1与第一电连接33电连接。第二电连接31(所述第二电连接在图4和5中示例性地作为12个球状键合部示出)在尤其具有第一导电层18的载体4’与第一封闭元件30的第二非导电性的载体34之间建立机械式的和接地的连接。

第一封闭元件30相当于根据第一实施方式的发送元件3和反射体元件r1并且在附图3-5中从不同的视图还更准确地示出。

为了进行直观说明，图3以第一斜视图孤立地示出第一封闭元件30。在第一封闭元件30的第二载体34的、与第一封闭元件30的第二载体34的第一表面34-i背离的第二表面34-a上，第三金属层36全面积地构造为第一反射体元件。第三金属层36尤其用于反射电磁波，所述电磁波借助于发送元件32向离开载体4’地朝向的方向穿过第二载体34地发送。以此方式可以避免功率损耗和/或对于布置在设备1’外部的设备的干扰信号的出现。为了进一步减小所不期望的电磁辐射，穿过第二载体34的材料的可选的接触部(例如过孔、微型过孔、封装通孔技术(英语：“through-mold-vias”，tmv))将第一金属层38的第二区段38-2与第三金属层36电连接(在图3至5中未示出)。

图4示出第一封闭元件30的示意性的第二斜视图，在该斜视图中，第二载体34的朝向载体4’的第一表面34-i以及第一金属层38可见。呈球状键合部形式的第二电连接31未示出。第一金属层38的第二区段38-2沿着矩形地成型的第一封闭元件30的三个棱边直接布置、例如气相喷镀在第二载体34的第一表面34-i处。第一电连接31布置在第一封闭元件30的第四棱边处。第二区段38-2也可以部分地布置在第四棱边处，其中，第二区段与第一电连接33和第一区段38-1电分离。在图3至5中，第一封闭元件30例如作为矩形示出，但第一封闭元件也可以具有其他形状、例如圆形的形状。

第一区段38-1朝向第一封闭元件30的方形形状的几何中心扩开至第一发送元件32。第一发送元件32可以例如实现为微带天线，如在图4-5中示出的那样，但例如也实现为“coplanarwaveguide(cpw)”或者槽元件。可选地，可以根据使用哪种技术用于第一发送元件32来设置或者不设置第三金属层36。第一发送元件32在图4-5中例如方形地示出，但也可以具有其他的形状(例如具有倒圆的棱边的矩形、圆形、金刚石形状等等)，并且第一发送元件在第一表面34-i上的位置可以偏离第二载体34的第一表面34-i的几何中心。第二载体34可以具有电路板材料(如fr4，陶瓷等等)，但也可以具有例如模制材料或者玻璃或者由其组成。第二载体也可以是多层式结构。

图5示出设备1’倒第一表面a1上的示意性俯视图，其中，第一封闭元件30部分透明地示出。从图5可以看出，第一发送元件32矩形地成型，其中，第一发送元件32到第一表面a1上的第一几何投影被通道50到第一表面a1上的第二几何投影以及被通道50在第一表面a1中的开口覆盖。第一几何投影可以完整地或者也可以仅仅部分地被遮盖，即第一发送元件32的面积可以大于或者小于通道50的横截面。发送元件32的几何中心可以偏离通道50的几何中心。

在载体4’的第二表面a2处布置有第二封闭元件40，所述第二封闭元件关于平行于载体4’的表面a1、a2并且布置在第一和第二表面a1、a2之间的对称平面s为第一封闭元件30的镜像。因此，第二封闭元件40具有第三非导电性的载体44，该第三非导电性的载体具有第三载体44的朝向载体4’的第一表面44-i，并且在该第一表面处又施加有第二金属层48。第二金属层48由第一区段48-1组成，该第一区段通过第三电连接43(例如通过球状键合部)电式附接到第二导电层20的第一区段21处。因此，可以在第二导电层20的第一区段21处分接高频信号9，例如以便馈入到天线装置70的馈入点7中。

此外，第二金属层48具有第二区段48-2，该第二区段关于对称平面s为第一金属层38的第二区段38-2的镜像并且该第二区段因此也与第二金属层48的第一区段48-1电分离。通过第四电连接49(例如球状键合部)，第二区段48-2例如为了接地而与第二导电层20电连接。

第二金属层48的第一区段48-1关于对称平面s相对于第一金属层的第一区段38-1镜像地构造，从而第二金属层的第一区段朝向第二封闭元件40的矩形形状的几何中心加宽至构造为微带天线的接收元件42。如对于第一封闭元件30所描述的那样，第二封闭元件40除了接收元件42的方形形状之外也可以具有其他的形状，例如圆形的形状；并且接收元件42可以偏离第三载体44的第一表面44-i的几何中心，如以上所描述的那样。

在第三载体44的第二表面44-a处、关于对称平面s相对于第三金属层36镜像地构造第四金属层46，该第四金属层完全地盖住第三载体44的第二表面44-a。第四金属层46用作第二反射体元件用于将来自通道50的方向的电磁波向通道50的方向并且因此也向接收元件42的方向反射。为了进一步减小所不期望的电磁辐射，可选地，穿过第三载体44的材料的可选的接触部(例如过孔、封装通孔技术(英语：“through-mold-vias”，tmv)等等)可以使第二金属层48的第二区段48-2与第四金属层46电连接(接触部和过孔未示出)。对于第一封闭元件30在发送元件32的生产技术方面描述的选项类似地也适用于接收元件42。第三载体44可以如第二载体34那样具有电路板材料(如fr4、陶瓷等等)但也可以具有例如模制材料和/或玻璃或者由其组成并且也可以构造为多层式结构。

图6示出根据本发明的第三实施方式的设备1”的示意性横截面视图。

设备1”为设备1’的变型，其中，以下更准确地阐述差异。

在设备1”中，中间层12在第一表面12-1处与第一非导电层14’连接，该第一非导电层由例如高频材料制造。在中间层12的第二表面12-2处布置有第二非导电层16’，该第二非导电层由例如高频材料构造，优选地由与第一非导电层14’相同的材料构造。中间层12也可以是多层式结构。在设备1”中，通道50’从中间层12的第一表面12-1至第二表面12-2地构造，其中，中间层12的第二表面12-2平行于第一表面12-1并且与其相背离。然而，与第二实施方式不同地，不但在第一表面12-1上的第一非导电层14’而且在中间层12的第二表面12-2处的第二非导电层16’完全地盖住通道50’，从而通道50’不具有到设备1”的外侧处的入口，即通道50’可称作空穴。在设备1”中，中间层12称为载体。

在设备1”中，在第一非导电层14’处布置的第一金属层18的第一区段19’-1在通道50’的区域中加宽至发送元件19’-3(例如构造为微带天线，但也构造为cpw天线或者根据另外的技术的天线)。第一天线19’-3如此构造，使得第一天线19’-3到第一表面12-1上的第一几何投影被通道50’到第一表面12-1上的第二几何投影盖住。第一几何投影可以完全地或者也可以仅仅部分地被遮盖，即第一天线19’-3的面积可以大于或者小于通道50’的横截面。发送元件19’-3的几何中心可以偏离通道50’的几何中心。

如也在设备1’中这样，在设备1”中，在第二载体34的朝向中间层12的第一表面34-i处全面积地、即完整地构造有第一金属层38’，该第一金属层用作第一反射体元件。第一金属层38’通过电连接31’(例如球状键合部)键合在第一导电层18的第二区段19’-2处地以便接地。第二区段19’-2与第一导电层18的第一区段19’-1电分离。电连接31’的球状键合部在图6中为概览起见而未示出，但对此在图7至9中示出(在这里示例性地示出12个球状键合部)。在此，显而易见的是，电连接31’将第一金属层38’与第一导电层18的以下区段电连接：该区段与发送元件19’-3电分离。

在中间层12的第二表面12-2上、尤其在第二非导电层16’处又构造有第二导电层20的第一区段21’-1，该第一区段在通道50’的区域中加宽至接收元件21’-3(例如呈微带天线、cpw天线等等的形式)。发送元件19’-3和接收元件21’-3根据镜像对称平面s为镜像，所述镜像对称平面在金属层12的第一表面和第二表面12-1、12-2之间并且与它们平行地布置。可以在第一区段21’-1处分接高频信号9。即根据该实施方式1”，高频信号9的行程如下延伸：

如果由高频信号产生装置60产生，则高频信号9通过第一导电层18的第一区段19’-1传输给发送元件19’-3。例如将高频信号9输出给高频信号产生装置60的信号输出装置64并且通过第二球状键合部62和通过第一导电层18的第一区段19’-1传输给发送元件19’-3。构造为第一微带天线的发送元件19’-3通过高频信号9激发以发送电磁波9’，所述电磁波穿过在通道50’的区域中的第一非导电层14’、穿过通道50’以及穿过在通道50’的区域中的第二非导电层16’地传输给构造为第二微带天线的接收元件21’-3。第一和第二微带天线可以视为电容式耦合的。如此在接收元件21’-3处接收的高频信号9然后通过电连接传输给第二导电层20的第一区段21’-1并且在那里可分接，例如用于天线装置70，如其在第一实施方式中描述的那样。

在设备1”中，第二封闭元件40’也关于镜像对称平面s相对于第一封闭元件30’镜像地构造，从而第二金属层48’也全面积地、即完全地盖住第二封闭元件40’的朝向通道50’的第一表面40’-1并且因此充当用于从通道50’的方向入射的电磁波的第二反射元件起作用。通过第六连接49’(例如球状键合部)，第二金属层48’例如为了接地而与第二导电层20的第二区段21’-2电连接，所述第二区段与第二导电层20的第一区段21’-1电分离。封闭元件30’、40’在图7至9中示意性地示出。在这些附图中，封闭元件30’、40’矩形地示出；但它们也可以以另外的几何形状构造(例如圆形地)。发送元件19’-3在图9中例如矩形地示出。发送元件19’-3可以以另外的几何形状构造(圆形、具有倒圆的棱边的矩形、金刚石形状等等)并且借助于不同的技术(微带、cpw等等)制造。在图8和图9中，电连接作为12个球状键合部示出。也可以使用更多或者更少的球状键合部或者另外的键合方法。

第一和第二封闭元件30’、40’可以构造为由任意的平面的材料、例如由fr4材料制成的经金属化的第二或者第三载体34、44。但是，替代地，第一和第二封闭元件30’、40’也可以在完全没有第二和第三载体34、44的情况下仅仅由分别一种简单的金属薄片构造、例如构造为反射体元件。第一封闭元件30’也可以构造成具有第二载体34并且第二封闭元件40’可以构造成没有第三载体44或者反之。在设备1”中也可以省去在设备1’中的第三和/或第四金属层36、46。

在设备1’和设备1”之间的差异在于，在设备1’中，发送元件32布置在封闭元件30处并且接收元件42布置在封闭元件40处，而在设备1”中，发送元件19’-3不布置在封闭元件30’处、而是在第一非导电层14’处与第一封闭元件30’分离地布置，并且接收元件21’-3不键合在封闭元件40’处、而是在第二非导电层16’处与第二封闭元件40’分离地布置。

图10示出一种用于阐述用于传输根据本发明的第四实施方式的高频信号的方法的示意性流程图。根据第四实施方式的方法适合用于具有根据第一至第三实施方式的设备的应用并且可以特别地构造用于此。可以按根据本发明的设备的所有关于第一至第三实施方式描述的变型和扩展方案来匹配所述方法。方法步骤的编号有助于概览性并且只要不另作说明，尤其不应意味着确定的时间顺序。尤其也可以同时执行多个方法步骤。

在步骤s01中，提供高频信号9，例如借助于高频信号产生装置60或者通过施加在外部产生的高频信号9提供。

在步骤s02中，至少逐段地、尤其完全地通过电连接19，33，38-1；19’-1将高频信号9传输给发送元件2；32；19’-3，所述发送元件构造在非导电性的载体4；4’；12的第一表面a1；12-1处或者构造在所述载体的第一表面上。

在步骤s03中，通过通道5；50；50‘将所述高频信号9作为电磁波9‘传输给接收元件3；42；21’-3，所述通道构造成从所述载体4；4‘；12的第一表面a1；12-1至所述载体4；4‘；12的第二表面a2；12-2，所述接收元件构造在所述载体4；4‘；12的第二表面a2；12-2处或者构造在所述载体的第二表面上。

在可选的步骤s04中，借助于第一和第二反射体元件r1、r2、36；46；38’，48’将从通道5；50；50’的方向入射的电磁波向通道5；50；50’的方向反射，其中，发送元件2；32；19’-3布置在载体4；4’；12和第一反射体元件r1；36；38’之间，其中，接收元件3；42；21’-3布置在载体4；4’；12和第二反射体元件r2；46；48’之间。

在步骤s05中，将传输给接收元件3；42；21’-3的高频信号9通过电连接48-1，43，21，7，8；21’-1，7，8传输给至少一个天线元件6或者传输给馈入点7，在所述馈入点处可以分接高频信号，例如用于激发天线装置70或者引起进一步的电传导。

在可选的步骤s06中，通过天线装置70的至少一个天线元件6发送另外的电磁波。

尽管以上根据优选的实施例描述了本发明，但本发明不限于此，而是可以以多种多样的方式修改。尤其可以以各种各样的方式改变或者修改本发明，而不偏离本发明的核心。

例如根据第二实施方式的、包括发送元件的第一封闭元件也可以与根据第三实施方式的、与接收元件分开地构造的第二封闭元件组合。相反地，根据第二实施方式的、包括接收元件的第二封闭元件也可以与根据第三实施方式的、与发送元件分开地构造的第一封闭元件组合。