技术特征：
技术总结
一种发光二极管装置，包括：在石墨基板上生长的多个纳米线或纳米锥，该纳米线或纳米锥具有p‑n或p‑i‑n结，与该石墨基板电接触的第一电极；与该纳米线或纳米锥的至少一部分的顶部接触的光反射层，该光反射层可选地充当第二电极；可选地，与该纳米线或纳米锥的至少一部分的顶部电接触的第二电极，该第二电极在该光反射层不充当电极的情况下是必不可少的；其中该纳米线或纳米锥包括至少一个III‑V族化合物半导体；且其中在使用中，光自该装置以大体上与该光反射层相对的方向发射。
技术研发人员：达萨·L·德赫拉杰;金东彻;比约恩·奥韦·M·菲姆兰;黑尔格·韦曼
受保护的技术使用者：科莱约纳诺公司;挪威科技大学
技术研发日：2016.07.13
技术公布日：2018.07.17