技术总结
本发明涉及一种制备单芯片超宽带白光LED的方法，采用飞秒激光器在蓝宝石衬底上分区域刻蚀出纳米尺寸的凹槽形成图形化纳米结构，每个区域刻蚀出具有不同深度的凹槽，然后在此结构上生长InGaN/GaN量子阱，不同区域LED 晶粒可发射出不同波长的光，这些光的复合产生白色光。单芯片LED，不需要在表面涂敷荧光粉，仅靠单芯片本身的发光就能实现白光发射；通过向量子阱中掺杂铟元素，可以制造出超宽带的LED；在不产生斯托克位移下发光效率会更高；在不需要荧光粉的转换条件下可以大大降低成本。推动无荧光粉单芯片超宽带白光LED 器件科学与技术的发展。
技术研发人员：邹军;林晓艳;徐一超;吴文娟;杨波波;石明明
受保护的技术使用者：上海应用技术大学
文档号码：201710010262
技术研发日：2017.01.06
技术公布日：2017.05.31