技术总结
本发明提供了一种防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法，其中将多晶硅氧化的工艺处理从在逻辑栅极刻蚀之后执行变化到在闪存单元字线刻蚀之后执行，包括：第一步骤：形成逻辑栅极多晶硅层，并执行逻辑栅极多晶硅刻蚀处理；第二步骤：形成闪存单元字线多晶硅层，并执行字线多晶硅刻蚀处理；第三步骤：对刻蚀后的逻辑栅极多晶硅层和闪存单元字线多晶硅层执行多晶硅氧化处理。在根据本发明的防止分栅快闪存储器浮栅以及字线多晶硅残留的方法中，通过改变多晶硅氧化的工艺步骤，不仅可以解决了闪存单元中逻辑器件的短沟道效应，而且可以消除闪存单元的浮栅以及字线多晶硅蚀刻后的残留，避免闪存功能失效。
技术研发人员：徐涛;孔蔚然;曹子贵;张博;李冰寒;汤志林;陈宏;王卉
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档号码：201710078925
技术研发日：2017.02.14
技术公布日：2017.06.20