1.ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，其特征在于，以纳米图形化（PSS）蓝宝石作为外延基底，使用MOCVD方法生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层，以ZnO外延层作为高品质导电衬底，后续生长GaN紫外LED外延，LED芯片经剥离和转移后，形成ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED；ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层均为单晶结构，低温缓冲层厚度为200-400 nm，高温外延层厚度为2-4μm；ZnO和GaN具有相似的晶体结构和晶格常数，以ZnO单晶层作为GaN基LED的衬底材料，实现良好的晶格匹配，并减小GaN缓冲层厚度；利用ZnO外延过程中Al的扩散，形成高电导层，从而作为和n型GaN接触的电子传导层，导电性可控；
ZnO的介电常数介于GaN和空气之间；利用垂直于ZnO的位错，采用湿法腐蚀形成表面织构的粗糙表面，提高LED的出光效率。
2.根据权利要求1所述的ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED，其特征在于，该结构中LED芯片通过化学腐蚀的方法实现无应变剥离和自支撑转移，这种倒装结构的LED能转移至金属和柔性衬底上，从而实现基于柔性衬底的照明工程。
3.根据权利要求1所述的ZnO导电协变衬底垂直结构型GaN紫外LED的制备方法，其特征是具体步骤为：
（1）以PSS蓝宝石为基底，使用MOCVD工艺生长ZnO低温缓冲层和ZnO高温外延层，形成ZnO导电协变衬底，在此衬底上生长GaN紫外LED外延；
（2）使用化学腐蚀方法实现自蓝宝石基底上对ZnO协变衬底GaN紫外LED芯片的剥离；
（3）剥离后倒装结构的LED芯片能转移至金属和柔性衬底上，形成垂直结构型GaN紫外LED。