阵列基板以及具有该阵列基板的液晶面板的制作方法

文档序号:12478442阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种阵列基板,其特征在于,包括:虚拟像素区、显示区以及驱动电路区,所述虚拟像素区位于显示区与驱动电路区之间,所述显示区和虚拟像素区内均设置有异面交叉的多晶硅走线和栅极线;

其中,所述虚拟像素区内的多晶硅走线与栅极线异面重叠的面积大于显示区内的多晶硅走线与栅极线异面重叠的面积。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在虚拟像素区内,多晶硅走线与栅极线异面交叉至少三次。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在虚拟像素区内,多晶硅走线与栅极线异面交叉七次。

4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在虚拟像素区内,与栅极线异面交叉的多晶硅走线为并联连接。

5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在虚拟像素区内,与栅极线异面交叉的多晶硅走线为串联连接。

6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在虚拟像素区内,虚拟像素区内的多晶硅走线的线宽大于显示区内的多晶硅走线的线宽。

7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在虚拟像素区内,虚拟像素区内的栅极线的线宽大于显示区内的栅极线的线宽。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的阵列基板,其特征在于,在虚拟像素区与显示区之间还设置有过渡区,所述过渡区内的多晶硅走线与栅极线之间的重叠面积小于或等于虚拟像素区内的多晶硅走线与栅极线之间的重叠面积,并且所述过渡区内的多晶硅走线与栅极线之间的重叠面积大于或等于显示区内的多晶硅走线与栅极线之间的重叠面积。

9.根据权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述过渡区为虚拟像素区或显示区。

10.一种液晶面板,其特征在于,包括根据权利要求1至9中任一项所述的阵列基板。

当前第2页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1