1.一种用于薄外延工艺静电放电ESD保护的可控硅整流器SCR，所述SCR包括P型硅衬底、P-外延层、深N阱层、N阱区域、P阱区域、N+重掺杂区域、P+重掺杂区域、浅槽隔离STI区域，其特征在于，所述深N阱层位于所述N阱区域和所述P阱区域的下方，且与所述N阱区域和P阱区域相接。
2.如权利要求1所述的用于薄外延工艺ESD保护的SCR，其特征在于，所述P-外延层的厚度为大于第一厚度阈值且小于第二厚度阈值，所述第一厚度阈值小于4.0μm，所述第二厚度阈值大于3.0μm。
3.如权利要求1所述的用于薄外延工艺ESD保护的SCR，其特征在于，所述深N阱层的厚度大于第三厚度阈值且小于第四厚度阈值，所述第三厚度阈值小于1.5μm，所述第四厚度阈值大于1.0μm。
4.如权利要求1所述的用于薄外延工艺ESD保护的SCR，其特征在于，所述深N阱层的掺杂浓度大于所述N阱区域的掺杂浓度。
5.如权利要求1所述的用于薄外延工艺ESD保护的SCR，其特征在于，所述N+重掺杂区域的掺杂浓度大于所述N阱区域的掺杂浓度。
6.如权利要求1所述的用于薄外延工艺ESD保护的SCR，其特征在于，所述P+重掺杂区域的掺杂浓度大于所述P阱区域的掺杂浓度。
7.一种如权利要求1所述的用于薄外延工艺ESD保护的SCR的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
通过高能量离子注入机向P型外延材料片的P-外延层注入磷离子，退火形成深N阱层，其中，所述P型外延材料片包括位于底层的P型硅衬底和位于所述P型硅衬底上一层的所述P-外延层；
在所述P-外延层上进行一次氧化，形成薄氧化缓冲层，在所述薄氧化缓冲层上淀积氮化硅，形成硬掩模层；
在形成的所述硬掩模层的表面涂覆光刻胶，进行有源区光刻，刻蚀所述氮化硅、所述氧化硅和所述P-外延层的硅衬底，完成STI，形成有源区；
去除剩余的光刻胶，通过高密度等离子体淀积填充STI形成的槽，利用化学机械抛光平坦化去除所述硬掩模层和所述薄氧化缓冲层，形成STI区域；
在得到的结构表面涂覆光刻胶，进行P阱区光刻，对光刻后形成的P阱区注入硼离子，形成P阱区域；
去除剩余的光刻胶，表面重新涂覆光刻胶，进行N阱区光刻，对光刻后形成的N阱区注入磷离子，形成N阱区域；
去除剩余的光刻胶，表面重新涂覆光刻胶，进行P+区光刻，对光刻后形成的P+重掺杂区注入硼离子，形成P+重掺杂区域；
去除剩余光刻胶，表面重新涂覆光刻胶，进行N+区光刻，对光刻后形成的N+重掺杂区注入磷离子，形成N+重掺杂区域；
去除剩余光刻胶，表面重新涂覆光刻胶，进行P+重掺杂区光刻以及N+重掺杂区光刻，淀积金属，利用化学机械抛光平坦化，去除表面金属，去除剩余光刻胶，完成金属电极区的制备。