1.一种发光二极管显示基板，包括：
衬底基板；
发光二极管，设置在所述衬底基板上，其中，
所述发光二极管包括石墨烯层，且所述石墨烯层设置在所述发光二极管靠近所述衬底基板的一侧；
自组装单分子层，设置在所述石墨烯层与所述衬底基板之间且与所述石墨烯层连接。
2.根据权利要求1所述的发光二极管显示基板，其中，所述自组装单分子层包括至少一种有机分子，所述有机分子的两端分别包括叠氮官能团与氨基官能团，且所述叠氮官能团与所述石墨烯层中的石墨烯分子以化学键形式相连。
3.根据权利要求2所述的发光二极管显示基板，其中，所述有机分子包括4-重氮基-2,3,5,6-四氟苯甲酸乙胺。
4.根据权利要求2所述的发光二极管显示基板，还包括：
有机膜层，设置在所述自组装单分子层与所述衬底基板之间，且与所述自组装单分子层中的所述氨基官能团通过氢键连接。
5.根据权利要求1所述的发光二极管显示基板，其中，所述发光二极管还包括设置在所述石墨烯层上的半导体层以及设置在所述半导体层上的导电层。
6.根据权利要求5所述的发光二极管显示基板，还包括：
保护层，设置在所述导电层的部分上表面。
7.根据权利要求6所述的发光二极管显示基板，其中，所述石墨烯层包括在沿平行于所述衬底基板的第一方向延伸超过所述半导体层的突出部分，且所述保护层设置在所述半导体层的侧面并连接到所述石墨烯层的突出部分。
8.根据权利要求1所述的发光二极管显示基板，还包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括漏极，所述漏极与所述石墨烯层电连接。
9.根据权利要求1-8任一项所述的发光二极管显示基板，其中，所述发光二极管的尺寸为1微米-100微米。
10.一种发光二极管显示基板的制作方法，包括：
在转移基板上形成石墨烯层；
在所述石墨烯层上形成半导体层以及导电层以形成发光二极管；
在衬底基板上形成自组装单分子层；
将所述发光二极管从所述转移基板上转移到所述自组装单分子层上，并使所述石墨烯层连接到所述自组装单分子层。
11.根据权利要求10所述的发光二极管显示基板的制作方法，其中，所述自组装单分子层包括至少一种有机分子，所述有机分子的两端分别包括叠氮官能团与氨基官能团。
12.根据权利要求11所述的发光二极管显示基板的制作方法，其中，将所述发光二极管从所述转移基板上转移之前包括：
在所述导电层的部分上表面形成保护层。
13.根据权利要求12所述的发光二极管显示基板的制作方法，其中，所述石墨烯层包括在沿平行于所述转移基板的第一方向延伸超过所述半导体层的突出部分，将所述发光二极管从所述转移基板上转移之前还包括：在所述半导体层的侧面以及所述石墨烯层的突出部分形成所述保护层。
14.根据权利要求12或13所述的发光二极管显示基板的制作方法，其中，将所述发光二极管从所述转移基板上转移到所述自组装单分子层上包括：
采用转印装置吸附所述保护层，将所述发光二极管从所述转移基板上取走并转移到所述自组装单分子层上，并对所述自组装单分子层加热以使所述叠氮官能团与所述石墨烯层的石墨烯分子以化学键形式相连。
15.根据权利要求11所述的发光二极管显示基板的制作方法，其中，在所述衬底基板上形成所述自组装单分子层包括：
在所述衬底基板上形成有机膜层，对所述有机膜层的表面进行处理，并在所述有机膜层上形成所述自组装单分子层以使所述自组装单分子层中的所述氨基官能团通过氢键与所述有机膜层连接。
16.根据权利要求10所述的发光二极管显示基板的制作方法，其中，采用卷对卷工艺将所述发光二极管转移到所述自组装单分子层上。
17.一种显示器，包括权利要求1-9任一项所述发光二极管显示基板。