技术特征：
技术总结
本发明涉及在金属化层中形成具有不同材料组成物的导电结构的方法，其所揭示的一种说明性方法此外还包括在绝缘材料层中形成第一沟槽与第二沟槽，第一沟槽具有第一横向关键尺寸，第二沟槽具有比第一沟槽的第一横向关键尺寸更大的第二横向关键尺寸，在第一沟槽中形成第一导电结构，其中，第一主体金属材料构成第一导电结构的主体部分，以及在第二沟槽中形成第二导电结构，其中，第二主体金属材料构成第二导电结构的主体部分，并且其中第一主体金属材料与第二主体金属材料为不同材料。
技术研发人员：张洵渊;谢瑞龙;夫马尔·卡米尼
受保护的技术使用者：格罗方德半导体公司
技术研发日：2017.03.07
技术公布日：2017.09.15