技术特征：
技术总结
本发明公开了一种基于阻挡层调制结构的电流孔径功率晶体管，主要解决现有同类器击穿电压低与导通电阻大的问题，其包括：衬底(1)、漂移层(2)、电流孔径层(3)、左右两个对称的多级阶梯结构的电流阻挡层(4)、沟道层(6)、势垒层(7)和钝化层(12)，势垒层(7)上的两侧淀积有两个源极(9)，两个源极(9)下方通过离子注入形成两个注入区(8)，两个源极(9)之间的势垒层(7)上淀积有栅极(10)，衬底(1)下面淀积有漏极(11)，钝化层(12)完全包裹除在漏极底部以外所有区域，两个对称电流阻挡层(4)之间形成孔径(5)。本发明击穿电压高、工艺简单、导通电阻小、成品率高，可用于电力电子系统。
技术研发人员：毛维;石朋毫;王海永;郝跃;艾治州;马晓华;张弘
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：2017.03.29
技术公布日：2017.09.08