专利名称：一种自耗小电流晶体管耦合电路的制作方法
技术领域：
一种自耗小电流晶体管耦合电路
技术领域：
本实用新型涉及晶体管耦合电路，更具体地说，涉及一种用于锂离子电池组中各保护电路芯片输出控制端与被控制的功率MODFET的耦合的晶体管耦合电路。
背景技术：
目前，公知的多串保护电路，各保护IC的控制端与充电放电开关MOSFET的耦合方式有MOSFET耦合，光电耦合，比较器耦合。但是这几种耦合方式都存在一些缺陷，自耗电流大到l_2mA不利于荷电存放时间较长场合，保护电路对各节电池的消耗差别很大，使电池组中个电池电量不均勻。耐电压冲击能力差。所述现有技术的缺陷值得改进。
实用新型内容本实用新型的目的在于针对上述技术缺陷，提供一种自耗小电流晶体管耦合电路，该一种晶体管耦合电路结构简单，且自耗电流小。本实用新型的技术方案如下所述一种晶体管耦合电路，其特征在于三极管Ql 的发射极是外接端P并作为电源正极；三极管Ql的基极连接电阻R1，电阻Rl的另一端是外界输入控制端A，三极管Ql的集电极连接电阻R2，电阻R2的另一端连接三级管Q3的基极和电阻R4，电阻R4另一端连接三极管Q2的集电极；三极管Q3的集电极连接电阻R5并作为外接输出端Y ；电阻R5另一端连接三极管Q2的发射极并作为外接电源中间端Q ；三极管Q2的基极连接电阻R3，电阻R3的另一端作为外接输入控制端B ；三极管Q3的发射极作为外接电源负极端R，在输入端A和Ql的基极之间接入晶体管反相极，在输出端B和Q2的基极之间接入晶体管反相极。根据上述结构的本实用新型，其有益效果在于，本实用新型电路简单，自耗电流小，适用范围大。
附图1为本实用新型一实施例电路图；附图2为本实用新型另一实施例电路图。
具体实施方式
以下结合附图以及实施方式对本实用新型进行进一步的描述如附图1、附图2所示，一种自耗小电流晶体管耦合电路，其特征在于，三极管Ql的发射极是外接端P并作为电源正极；三极管Ql的基极连接电阻R1，电阻Rl的另一端是外界输入控制端A，三极管Ql的集电极连接电阻R2，电阻R2的另一端连接三级管Q3的基极和电阻R4，电阻R4另一端连接三极管Q2的集电极；三极管Q3的集电极连接电阻R5并作为外接输出端Y ；电阻R5另一端连接三极管Q2的发射极并作为外接电源中间端Q ；三极管 Q2的基极连接电阻R3，电阻R3的另一端作为外接输入控制端B ；三极管Q3的发射极作为外接电源负极端R，在输入端A和Ql的基极之间接入晶体管反相极，在输出端B和Q2的基极之间接入晶体管反相极。
权利要求1. 一种自耗小电流晶体管耦合电路，其特征在于三极管Ql的发射极是外接端P并作为电源正极；三极管Ql的基极连接电阻R1，电阻Rl的另一端是外界输入控制端A，三极管 Ql的集电极连接电阻R2，电阻R2的另一端连接三级管Q3的基极和电阻R4，电阻R4另一端连接三极管Q2的集电极；三极管Q3的集电极连接电阻R5并作为外接输出端Y ；电阻R5 另一端连接三极管Q2的发射极并作为外接电源中间端Q ；三极管Q2的基极连接电阻R3，电阻R3的另一端作为外接输入控制端B ；三极管Q3的发射极作为外接电源负极端R，在输入端A和Ql的基极之间接入晶体管反相极，在输出端B和Q2的基极之间接入晶体管反相极。
专利摘要本实用新型公开了一种自耗小电流晶体管耦合电路，三极管Q1的发射极是外接端P并作为电源正极；三极管Q1的基极连接电阻R1，电阻R1的另一端是外界输入控制端A，三极管Q1的集电极连接电阻R2，电阻R2的另一端连接三级管Q3的基极和电阻R4，电阻R4另一端连接三极管Q2的集电极；三极管Q3的集电极连接电阻R5并作为外接输出端Y；电阻R5另一端连接三极管Q2的发射极并作为外接电源中间端Q；三极管Q2的基极连接电阻R3，电阻R3的另一端作为外接输入控制端B；三极管Q3的发射极作为外接电源负极端R，在输入端A和Q1的基极之间接入晶体管反相极，在输出端B和Q2的基极之间接入晶体管反相极，本实用新型电路简单，自耗电流小。
文档编号H03K19/14GK202143050SQ201120178298
公开日2012年2月8日 申请日期2011年5月30日 优先权日2011年5月30日
发明者白云 申请人:深圳市格莱德科技有限公司