专利名称：应用于晶体管的电流控制装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种电流控制装置，尤其是涉及一种可以应用于一双极结型
晶体管的电流控制装置，使得在利用一双重电流模式(dual current mode)温度测量方法来测量该双极结型晶体管的温度时能够避免温度测量误差的产生。
背景技术：
请参考图1，图1所示出的为依据已知技术的一双极结型晶体管(bipolar junction transistor, BJT ) IOO的简化示意图。如图1所示，双极结型晶体管IOO具有一基极、 一射极以及一集极，并且其基极电流Ib、射极电流Ie以及集极电流Ic具有以下关系
Ib+Ie+Ic=0
Ie=-(卩+l) Ic/(3
此外，本领域技术人员应该能够了解双极结型晶体管100的温度可以经由一双重电流模式(dual current mode)温度测量方法来测量双极结型晶体管100的两次不同的射极电流Iel以及Ie2并且再进一步计算以取得一温度测量结果，而由于实际上双极结型晶体管100的温度与集极电流Icl以及Ic2的比例有直接关系，所以在先进工艺中，当双极结型晶体管100的卩值
正的集极电流Icl以及Ic2之间的比例，因此就会造成严重的温度测量误差。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的之一在于提供一种可以应用于一晶体管的电流控制装置，使得在利用一双重电流模式(dual current mode)温度测量方法来测量该晶体管的温度时能够避免温度测量误差的产生，以解决上述的问题。
依据本发明的权利要求，其披露一种应用于一晶体管的电流控制装置，
8该晶体管具有一控制端点、 一第一端点以及一第二端点，并且该电流控制装
置包含有 一电流控制模块、 一第一电流镜模块、 一第二电流镜模块、 一电流减法器以及一电流调整模块，其中，该电流控制模块用来输出一电流控制讯号；该第一电流镜模块具有一第一输出端点、 一第二输出端点与一输入端点，而该第一输出端点耦接于该晶体管的该第一端点，且该输入端点耦接于该电流控制模块，并且该第一电流镜模块用来依据该电流控制讯号分别在该第一输出端点与该第二输出端点产生一第一电流镜电流与一第二电流镜电流，其中该第 一 电流镜电流与该第二电流镜电流之间具有 一预定电流比例，以及该晶体管依据该第一电流镜电流在该控制端点产生一第二电流；该第二电流镜模块具有一第一端点、 一第二端点与一第三端点，而该第一端点耦接于该晶体管的该控制端点，并且该第二电流镜模块用来依据该第二电流以在该第二电流镜模块的该第二端点产生一第三电流镜电流，其中该第二电流与该第三电流镜电流之间具有该预定电流比例；该电流减法器耦接于该第 一 电流镜模块的该第二输出端点与该第二电流镜模块的该第二端点之间，并且该电流减法器用来依据该第二电流镜电流与该第三电流镜电流产生 一 第三电流；以及该电流调整模块耦接于该电流减法器，并且该电流调整模块用来将该第三电流调整成一第四电流，其中该第四电流与该第三电流之间具有一固定电流比例。
图1所绘示的为依据已知4支术的一双极结型晶体管(bipolar junctiontransistor, BJT )的简化示意图。
图2所绘示的为依据本发明的一实施例应用于一双极结型晶体管的电流控制装置的简化方块示意图。
图3所绘示的为依据图2中的电流控制装置的一第一实施例的电路架构示意图，其中电流控制装置在一第一操作期间。
图4所绘示的为依据图2中的电流控制装置的第一实施例的电路架构示意图，其中电流控制装置在一第二操作期间。
图5所绘示的为依据图2中的电流控制装置的 一第二实施例的电路架构
示意图，其中电流控制装置在一第一操作期间。
图6所绘示的为依据图2中的电流控制装置的第二实施例的电路架构示意图，其中电流控制装置在一第二操作期间。
附图符号说明100:双极结型晶体管
210:电流控制模块
212:电流源
220:第一电流镜模块
222:第一开关元件
224:第二开关元件
226:第一晶体管开关
228:第二晶体管开关
232:第三晶体管开关
234:第三开关元件
240:第二电流镜模块
242:第四晶体管开关
244.第五晶体管开关
246可变电阻单元
248偏压控制模块
250电流减法器
260电流调整模块
262.第六晶体管开关
264:第四开关元件
266:第五开关元件
268:第七晶体管开关
269:第六开关元件
270:电压存储模块
具体实施例方式
在本申请文件中使用了某些词汇来指称特定的元件，而本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同一个元件，本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分元件的方式，而是以元件在功能上的
10差异来作为区分的准则，在申请文件中所提及的"包含有"为一开放式的用 语，故应解释成"包含有但不限定于"，此外，"耦接" 一词在此包含有任何 直接及间接的电气连接手段，因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装 置，则代表该第一装置可以直接电气连接于该第二装置，或通过其它装置或 连接手段间接地电气连接至该第二装置。
请参考图2，图2所绘示的为依据本发明的一实施例应用于一双极结型 晶体管(bipolar junction transistor, BJT ) 100的电流控制装置200的 简化方块示意图。如图2所示，双极结型晶体管IOO具有一控制端点(亦即 基极)、 一第一端点(亦即射极)以及一第二端点(亦即集极)，并且电流控 制装置200包含有 一电流控制模块210、 一第一电流镜模块220、 一第二 电流镜模块240、 一电流减法器250以及一电流调整模块260,其中，电流 控制模块210用来输出一电流控制讯号Si。第一电流镜模块220具有一第一 输出端点、 一第二输出端点与一输入端点，而第一输出端点耦接于双极结型 晶体管晶体管100的射极，且输入端点耦接于电流控制模块210，并且第一 电流镜模块220用来依据电流控制讯号Si分别在第一输出端点与第二输出 端点产生一第一电流镜电流Iel，'与一第二电流镜电流Iel，，其中第一电 流镜电流Iel'，与第二电流镜电流Iel，之间具有一预定电流比例，以及双 极结型晶体管100依据第一电流镜电流Iel，，在基极产生一第二电流Ibl''。 第二电流镜模块240具有一第一端点、 一第二端点与一第三端点，而第一端 点耦接于双极结型晶体管100的基极，并且第二电流镜模块240用来依据第 二电流Ibl，，以在第二电流镜模块240的第二端点产生一第三电流镜电流 Ibl，，其中第二电流Ibl'，与第三电流镜电流Ibl，之间具有该预定电流比 例。电流减法器250耦接于第一电流镜模块220的第二输出端点与第二电流 镜模块240的第二端点之间，并且电流减法器250用来依据第二电流镜电流 Iel，与第三电流镜电流Ibl，产生一第三电流Icl，；以及电流调整模块260 耦接于电流减法器250,并且电流调整模块260用来将第三电流Icl'调整 成一第四电流Ic2，，其中第四电流Ic2，与第三电流Icl，之间具有一固定 电流比例。在此请注意，上述的实施例仅作为本发明的举例说明，而不是本 发明的限制条件，接着，本说明书将在以下段落中举例说明关于本发明的电 流控制装置200的详细的电路架构与操作方式。
请参考图3以及图4,图3以及图4所绘示的为依据图2中的电流控制
ii装置200的一第一实施例的电路架构示意图。如图3以及图4所示，电流控 制模块210包含有 一电流源212,耦接于一第一电压源(例如一接地电压 源)，用来提供一第一电流Iel作为图2中的电流控制讯号Si; —第一开关 元件222，其具有一控制端点、 一第一端点以及一第二端点，该第二端点耦 接于电流源212; —第二开关元件224,其具有一控制端点、 一第一端点以 及一第二端点；以及一第一晶体管开关226,其具有一控制端点(亦即栅极) 耦接于第二开关元件224的该第二端点、 一第一端点(亦即源极)耦接于一 第二电压源以及一第二端点(亦即漏极)耦接于第一开关元件222的该第一 端点与第一晶体管开关226的该控制端点。然而，上述的实施例仅作为本发 明的举例说明，而不是本发明的限制条件，举例来说，电流控制模块210也 可以是一偏压(bias)电压源，用来提供一偏压作为电流控制讯号Si。
第一电流镜模块220包含有 一第二晶体管开关228,其具有一控制端 点(亦即栅极)耦接于第二开关元件224的该第一端点、 一第一端点(亦即 源极)耦接于第二电压源Vd以及一第二端点(亦即漏极)耦接于该电流减 法器250; —第三晶体管开关232,其具有一控制端点(亦即栅极)耦接于 第二开关元件224的该第一端点与第二晶体管开关228的该控制端点、 一第 一端点(亦即源极)耦接于第二电压源Vd以及一第二端点(亦即漏极)耦 接于该双极结型晶体管晶体管100的该第一端点；以及一第三开关元件"4， 其具有一控制端点、 一第一端点耦接于第二晶体管开关"8的该控制端点以 及一第二端点耦接于第二晶体管开关228的该第二端点。
第二电流镜模块240包含有 一第四晶体管开关242，其具有一控制端 点(亦即栅极)、 一第一端点(亦即源极)耦接于该第一电压源以及一第二 端点(亦即漏极)耦接于该电流减法器250;以及一第五晶体管开关244, 其具有一控制端点(亦即栅极)耦接于第四晶体管开关242的该控制端点、 一第一端点(亦即源极)耦接于该第一电压源以及一第二端点(亦即漏极) 耦接于该第二电流镜模块240的该第二端点与该双极结型晶体管晶体管100 的该控制端点。
电流调整模块260包含有 一第六晶体管开关262,其具有一控制端点 (亦即栅极)、 一第一端点(亦即源极)耦接于该第一电压源以及一第二端 点(亦即漏极)耦接于电流减法器250; —第四开关元件264，其具有一控 制端点、 一第一端点以及一第二端点耦接于第六晶体管开关262的该控制端点； 一第五开关元件266，其具有一控制端点、 一第一端点耦接于第六晶体 管开关262的该第二端点以及一第二端点耦接于第六晶体管开关262的该控 制端点； 一第七晶体管开关268,其具有一控制端点(亦即栅极)耦接于第 四开关元件264的该第一端点、 一第一端点(亦即源极)耦接于该第一电压 源以及一第二端点(亦即漏极)耦接于第六晶体管开关262的该第二端点与 第五开关元件266的该第一端点； 一第六开关元件269,其具有一控制端点、 一第一端点耦接于第七晶体管开关268的该控制端点以及一第二端点耦接于 该第一电压源；以及一电压存储模块270,耦接于该第一电压源与第六晶体 管开关262的该控制端点之间；其中，第六晶体管开关262的尺寸与第七晶 体管开关268的尺寸之间具有一固定比例N/(M-N),因此可以使得第四电流 Ic2，与第三电流Icl，之间的该固定电流比例等于N/M。
此外，在本实施例的电路架构中，第一晶体管开关226、第二晶体管开 关228以及第三晶体管开关232均为P型场效晶体管(例如PM0S场效晶体 管)；第四晶体管开关242、第五晶体管开关244、第六晶体管开关262以及 第七晶体管开关268均为N型场效晶体管(例如顧OS场效晶体管)；以及电 压存储模块270为一电容。然而，上述的实施例仅作为本发明的举例说明，
而不是本发明的限制条件。
接着，关于本发明的电流控制装置200的操作流程说明如下，当电流控 制装置200在一第一操作期间时，第一开关元件222、第二开关元件"4、 第四开关元件264以及第五开关元件266处于一导通状态，并且第三开关元 件234以及第六开关元件269处于一非导通状态，也就是如图3所示，如此 一来，第一电流镜模块220就会依据第一电流Iel分别在第一输出端点与第 二输出端点产生一第一电流镜电流Iel，'与一第二电流镜电流Iel',其中 第一电流镜电流Iel，'与第二电流镜电流Iel，之间的一预定电流比例为1: 1，以及双极结型晶体管IOO依据第一电流镜电流Iel，'在基极产生一第二 电流Ibl，'。接着，第二电流镜模块240就会依据第二电流Ibl，'以在第二 电流镜模块240的第二端点产生一第三电流镜电流Ibl，，其中第二电流 Ibl，'与第三电流镜电流Ibl，之间具有该预定电流比例(亦即1: 1)，同 时双极结型晶体管IOO就会产生集极电流Icl，'。然后，电流减法器250就 会依据第二电流镜电流Iel'与第三电流镜电流Ibl，产生一第三电流Icl'。 接着，当电流控制装置200在一第二操作期间时，第一开关元件222、第二
13开关元件224、第四开关元件264以及第五开关元件266处于一非导通状态， 并且第三开关元件234以及第六开关元件269处于一导通状态，也就是如图 4所示，电流调整模块260会将第三电流Icl，调整成一第四电流Icr ,其 中第四电流Ic2，与第三电流Icl，之间具有一固定电流比例N: M，并且第 四电流Ic2，会成为电流控制装置200的整个电路的控制电流控制模块，而 此时电流控制装置200的整个电路会自动收敛产生必要的 一第二电流镜电流 Ie2，、 一第一电流镜电流Ie2，，、 一第三电流镜电流Ib2， 以及一第二电流 Ib2，，，同时双极结型晶体管100就会产生集极电流Ic2'，。
请参考图5以及图6，图5以及图6所绘示的为依据图2中的电流控制 装置200的一第二实施例的电路架构示意图。其中，本发明的第二实施例中 的电流控'制装置200与本发明的第一实施例的电流控制装置200具有类似的 电路架构，因此在图5以及图6中的电流控制装置200的元件符号使用与图 3以及图4中的电流控制装置200 —样的元件符号，并且为了简洁起见，在 此不多加赘述电流控制装置200的详细的电路架构。而图5以及图6中的电 流控制装置200的元件符号使用与图3以及图4中的电流控制装置200之间 的差别在于如图5以及图6所示第二电流镜模块MO还包含有 一可变电 阻单元246，耦接于该电流减法器250与第四晶体管开关242的该第二端点 之间，用于控制第四晶体管开关242的该第二端点的电压电平，使其与第五 晶体管开关244的该第二端点的电压电平一致；以及一偏压控制模块248， 耦接于该双极结型晶体管晶体管IOO的该控制端点与第四晶体管开关242的 该控制端点之间，用于使该双极结型晶体管晶体管IOO的该控制端点维持一 固定的电压电平。其中，偏压控制模块248为一运算放大器，该运算放大器 包含有 一第一输入端点，耦接于该双极结型晶体管晶体管100的该控制端 点； 一第二输入端点，耦接于一偏压讯号Vb;以及一输出端点，耦接于该第 四晶体管开关242的该控制端点。
综上所述，本发明所披露的电流控制装置可以应用于 一 双极结型晶体 管，使得在利用一双重电流冲莫式(dual current mode)温度测量方法来测 量该双极结型晶体管的温度时能够避免温度测量误差的产生。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变 化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
1权利要求
1. 一种应用于一晶体管的电流控制装置，该晶体管具有一控制端点、一第一端点以及一第二端点，该电流控制装置包含有一电流控制模块，用来输出一电流控制讯号；一第一电流镜模块，其具有一第一输出端点、一第二输出端点与一输入端点，该第一输出端点耦接于该晶体管的该第一端点，该输入端点耦接于该电流控制模块，且该第一电流镜模块用来依据该电流控制讯号分别在该第一输出端点与该第二输出端点产生一第一电流镜电流与一第二电流镜电流，其中该第一电流镜电流与该第二电流镜电流之间具有一预定电流比例，以及该晶体管依据该第一电流镜电流在该控制端点产生一第二电流；一第二电流镜模块，其具有一第一端点、一第二端点与一第三端点，该第一端点耦接于该晶体管的该控制端点，且该第二电流镜模块用来依据该第二电流以在该第二电流镜模块的该第二端点产生一第三电流镜电流，其中该第二电流与该第三电流镜电流之间具有该预定电流比例；一电流减法器，耦接于该第一电流镜模块的该第二输出端点与该第二电流镜模块的该第二端点之间，用来依据该第二电流镜电流与该第三电流镜电流产生一第三电流；以及一电流调整模块，耦接于该电流减法器，用来将该第三电流调整成一第四电流，其中该第四电流与该第三电流之间具有一固定电流比例。
2. 如权利要求1所述的电流控制装置，其中该电流控制模块包含有 一电流源，耦接于一第一电压源，用来提供一第一电流作为该电流控制讯号；一第一开关元件，其具有一控制端点、 一第一端点以及一第二端点，该 第二端点耦接于该电流源；一第二开关元件，其具有一控制端点、 一第一端点以及一第二端点；以及一第一晶体管开关，其具有一控制端点耦接于该第二开关元件的该第二 端点、 一第一端点耦接于一第二电压源以及一第二端点耦接于该第一开关元 件的该第一端点与该第一晶体管开关的该控制端点。
3. 如权利要求2所述的电流控制装置，其中该第 一 电流镜模块包含有一第二晶体管开关，其具有一控制端点耦接于该第二开关元件的该第一 端点、 一 第 一端点耦接于该第二电压源以及一 第二端点耦接于该电流减法器；一第三晶体管开关，其具有一控制端点耦接于该第二开关元件的该第一 端点与该第二晶体管开关的该控制端点、 一第一端点耦接于该第二电压源以及一第二端点耦接于该晶体管的该第一端点；以及一第三开关元件，其具有一控制端点、 一第一端点耦接于该第二晶体管 开关的该控制端点以及一第二端点耦接于该第二晶体管开关的该第二端点。
4. 如权利要求3所述的电流控制装置，其中当该电流控制装置在一第一 操作期间时，该第一开关元件以及该第二开关元件处于一导通状态，并且该 第三开关元件处于一非导通状态；以及当该电流控制装置在一第二操作期间 时，该第一开关元件以及该第二开关元件处于一非导通状态，并且该第三开 关元件处于一导通状态。
5. 如权利要求3所述的电流控制装置，其中该第一晶体管开关、该第二晶体管开关以及该第三晶体管开关均为P型场效晶体管。
6. 如权利要求3所述的电流控制装置，其中该固定比例等于N/M，以及该电流调整模块包含有一第六晶体管开关，其具有一控制端点、 一第一端点耦接于该第一电压 源以及一 第二端点耦接于该电流减法器；一第四开关元件，其具有一控制端点、 一第一端点以及一第二端点耦接 于该第六晶体管开关的该控制端点；一第五开关元件，其具有一控制端点、 一第一端点耦接于该第六晶体管 开关的该第二端点以及一第二端点耦接于该第六晶体管开关的该控制端点；一第七晶体管开关，其具有一控制端点耦接于该第四开关元件的该第一 端点、 一第一端点耦接于该第一电压源以及一第二端点耦接于该第六晶体管 开关的该第二端点与该第五开关元件的该第一端点；一第六开关元件，其具有一控制端点、 一第一端点耦接于该第七晶体管 开关的该控制端点以及一第二端点耦接于该第一电压源；以及一电压存储模块，耦接于该第一电压源与该第六晶体管开关的该控制端 点之间；其中该第六晶体管开关的尺寸与该第七晶体管开关的尺寸之间具有一固定比例N/ (M-N)。
7. 如权利要求6所述的电流控制装置，其中当该电流控制装置在一第一 操作期间时，该第一开关元件、该第二开关元件、该第四开关元件以及该第 五开关元件处于一导通状态，并且该第三开关元件以及该第六开关元件处于 一非导通状态；以及当该电流控制装置在一第二操作期间时，该第一开关元 件、该第二开关元件、该第四开关元件以及该第五开关元件处于一非导通状 态，并且该第三开关元件以及该第六开关元件处于一导通状态。
8. 如权利要求6所述的电流控制装置，其中该电压存储模块为一电容。
9. 如权利要求6所述的电流控制装置，其中该第六晶体管开关以及该第 七晶体管开关均为N型场效晶体管。
10. 如权利要求1所述的电流控制装置，其中该第二电流镜模块包含有 一第四晶体管开关，其具有一控制端点、 一第一端点耦接于一第一电压源以及一第二端点耦接于该电流减法器；以及一第五晶体管开关，其具有一控制端点耦接于该第四晶体管开关的该控 制端点、 一第一端点耦接于该第一电压源以及一第二端点耦接于该第二电流 镜模块的该第二端点与该晶体管的该控制端点。
11. 如权利要求IO所述的电流控制装置，其中该第四晶体管开关以及该 第五晶体管开关均为N型场效晶体管。
12. 如权利要求10所述的电流控制装置，其中该第二电流镜模块还包含有一可变电阻单元，耦接于该电流减法器与该第四晶体管开关的该第二端 点之间，用于控制该第四晶体管开关的该第二端点的电压电平，使其与该第 五晶体管开关的该第二端点的电压电平一致；以及一偏压控制模块，耦接于该晶体管的该控制端点与该第四晶体管开关的 该控制端点之间，用于使该晶体管的该控制端点维持一 固定的电压电平。
13. 如权利要求12所述的电流控制装置，其中该偏压控制模块为一运算 放大器，该运算放大器包含有一第 一 输入端点，耦接于该晶体管的该控制端点； 一第二输入端点，耦接于一偏压讯号；以及一输出端点，耦接于该第四晶体管开关的该控制端点。
14. 如权利要求12所述的电流控制装置，其中该固定比例等于N/M,以及该电流调整模块包含有一第六晶体管开关，其具有一控制端点、 一第一端点耦接于该第一电压 源以及一 第二端点耦接于该电流减法器；一第四开关元件，其具有一控制端点、 一第一端点以及一第二端点耦接 于该第六晶体管开关的该控制端点；一第五开关元件，其具有一控制端点、 一第一端点耦接于该第六晶体管 开关的该第二端点以及一第二端点耦接于该第六晶体管开关的该控制端点；一第七晶体管开关，其具有一控制端点耦接于该第四开关元件的该第一 端点、 一第一端点耦接于该第一电压源以及一第二端点耦接于该第六晶体管 开关的该第二端点与该第五开关元件的该第一端点；一第六开关元件，其具有一控制端点、 一第一端点耦接于该第七晶体管 开关的该控制端点以及一第二端点耦接于该第一电压源；以及一电压存储模块，耦接于该第 一电压源与该第六晶体管开关的该控制端 点之间；其中该第六晶体管开关的尺寸与该第七晶体管开关的尺寸之间具有一 固定比例N/ (M-N)。
15. 如权利要求14所述的电流控制装置，其中当该电流控制装置在一第 一操作期间时，该第四开关元件以及该第五开关元件处于一导通状态，并且 该第六开关元件处于一非导通状态；以及当该电流控制装置在一第二操作期 间时，该第四开关元件以及该第五开关元件处于一非导通状态，并且该第六 开关元件处于一导通状态。
16. 如权利要求14所述的电流控制装置，其中该电压存储模块为一电容。
17. 如权利要求14所述的电流控制装置，其中该第六晶体管开关以及该 第七晶体管开关均为N型场效晶体管。
18. 如权利要求1所述的电流控制装置，其中该晶体管为一双极结型晶 体管。
19. 如权利要求1所述的电流控制装置，其中该电流控制模块为一偏压 电压源，用来提供一偏压作为该电流控制讯号。
20. 如权利要求19所述的电流控制装置，其中该第一电流镜模块包含有一第二晶体管开关，其具有一控制端点耦接于该偏压电压源、 一第一端点耦接于该第二电压源以及一 第二端点耦接于该电流减法器；一第三晶体管开关，其具有一控制端点耦接于该偏压电压源与该第二晶 体管开关的该控制端点、 一第一端点耦接于该第二电压源以及一第二端点耦接于该晶体管的该第一端点；以及一第三开关元件，其具有一控制端点、 一第一端点耦接于该第二晶体管 开关的该控制端点以及一第二端点耦接于该第二晶体管开关的该第二端点。
21. 如权利要求20所述的电流控制装置，其中当该电流控制装置在一第 一操作期间时，该第三开关元件处于一非导通状态；以及当该电流控制装置 在一第二操作期间时，该第三开关元件处于一导通状态。
22. 如权利要求20所述的电流控制装置，其中该固定比例等于N/M,以 及该电流调整模块包含有一第六晶体管开关，其具有一控制端点、 一第一端点耦接于一第一电压 源以及一第二端点耦接于该电流减法器；一第四开关元件，其具有一控制端点、 一第一端点以及一第二端点耦接 于该第六晶体管开关的该控制端点；一第五开关元件，其具有一控制端点、 一第一端点耦接于该第六晶体管 开关的该第二端点以及一第二端点耦接于该第六晶体管开关的该控制端点；一第七晶体管开关，其具有一控制端点耦接于该第四开关元件的该第一 端点、 一第一端点耦接于该第一电压源以及一第二端点耦接于该第六晶体管 开关的该第二端点与该第五开关元件的该第一端点；一第六开关元件，其具有一控制端点、 一第一端点耦接于该第七晶体管 开关的该控制端点以及一第二端点耦接于该第一电压源；以及一电压存储模块，耦接于该第一电压源与该第六晶体管开关的该控制端 点之间；其中该第六晶体管开关的尺寸与该第七晶体管开关的尺寸之间具有一 固定比例N/ (M-N)。
23. 如权利要求22所述的电流控制装置，其中当该电流控制装置在一第 一操作期间时，该第四开关元件以及该第五开关元件处于一导通状态，并且 该第三开关元件以及该第六开关元件处于一非导通状态；以及当该电流控制 装置在一第二操作期间时，该第四开关元件以及该第五开关元件处于一非导通状态，并且该第三开关元件以及该第六开关元件处于一导通状态。
24. 如权利要求19所述的电流控制装置，其中该第二电流镜模块包含有一第四晶体管开关，其具有一控制端点、 一第一端点耦接于一第一电压 源以及一第二端点耦接于该电流减法器；以及一第五晶体管开关，其具有一控制端点耦接于该第四晶体管开关的该控 制端点、 一第一端点耦接于该第一电压源以及一第二端点耦接于该第二电流镜模块的该第二端点与该晶体管的该控制端点。
25. 如权利要求24所述的电流控制装置，其中该第二电流镜模块还包含有一可变电阻单元，耦接于该电流减法器与该第四晶体管开关的该第二端 点之间，用于控制该第四晶体管开关的该第二端点的电压电平，使其与该第五晶体管开关的该第二端点的电压电平一致；以及一偏压控制模块，耦接于该晶体管的该控制端点与该第四晶体管开关的 该控制端点之间，用于使该晶体管的该控制端点维持 一 固定的电压电平。
全文摘要
本发明提供一种应用于一晶体管的电流控制装置，该晶体管具有一控制端点、一第一端点以及一第二端点，并且该电流控制装置包含有一电流控制模块、一第一电流镜模块、一第二电流镜模块、一电流减法器以及一电流调整模块。本发明所提供的电流控制装置可以应用于一双极结型晶体管，使得在利用一双重电流模式温度测量方法来测量该双极结型晶体管的温度时能够避免温度测量误差的产生。
文档编号G05F3/08GK101510106SQ20081000569
公开日2009年8月19日 申请日期2008年2月15日 优先权日2008年2月15日
发明者李宗学, 黄德燻 申请人:精拓科技股份有限公司