技术特征：
技术总结
本发明揭示了一种半导体器件及其制备方法，包括；提供一目标层，所述目标层具有多个第一区域以及第二区域；在所述目标层上形成多个第一图案，所述第一图案位于所述第一区域上；在所述第一图案上形成一第一调整层，所述第一调整层覆盖所述第一图案的顶壁、侧壁以及所述目标层的第二区域，并在所述第二区域形成一凹槽；在所述凹槽内填充一第二调整层；去除所述第一图案的侧壁上的第一调整层，所述第二调整层以及位于所述第二调整层下方的第一调整层形成第二图案；同时将所述第一图案和第二图案转移到所述目标层，所述目标层会形成目标图案以及目标空隙，所述目标空隙的特征尺寸小于所述第一图案之间的距离，有利于实现小尺寸空隙的制备。
技术研发人员：不公告发明人
受保护的技术使用者：合肥智聚集成电路有限公司
技术研发日：2017.03.30
技术公布日：2017.07.18