1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
在基底上依次沉积有源层薄膜、源漏金属薄膜和钝化层薄膜，通过构图工艺形成有源层、源漏电极和第一钝化层图案，第一钝化层的图案与源漏电极的图案相同。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通过构图工艺形成有源层、源漏电极和第一钝化层图案，包括：
在钝化层薄膜上涂覆一层光刻胶，通过半色调掩膜或灰色调掩膜的构图工艺，形成有源层、源漏电极和第一钝化层图案。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述通过半色调掩膜或灰色调掩膜的构图工艺，形成有源层、源漏电极和第一钝化层图案，包括：
采用半色调掩膜版或灰色调掩膜版对光刻胶进行阶梯曝光并显影，在源漏电极和数据线位置形成未曝光区域，在沟道位置形成部分曝光区域，在其余位置形成完全曝光区域；
依次刻蚀掉完全曝光区域的钝化层薄膜、源漏金属薄膜和有源层薄膜；
灰化处理，去除部分曝光区域的光刻胶；
依次刻蚀掉部分曝光区域的钝化层薄膜和源漏金属薄膜；
剥离剩余的光刻胶，形成有源层、源漏电极和第一钝化层图案。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成有源层、源漏电极和第一钝化层图案之前，还包括形成栅结构层的步骤，所述形成栅结构层包括：
通过单色调掩膜的构图工艺在基底上形成栅电极和栅线图案，沉积栅绝缘层；或者，
通过半色调掩膜或灰色调掩膜的构图工艺在基底上形成栅电极、栅线和公共电极图案，沉积栅绝缘层。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成有源层、源漏电极和第一钝化层图案之后，还包括形成透明电极结构层的步骤，所述形成透明电极结构层包括：
沉积第二钝化层，通过构图工艺形成像素电极，像素电极通过过孔与源漏电极中的漏电极连接，沉积第三钝化层，通过构图工艺形成公共电极；或者，
沉积第二钝化层，通过构图工艺形成像素电极，像素电极通过过孔与源漏电极中的漏电极连接。
6.根据权利要求1～5任一所述的制备方法，其特征在于，所述有源层的材料包括铟镓锌氧化物或铟锡锌氧化物，所述第一钝化层的材料包括氮化硅，所述源漏电极包括依次叠加的三层材料，第一、第三层包括钼铌合金，第二层包括铜。
7.一种阵列基板，包括基底，其特征在于，有源层、源漏电极和第一钝化层设置在所述基底上，所述第一钝化层的图案与源漏电极的图案相同。
8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层和源漏电极在基板上的正投影位于所述有源层在基板上的正投影内。
9.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括栅结构层，所述栅结构层包括：
设置在基底上的栅电极，覆盖所述栅电极的栅绝缘层；或者，设置在基底上的栅电极和公共电极，覆盖所述栅电极和公共电极的栅绝缘层；
所述有源层、源漏电极和第一钝化层设置在所述栅绝缘层上。
10.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，还包括透明电极结构层，所述透明电极结构层包括：
覆盖有源层、源漏电极和第一钝化层图案的第二钝化层；设置在第二钝化层上的像素电极，像素电极通过过孔与源漏电极中的漏电极连接；覆盖像素电极和第二钝化层的第三钝化层；设置在第三钝化层上的公共电极；或者，
覆盖有源层、源漏电极和第一钝化层图案的第二钝化层；设置在第二钝化层上的像素电极，像素电极通过过孔与源漏电极中的漏电极连接。
11.根据权利要求7～10任一所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层的材料包括铟镓锌氧化物或铟锡锌氧化物，所述第一钝化层的材料包括氮化硅，所述源漏电极包括依次叠加的三层材料，第一、第三层包括钼铌合金，第二层包括铜。
12.一种显示面板，其特征在于，包括相对设置的第一基板和第二基板，所述第一基板采用如权利要求7～11任一所述的阵列基板。
13.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求12所述的显示面板。