技术特征：
技术总结
本发明实施例提供了一种FinFET，包括衬底、多个绝缘体和栅极堆叠件。衬底包括多个沟槽和位于沟槽之间的至少一个半导体鳍，其中，半导体鳍包括至少一个槽，并且至少一个槽位于半导体鳍的顶面上。绝缘体设置在沟槽中。栅极堆叠件部分地覆盖半导体鳍、至少一个槽和绝缘体。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管。
技术研发人员：管清华;蒋振劼;郑志成
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.04.07
技术公布日：2017.10.27