制备PEDOT:PSS/Si异质结太阳电池的方法与流程

本发明涉及一种pedot:pss/si异质结太阳电池的制备方法。

背景技术：

聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐/硅(pedot:pss/si)异质结太阳电池是一种新型太阳电池。具有制备工艺简单、低温低耗能、工艺成本低等优势，因而pedot:pss/si异质结太阳电池的研究得到了广泛的关注与快速的发展，并在短短数年里，转化效率也得到了巨大的提升。尽管效率得到了提高，但是电池开路电压仍然较低是pedot:pss/si异质结太阳电池的主要问题之一。

目前主要采用较低质量分数的表面活性剂(0.1％-0.5％)对pedot:pss溶液进行掺杂，旋涂pedot:pss溶液在硅片表面成膜。旋涂成膜后，直接在热板上进行退火处理，再制备正负电极。其主要问题是没有意识到表面活性剂的含量是提高有效少子寿命的主要因素，部分实验使用较高的表面活性剂含量，却没有对实验湿度条件有效控制、没有对浸润在硅片的pedot:pss溶液进行减压处理因而没有得到良好的效果。

比如q.liu,m.ono,z.tang,r.ishikawa,k.ueno,andh.shirai,"highlyefficientcrystallinesilicon/zonylfluorosurfactant-treatedorganicheterojunctionsolarcells,"appliedphysicsletters,vol.100,p.183901,2012.j.p.thomasandk.t.leung,"defect-minimizedpedot:pss/planar-sisolarcellwithveryhighefficiency,"advancedfunctionalmaterials,vol.24,pp.4978-4985,aug202014.m.yameen,s.k.srivastava,p.singh,k.turan,p.prathap,vandana,etal.,"lowtemperaturefabricationofpedot:pss/micro-texturedsilicon-basedheterojunctionsolarcells,"journalofmaterialsscience,vol.50,pp.8046-8056,dec2015.等

上述工艺方法无法获得高的有效少子寿命，进而很难得到高的电池开路电压，通常有效少子寿命在50-100μs，太阳电池的开路电压在580-600mv。

技术实现要素：

本发明的目的是克服现有pedot:pss/si异质结太阳电池制备工艺开路电压低的缺点，提出一种新的制备高开路电压pedot:pss/si异质结太阳电池的方法。

本发明制备pedot:pss/si异质结太阳电池工艺方法包括以下步骤：

第一步，在德国heraeus公司产品，型号为ph1000的聚3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(pedot:pss)溶液中掺入曲拉通(tritonx-100)表面活性剂，掺杂的曲拉通(tritonx-100)表面活性剂的质量分数为0.75％-2％，纯度为98％；

第二步，将第一步配制好的pedot:pss溶液涂覆在硅片表面，放入真空器皿中用机械泵抽气，使真空室内的气压达到1-100pa，保持该气压3min，以去除pedot:pss溶液中的气泡；

第三步，取出涂覆有pedot:pss溶液的硅片，用匀胶机旋涂pedot:pss溶液成膜，旋涂时间60s，转速6000rpm。成膜后将硅片置于热板上进行退火处理，退火时间3-30min，退火温度80-200℃；

第四步，在硅片的背面旋涂碳酸铯溶液，成膜后将硅片再次置于热板上退火，退火时间15min，退火温度150℃；

第五步，退火后，采用热蒸发设备在pedot:pss膜上面蒸金属ag栅线，在碳酸铯的膜上面蒸全al背电极；

在所述第一步至第五步的制备过程中控制密闭的制备环境的湿度为15-40％。

本发明利用掺杂高质量分数的表面活性剂提高了pedot:pss薄膜的功函数、功函数的增加会提高了硅片的有效少子寿命，有效少子寿命的提高则可以有效提高太阳电池的开路电压。

与现有技术相比，本发明的优点在于：一，通过掺杂0.75％-2％高质量分数的表面活性剂，使太阳电池的开路电压610mv左右；二，通过第二步在低真空环境下对薄膜的处理，去除溶液中的气泡，以便在随后的旋涂过程中得到成膜质量更佳的薄膜，进一步提高太阳电池的开路电压，使其达到620mv左右；三，通过pedot:pss薄膜的退火工艺及制备的湿度环境，以确保获得高的开路电压。

附图说明

图1本发明工艺得到的有效少子寿命示意图；

图2pedot:pss/si异质结太阳电池的基本结构示意图；

图3退火条件在200℃退火30min有效少子寿命示意图；

图4湿度条件在40％是制备工艺有效少子寿命示意图；

图5标定金样的afm表面电势曲线；

图6本发明工艺条件pedot:pss表面电势曲线；

图7退火条件在200℃退火30min时的表面电势曲线；

图8湿度条件在40％时表面电势曲线。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施方式进一步说明本发明。

本发明制备方法的步骤如下：

第一步，在德国heraeus公司产品，型号为ph1000的聚3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(pedot:pss)溶液中掺入曲拉通(tritonx-100)表面活性剂，掺杂的曲拉通(tritonx-100)表面活性剂的质量分数为0.75％-2％，纯度为98％；

第二步，将第一步配制好的pedot:pss溶液涂覆在硅片表面，放入真空器皿中用机械泵抽气，使真空室内的气压达到1-100pa，保持该气压3min，以去除pedot:pss溶液中的气泡；

第三步，取出涂覆有pedot:pss溶液的硅片，用匀胶机旋涂pedot:pss溶液成膜，旋涂时间60s，转速6000rpm。成膜后将硅片置于热板上进行退火处理，退火时间3-30min，退火温度80-200℃；

第四步，在硅片的背面旋涂碳酸铯溶液，成膜后将硅片再次置于热板上退火，退火时间15min，退火温度150℃；

第五步，退火后，采用热蒸发设备在pedot:pss膜上面蒸金属ag栅线，在碳酸铯的膜上面蒸全al背电极；

在所述第一步至第五步的制备过程中控制密闭的制备环境的湿度为15-40％。

图2是pedot:pss/si异质结太阳电池的电池结构，结构为ag-pedot:pss-si-cs2co3-al。

本发明利用高掺杂质量分数的表面活性剂对pedot:pss的作用改善成膜的形貌以及成膜的表面功函数，进而提高pedot:pss对硅片表面钝化的效果，最终提高了制备的pedot:pss/si异质结太阳电池的开路电压。将均匀覆盖在硅片表面的pedot:pss溶液进行真空处理除去溶液中的气泡，以便在随后的旋涂过程中得到成膜质量更佳的薄膜，进一步提高太阳电池的开路电压。并且对制备过程中影响太阳电池开路电压的工艺与环境因素进行控制，以确保太阳电池较高的开路电压的获得。由于未掺杂的pedot:pss的表面电势与金接近，从图5与图6的对比可知，本发明可以得到更高的表面电势，从图1所示可知由于表面电势的增加，提高了有效少子寿命。

实施例1

第一步，在德国heraeus公司产品，型号为ph1000的聚3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(pedot:pss)溶液中掺入曲拉通(tritonx-100)表面活性剂，掺杂的曲拉通(tritonx-100)表面活性剂的质量分数为0.75％，纯度为98％；

第二步，将第一步配制好的pedot:pss溶液涂覆在硅片表面，放入真空器皿中用机械泵抽气，使真空室内的气压达到100pa，保持该气压3min，以去除pedot:pss溶液中的气泡；

第三步，取出涂覆有pedot:pss溶液的硅片，用匀胶机旋涂pedot:pss溶液成膜，旋涂时间60s，转速6000rpm。成膜后将硅片置于热板上进行退火处理，退火时间30min，退火温度200℃；

第四步，在硅片的背面旋涂碳酸铯溶液，成膜后将硅片再次置于热板上退火，退火时间15min，退火温度150℃；

第五步，退火后，采用热蒸发设备在pedot:pss膜上面蒸金属ag栅线，在碳酸铯的膜上面蒸全al背电极；

在所述第一步至第五步的制备过程中控制密闭的制备环境的湿度为40％。

实施例2

第一步，在德国heraeus公司产品，型号为ph1000的聚3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(pedot:pss)溶液中掺入曲拉通(tritonx-100)表面活性剂，掺杂的曲拉通(tritonx-100)表面活性剂的质量分数为2％，纯度为98％；

第二步，将第一步配制好的pedot:pss溶液涂覆在硅片表面，放入真空器皿中用机械泵抽气，使真空室内的气压达到100pa，保持该气压3min，以去除pedot:pss溶液中的气泡；

第三步，取出涂覆有pedot:pss溶液的硅片，用匀胶机旋涂pedot:pss溶液成膜，旋涂时间60s，转速6000rpm。成膜后将硅片置于热板上进行退火处理，退火时间30min，退火温度200℃；

第四步，在硅片的背面旋涂碳酸铯溶液，成膜后将硅片再次置于热板上退火，退火时间15min，退火温度150℃；

第五步，退火后，采用热蒸发设备在pedot:pss膜上面蒸金属ag栅线，在碳酸铯的膜上面蒸全al背电极；

在所述第一步至第五步的制备过程中控制密闭的制备环境的湿度为40％。

实施例3

第一步，在德国heraeus公司产品，型号为ph1000的聚3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(pedot:pss)溶液中掺入曲拉通(tritonx-100)表面活性剂，掺杂的曲拉通(tritonx-100)表面活性剂的质量分数为1.2％，纯度为98％；

第二步，将第一步配制好的pedot:pss溶液涂覆在硅片表面，放入真空器皿中用机械泵抽气，使真空室内的气压达到100pa，保持该气压3min，以去除pedot:pss溶液中的气泡；

第三步，取出涂覆有pedot:pss溶液的硅片，用匀胶机旋涂pedot:pss溶液成膜，旋涂时间60s，转速6000rpm。成膜后将硅片置于热板上进行退火处理，退火时间30min，退火温度200℃；

第四步，在硅片的背面旋涂碳酸铯溶液，成膜后将硅片再次置于热板上退火，退火时间15min，退火温度150℃；

第五步，退火后，采用热蒸发设备在pedot:pss膜上面蒸金属ag栅线，在碳酸铯的膜上面蒸全al背电极；

在所述第一步至第五步的制备过程中控制密闭的制备环境的湿度为40％。

实施例4

第一步，在德国heraeus公司产品，型号为ph1000的聚3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(pedot:pss)溶液中掺入曲拉通(tritonx-100)表面活性剂，掺杂的曲拉通(tritonx-100)表面活性剂的质量分数为2％，纯度为98％；

第二步，将第一步配制好的pedot:pss溶液涂覆在硅片表面，放入真空器皿中用机械泵抽气，使真空室内的气压达到1pa，保持该气压3min，以去除pedot:pss溶液中的气泡；

第三步，取出涂覆有pedot:pss溶液的硅片，用匀胶机旋涂pedot:pss溶液成膜，旋涂时间60s，转速6000rpm。成膜后将硅片置于热板上进行退火处理，退火时间30min，退火温度200℃；

第四步，在硅片的背面旋涂碳酸铯溶液，成膜后将硅片再次置于热板上退火，退火时间15min，退火温度150℃；

第五步，退火后，采用热蒸发设备在pedot:pss膜上面蒸金属ag栅线，在碳酸铯的膜上面蒸全al背电极；

在所述第一步至第五步的制备过程中控制密闭的制备环境的湿度为40％。

实施例5

第一步，在德国heraeus公司产品，型号为ph1000的聚3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(pedot:pss)溶液中掺入曲拉通(tritonx-100)表面活性剂，掺杂的曲拉通(tritonx-100)表面活性剂的质量分数为0.8％，纯度为98％；

第二步，将第一步配制好的pedot:pss溶液涂覆在硅片表面，放入真空器皿中用机械泵抽气，使真空室内的气压达到100pa，保持该气压3min以去除pedot:pss溶液中的气泡，；

第三步，取出涂覆有pedot:pss溶液的硅片，用匀胶机旋涂pedot:pss溶液成膜，旋涂时间60s，转速6000rpm。成膜后将硅片置于热板上进行退火处理，退火时间30min，退火温度200℃；

第四步，在硅片的背面旋涂碳酸铯溶液，成膜后将硅片再次置于热板上退火，退火时间15min，退火温度150℃；

第五步，退火后，采用热蒸发设备在pedot:pss膜上面蒸金属ag栅线，在碳酸铯的膜上面蒸全al背电极；

在所述第一步至第五步的制备过程中控制密闭的制备环境的湿度为40％。

实施例6

第一步，在德国heraeus公司产品，型号为ph1000的聚3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(pedot:pss)溶液中掺入曲拉通(tritonx-100)表面活性剂，掺杂的曲拉通(tritonx-100)表面活性剂的质量分数为2％，纯度为98％；

第二步，将第一步配制好的pedot:pss溶液涂覆在硅片表面，放入真空器皿中用机械泵抽气，使真空室内的气压达到20pa，保持该气压3min，以去除pedot:pss溶液中的气泡；

第三步，取出涂覆有pedot:pss溶液的硅片，用匀胶机旋涂pedot:pss溶液成膜，旋涂时间60s，转速6000rpm。成膜后将硅片置于热板上进行退火处理，退火时间30min，退火温度200℃；

第四步，在硅片的背面旋涂碳酸铯溶液，成膜后将硅片再次置于热板上退火，退火时间15min，退火温度150℃；

第五步，退火后，采用热蒸发设备在pedot:pss膜上面蒸金属ag栅线，在碳酸铯的膜上面蒸全al背电极；

在所述第一步至第五步的制备过程中控制密闭的制备环境的湿度为40％。

实施例7

第一步，在德国heraeus公司产品，型号为ph1000的聚3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(pedot:pss)溶液中掺入曲拉通(tritonx-100)表面活性剂，掺杂的曲拉通(tritonx-100)表面活性剂的质量分数为1.5％，纯度为98％；

第二步，将第一步配制好的pedot:pss溶液涂覆在硅片表面，放入真空器皿中用机械泵抽气，使真空室内的气压达到100pa，保持该气压3min，以去除pedot:pss溶液中的气泡；

第三步，取出涂覆有pedot:pss溶液的硅片，用匀胶机旋涂pedot:pss溶液成膜，旋涂时间60s，转速6000rpm。成膜后将硅片置于热板上进行退火处理，退火时间30min，退火温度200℃；

第四步，在硅片的背面旋涂碳酸铯溶液，成膜后将硅片再次置于热板上退火，退火时间15min，退火温度150℃；

第五步，退火后，采用热蒸发设备在pedot:pss膜上面蒸金属ag栅线，在碳酸铯的膜上面蒸全al背电极；

在所述第一步至第五步的制备过程中控制密闭的制备环境的湿度为40％。

图3是实施例7工艺下的有效少子寿命图，图7是实施例7工艺薄膜的表面电势图。如图3和图7所示，在实施例7工艺条件下，比较于最优实验参数的工艺，由于表面功函数的降低(5.2ev)导致了有效少子寿命下降(150μs)，太阳电池开路电压降低。

实施例8

第一步，在德国heraeus公司产品，型号为ph1000的聚3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(pedot:pss)溶液中掺入曲拉通(tritonx-100)表面活性剂，掺杂的曲拉通(tritonx-100)表面活性剂的质量分数为2％，纯度为98％；

第二步，将第一步配制好的pedot:pss溶液涂覆在硅片表面，放入真空器皿中用机械泵抽气，使真空室内的气压达到100pa，保持该气压3min，以去除pedot:pss溶液中的气泡；

第三步，取出涂覆有pedot:pss溶液的硅片，用匀胶机旋涂pedot:pss溶液成膜，旋涂时间60s，转速6000rpm。成膜后将硅片置于热板上进行退火处理，退火时间3min，退火温度200℃；

第四步，在硅片的背面旋涂碳酸铯溶液，成膜后将硅片再次置于热板上退火，退火时间15min，退火温度150℃；

第五步，退火后，采用热蒸发设备在pedot:pss膜上面蒸金属ag栅线，在碳酸铯的膜上面蒸全al背电极；

在所述第一步至第五步的制备过程中控制密闭的制备环境的湿度为40％。

实施例9

第一步，在德国heraeus公司产品，型号为ph1000的聚3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(pedot:pss)溶液中掺入曲拉通(tritonx-100)表面活性剂，掺杂的曲拉通(tritonx-100)表面活性剂的质量分数为2％，纯度为98％；

第二步，将第一步配制好的pedot:pss溶液涂覆在硅片表面，放入真空器皿中用机械泵抽气，使真空室内的气压达到100pa，保持该气压3min，以去除pedot:pss溶液中的气泡；

第三步，取出涂覆有pedot:pss溶液的硅片，用匀胶机旋涂pedot:pss溶液成膜，旋涂时间60s，转速6000rpm。成膜后将硅片置于热板上进行退火处理，退火时间10min，退火温度200℃；

第四步，在硅片的背面旋涂碳酸铯溶液，成膜后将硅片再次置于热板上退火，退火时间15min，退火温度150℃；

第五步，退火后，采用热蒸发设备在pedot:pss膜上面蒸金属ag栅线，在碳酸铯的膜上面蒸全al背电极；

在所述第一步至第五步的制备过程中控制密闭的制备环境的湿度为40％。

实施例10

第一步，在德国heraeus公司产品，型号为ph1000的聚3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(pedot:pss)溶液中掺入曲拉通(tritonx-100)表面活性剂，掺杂的曲拉通(tritonx-100)表面活性剂的质量分数为2％，纯度为98％；

第二步，将第一步配制好的pedot:pss溶液涂覆在硅片表面，放入真空器皿中用机械泵抽气，使真空室内的气压达到100pa，保持该气压3min，以去除pedot:pss溶液中的气泡；

第三步，取出涂覆有pedot:pss溶液的硅片，用匀胶机旋涂pedot:pss溶液成膜，旋涂时间60s，转速6000rpm。成膜后将硅片置于热板上进行退火处理，退火时间3min，退火温度80℃；

第四步，在硅片的背面旋涂碳酸铯溶液，成膜后将硅片再次置于热板上退火，退火时间15min，退火温度150℃；

第五步，退火后，采用热蒸发设备在pedot:pss膜上面蒸金属ag栅线，在碳酸铯的膜上面蒸全al背电极；

在所述第一步至第五步的制备过程中控制密闭的制备环境的湿度为40％。

实施例11

第一步，在德国heraeus公司产品，型号为ph1000的聚3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(pedot:pss)溶液中掺入曲拉通(tritonx-100)表面活性剂，掺杂的曲拉通(tritonx-100)表面活性剂的质量分数为1.5％，纯度为98％；

第二步，将第一步配制好的pedot:pss溶液涂覆在硅片表面，放入真空器皿中用机械泵抽气，使真空室内的气压达到100pa，保持该气压3min，以去除pedot:pss溶液中的气泡；

第三步，取出涂覆有pedot:pss溶液的硅片，用匀胶机旋涂pedot:pss溶液成膜，旋涂时间60s，转速6000rpm。成膜后将硅片置于热板上进行退火处理，退火时间3min，退火温度200℃；

第四步，在硅片的背面旋涂碳酸铯溶液，成膜后将硅片再次置于热板上退火，退火时间15min，退火温度150℃；

第五步，退火后，采用热蒸发设备在pedot:pss膜上面蒸金属ag栅线，在碳酸铯的膜上面蒸全al背电极；

在所述第一步至第五步的制备过程中控制密闭的制备环境的湿度为40％。

实施例12

第一步，在德国heraeus公司产品，型号为ph1000的聚3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(pedot:pss)溶液中掺入曲拉通(tritonx-100)表面活性剂，掺杂的曲拉通(tritonx-100)表面活性剂的质量分数为1.5％，纯度为98％；

第二步，将第一步配制好的pedot:pss溶液涂覆在硅片表面，放入真空器皿中用机械泵抽气，使真空室内的气压达到100pa，保持该气压3min，以去除pedot:pss溶液中的气泡；

第三步，取出涂覆有pedot:pss溶液的硅片，用匀胶机旋涂pedot:pss溶液成膜，旋涂时间60s，转速6000rpm。成膜后将硅片置于热板上进行退火处理，退火时间3min，退火温度150℃；

第四步，在硅片的背面旋涂碳酸铯溶液，成膜后将硅片再次置于热板上退火，退火时间15min，退火温度150℃；

第五步，退火后，采用热蒸发设备在pedot:pss膜上面蒸金属ag栅线，在碳酸铯的膜上面蒸全al背电极；

在所述第一步至第五步的制备过程中控制密闭的制备环境的湿度为40％。

实施例13

第一步，在德国heraeus公司产品，型号为ph1000的聚3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(pedot:pss)溶液中掺入曲拉通(tritonx-100)表面活性剂，掺杂的曲拉通(tritonx-100)表面活性剂的质量分数为2％，纯度为98％；

第二步，将第一步配制好的pedot:pss溶液涂覆在硅片表面，放入真空器皿中用机械泵抽气，使真空室内的气压达到100pa，保持该气压3min，以去除pedot:pss溶液中的气泡；

第三步，取出涂覆有pedot:pss溶液的硅片，用匀胶机旋涂pedot:pss溶液成膜，旋涂时间60s，转速6000rpm。成膜后将硅片置于热板上进行退火处理，退火时间3min，退火温度150℃；

第四步，在硅片的背面旋涂碳酸铯溶液，成膜后将硅片再次置于热板上退火，退火时间15min，退火温度150℃；

第五步，退火后，采用热蒸发设备在pedot:pss膜上面蒸金属ag栅线，在碳酸铯的膜上面蒸全al背电极；

在所述第一步至第五步的制备过程中控制密闭的制备环境的湿度为15％。

实施例14

第一步，在德国heraeus公司产品，型号为ph1000的聚3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(pedot:pss)溶液中掺入曲拉通(tritonx-100)表面活性剂，掺杂的曲拉通(tritonx-100)表面活性剂的质量分数为2％，纯度为98％；

第二步，将第一步配制好的pedot:pss溶液涂覆在硅片表面，放入真空器皿中用机械泵抽气，使真空室内的气压达到100pa，保持该气压3min，以去除pedot:pss溶液中的气泡；

第三步，取出涂覆有pedot:pss溶液的硅片，用匀胶机旋涂pedot:pss溶液成膜，旋涂时间60s，转速6000rpm。成膜后将硅片置于热板上进行退火处理，退火时间3min，退火温度150℃；

第四步，在硅片的背面旋涂碳酸铯溶液，成膜后将硅片再次置于热板上退火，退火时间15min，退火温度150℃；

第五步，退火后，采用热蒸发设备在pedot:pss膜上面蒸金属ag栅线，在碳酸铯的膜上面蒸全al背电极；

在所述第一步至第五步的制备过程中控制密闭的制备环境的湿度为25％。

实施例15

第一步，在德国heraeus公司产品，型号为ph1000的聚3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸盐(pedot:pss)溶液中掺入曲拉通(tritonx-100)表面活性剂，掺杂的曲拉通(tritonx-100)表面活性剂的质量分数为1.5％，纯度为98％；

第二步，将第一步配制好的pedot:pss溶液涂覆在硅片表面，放入真空器皿中用机械泵抽气，使真空室内的气压达到100pa，保持该气压3min，以去除pedot:pss溶液中的气泡；

第三步，取出涂覆有pedot:pss溶液的硅片，用匀胶机旋涂pedot:pss溶液成膜，旋涂时间60s，转速6000rpm。成膜后将硅片置于热板上进行退火处理，退火时间3min，退火温度180℃；

第四步，在硅片的背面旋涂碳酸铯溶液，成膜后将硅片再次置于热板上退火，退火时间15min，退火温度150℃；

第五步，退火后，采用热蒸发设备在pedot:pss膜上面蒸金属ag栅线，在碳酸铯的膜上面蒸全al背电极；

在所述第一步至第五步的制备过程中控制密闭的制备环境的湿度为40％。

图4是实施例15工艺的有效少子寿命图，图8是实施例15工艺下薄膜的表面电势图。可以看出在该工艺比较最优实验参数的工艺，功函数有所下降(5.5ev)，进而导致有效少子寿命下降(280μs)，电池开路电压降低。