技术特征：
技术总结
本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，可以降低源极和漏极与沟道区之间的寄生电阻。所述薄膜晶体管，包括设置在衬底上的有源层，所述有源层包括源极区、漏极区和沟道区；还包括设置在所述有源层上表面且分别与所述源极区、漏极区和沟道区对应第一源极、第一漏极、和栅绝缘层；所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影与所述沟道区在所述衬底上的正投影重合；所述第一源极和所述第一漏极到所述栅绝缘层的距离不大于1μm。
技术研发人员：宋振;王国英
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2017.05.11
技术公布日：2017.09.15