技术总结
本发明公开了一种具有石墨烯掩埋散热层和源接地的GaN MMIC器件及制备方法，本发明具有石墨烯掩埋散热层和源接地的GaN MMIC器件结构，这种新型器件结构避免了背面深孔刻蚀的复杂工艺，可以实现正面直接源接地，同时利用石墨烯优越的热导率迅速将器件有源区产生的热量导走，可以有助于实现大功率GaN器件，增长器件的高温可靠性。
技术研发人员：袁俊;李百泉;倪炜江;张敬伟;李明山;牛喜平;季莎
受保护的技术使用者：北京华进创威电子有限公司
文档号码：201710357170
技术研发日：2017.05.19
技术公布日：2017.09.15