技术特征：
技术总结
本发明公开了一种具有石墨烯掩埋源极和纵向栅极的GaN HEMT元胞结构，源极通过金属材料与石墨烯掩埋散热层连接；器件采用纵向栅极结构，将传统的HEMT器件中长的横向沟道开启模式转变成短的纵向沟道开启模式，栅极由长的横向电流控制沟道转变为短的纵向电流控制沟道，器件利用短的栅极侧壁沟道来实现开关控制，从而有效减小器件的导通电阻；可以实现高密度的元胞结构，提高器件的有效利用面积和单位面积功率密度；同时利用石墨烯优越的热导率迅速将器件有源区产生的热量导走，可以有助于实现大功率GaN HEMT器件，增长器件的高温可靠性。
技术研发人员：袁俊;李百泉;倪炜江;张敬伟;牛喜平;李明山;耿伟;徐妙玲
受保护的技术使用者：北京华进创威电子有限公司
技术研发日：2017.05.22
技术公布日：2017.09.22