技术特征：
技术总结
本发明涉及半导体装置，使半导体装置所具备的电感器的特性提高。具备由半导体基板(SB)、半导体基板(SB)上的BOX层(BX)以及BOX层(BX)上的半导体层(SL)构成的SOI基板、形成于SOI基板的主面的上方的多层布线以及由多层布线构成的电感器(IN)。并且，在位于电感器(IN)的下方的区域中，BOX层(BX)以及半导体层(SL)通过元件分离部(STI)隔成多个区域，在多个区域各自的半导体层(SL)上，隔着虚设栅极绝缘膜(DI)设置有虚设栅极电极(DG)。
技术研发人员：内田慎一;中柴康隆
受保护的技术使用者：瑞萨电子株式会社
技术研发日：2017.05.23
技术公布日：2018.02.23