半导体器件和方法与流程

技术特征：

技术总结
提供了半导体器件和制造方法。靠近间隔件形成源极/漏极区，间隔件邻近栅电极。通过注入掩模向源极/漏极区和第一间隔件内实施注入，在间隔件内形成注入区域。本发明实施例涉及半导体器件和方法。

技术研发人员：张哲诚;林志翰;曾鸿辉
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.05.25
技术公布日：2018.02.13